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mos管漏极电压（mos管漏极电压过高）

发布时间：2023-08-23
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mos管的栅源电压和漏源电压加倍的效果有啥不同

1、MOS管的栅极和漏极可以是相同电压，如果它们的电势相同，就会处于截止状态，不会导通。当MOS管的栅极电压大于阈值电压时，电子会开始在通道中流动，从而使漏极电压低于栅极电压，使得MOS管导通。

2、对应电位不同。但是有的绝缘栅场效应管在制造产品时已把源极和衬底连接在一起了，所以这种管子的源极和漏极就不能互换。有的管子则将衬底单独引出一个管脚，形成四个管脚。一般情况P衬底接低电位，N衬底接高电位。

3、由于栅极绝缘程度极高，栅极又有电容特性。因此极容量积累电荷，并存储电荷，形成电压。

4、源极和衬底连接是MOS管的一种用法。两者相连时相当于pn结（衬底-源）上接零电压，pn结耗尽区中漂移流与扩散流平衡，pn结上总电流为零。 栅源不加电压时，沟道不开启，不会有漏源电流。

5、截止状态。当MOS管的栅极和源极电压相同时，会导致MOS管处于截止状态，即关闭状态，当栅极和源极电压相同时，栅极和源极之间的电势差为零，无法形成电场，无法形成沟道，从而无法形成导电通道。

6、两者的作用不同：源极的作用：共射极放大电路类似，共源极放大电路具有一定的电压放大能力，且输出电压与输入电压反相，故被称为反相电压放大器；共源极放大电路的输入电阻很高，输出电阻主要由漏极电阻Rd决定。

MOS栅极电压改变会改变漏极电压吗?

当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。

在此期间，大部分栅极电流用于对CGS电容器充电。少量电流也会流经CGD电容器。随着栅极电压的升高，CGD电容器的电压将略有下降。这个期间称为开通延时，因为器件的漏极电流和漏极电压均保持不变。

但是，如果需要控制MOS管的电流大小，通常需要通过改变栅极电压来实现，这就需要栅极电压高于漏极电压，否则无法控制MOS管的导通。因此，在实际应用中，通常会在栅极和漏极之间设置一个合理的电压差来控制MOS管的电流。

mos管的主要参数

ASEMI低压MOS管SI2302的参数为：最大电压为30V，最大电流为4A，Rds（on）为0.14Ω，漏极极容为7nF，能耗为8W，最大功耗为5W。

MOS管主要参数如下：开启电压VT-开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开端构成导电沟道所需的栅极电压；-规范的N沟道MOS管，VT约为3～6V；-经过工艺上的改良，能够使MOS管的VT值降到2～3V。

这是N沟道功率型场效应管，重要参数：源漏极电压：75V 漏极电流：80A 导通电阻：RDS(ON)=8m (typ.) @ VGS=10V MOS管的种类很多，电压区分，电流区分，功率区分。特性：耐压，过电流，最大功率，内阻。

N沟道MOS管截止状态下,栅极电压高于漏极电压,MOS管就损坏

1、N--D之间电压应符合耐压极限参数，超出太多当然容易击穿损坏的。具体可查你选用元件手册。

2、MOS管的栅极和漏极可以是相同电压，如果它们的电势相同，就会处于截止状态，不会导通。当MOS管的栅极电压大于阈值电压时，电子会开始在通道中流动，从而使漏极电压低于栅极电压，使得MOS管导通。

3、符号，还是特性曲线，与N沟道增强型MOS管都有着明显的对偶关系。其衬底是N型硅，漏极和源极是两个P+区，而且它的uGS、uDS极性都是负的，开启电压UTP也是负值。

4、第二注意的是，普遍用于高端驱动的NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极 电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。

5、MOSFET阈值电压V是金属栅下面的半导体表面出现强反型、从而出现导电沟道时所需加的栅源电压。由于刚出现强反型时，表面沟道中的导电电子很少，反型层的导电能力较弱，因此，漏电流也比较小。

6、以增强型MOS为例分析。mos管由漏极、源极和栅极组成，还分为N沟和P沟两种mos管。首先我们将漏极接到电源正极，源极接到电源负极。

N沟道耗尽型MOS管工作在恒流区时,g极与d极之间的电...

1、主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中。因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。

2、G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。

3、n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。

4、从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似，其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。

5、它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。

MOS场效应管源极\栅极/漏极电压分别是多少伏?

电压不同 高压mos管电压在400V~1000V左右，低压mos管在1~40V左右。反应速度不同 耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢。mos管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体、半导体。

开启电压VT·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。

MOS管三个极，分别是栅极（G）源极（S）和漏极（D）。MOS器件是电压控制型器件，用栅极电压来控制源漏的导通情况。MOS管和三极管截止区：NMOS管的如果栅压小于阈值电压，MOS管相当于两个背靠背的二极管，不导通。

电场决定了从源电极到漏电极电子的能级。从而通过改变栅电势控制管子的电流。漏极和源极则是两个分别接通负极、正极电路的接口。 栅极电压的控制作用 场效应管的栅极电压对管子的导通起着重要作用。

是的，G极的电压需要2-4V之间。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能，这样的器件被认为是对称的。

关键词：电容器 电容 漏极电阻 控制MOS管 mos管 放大电路的输入电阻 电阻 有电容 输入电阻

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