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二极管零偏（二极管零偏压电容为什么和温度成正比）

发布时间：2023-08-23
阅读量：22

本文目录一览：

光电池在工作时为什么要处于零偏或负偏?

负偏的电场可以收集产生的光生载流子。零偏，其实也是反偏，因为靠的是内建电场（也是负偏的）来收集光生载流子的。正偏，正、负光生载流子（之前分开的电子-空穴对）会在正偏电场的（压迫）作用下相遇而湮灭。

在没有光照时候，近乎可以认为是没有电流的。因此，在零偏的时候，理论上，该电池是在工作的，但实际你没有办法检测电流（负载是无限大的），实际工作时候，需要在负偏状态下进行的。一般都在线，具体可以百度Hi联系。

在正向偏压下，n型半导体和p型半导体之间会形成电动势，使电子能够在半导体之间流动。这个过程叫做光电效应。此时，光电流的方向是由n型半导体向p型半导体流动的，即由正极向负极流动。

二极管4148和4007区别是什么?

二者的区别如下：1N4007，最大1000V；最大1A，塑料封装；适合电源整流。1N4148，75V（峰值100V）；300MA（峰值500MA），玻璃管封装；适合小电流整流，作一般二极管使用。

IN4148是一种小型的高速开关二极管，开关比较迅速，广泛用于信号频率较高的电路进行单向导通隔离，通讯、电脑板、电视机电路及工业控制电路。主要特点 高频信号高速开关，最大反向恢复时间小 。高可靠性ABA玻璃封装。高电导。

就是1N4148，这个二极管是用来设置每个发光管的点亮电压相差0.7V左右的，可以用其他硅二极管代替，例如常用的1N4001--1N4007，不过1N4148也很容易买到。

是开关二极管，最好用原型号，一般旧电路板上很多，质量也不错，8050是中功率管，代替9014可以，就是特性稍差些。

N4007和1N4008都是普通的整流二极管。两者的最大允许电流完全相同，都是1A。区别仅仅是两者的耐压不同，1N4007耐压是1000V，而1N4008的耐压是1200V。一般的电路的电压都是在几百伏以下，用1N4007完全可以。

大学物理实验硅光电池分析零偏和负偏的区别

1、硅光电池在工作时要处于零偏或是反偏的原因：因为要靠反偏的电场来收集产生的光载流子。零偏时靠的是内秉电场（也是负偏的）来收集。如果正偏的话，电场会把光载流子送到一起湮合了，就成了发光二极管了。

2、负偏的电场可以收集产生的光生载流子。零偏，其实也是反偏，因为靠的是内建电场（也是负偏的）来收集光生载流子的。正偏，正、负光生载流子（之前分开的电子-空穴对）会在正偏电场的（压迫）作用下相遇而湮灭。

3、定义不同、应用不同。定义不同，正偏离是指向正方向偏离。负偏离是指向负方向偏离。应用不同，介绍向负方向偏离就用负偏离。介绍向正方向偏离就用正偏离。

4、从图中可知，硅光电池负载为零时，短路电流在相当大的范围由与光照度成线性关系；而开路电压与光照度的关系，显非线性。因此，由实验知，负载电阻愈小，光电流与照度之间线性关系愈好。且线性范围宽。

5、正负电源可以使信号直流电平是零，用以去除耦合电容，增加信号保真度。

变容二极管是什么意思,变容二极管是什么意思

变容二极管的解释 又称“可变电抗二极管”。 利用 pn结结电容随反偏压增大而减小的特性制成的半导体二极管。材料多为硅或砷化镓。

变容二极管在电路中主要作用是可变电容器。变容二极管介绍：变容二极管(Varactor Diodes)又称可变电抗二极管，是利用PN结反偏时结电容大小随外加电压而变化的特性制成的。

变容二极管原理变容二极管（VaractorDiode）是一种电子器件，它具有可变电容值的特点。在电压变化时，它的电容值也会随之变化。变容二极管通常用于频率调谐和振荡电路中。变容二极管由一个p-n结和一个可变电容组成。

变容二极管(Varactor Diodes)又称可变电抗二极管，是利用pN结反偏时结电容大小随外加电压而变化的特性制成的。

变容二极管的工作原理变容二极管（VaractorDiode）是一种具有可变电容的二极管。工作原理是在PN结上设置一个可变电容，当调节电压变化时，变容二极管的电容值也会发生变化。这种变化可以用来调节电子电路中的频率或者阻抗。

光纤传输实验中光电二极管在工作时处于零偏还是负偏

光电二极管在工作时处于反偏状态。半导体材料在获得能量时，电子-空穴对的数量会增多——本征激发，因此说半导体具有热敏性和光敏性。PN结的正（或反）向电流是由多（或少）子运动形成的。

你可以看一下光电二极管的伏安特性曲线图，在正向工作时，工作状态类似普通二极管，具有单向导电性，外加正向电压时，电流与端电压成指数关系。

光电二极管可以工作在这两个模式中的一个： 光导模式(反向偏置)或光伏模式(零偏置)。 工作模式的选择根据应用中速度和可接受暗电流大小(漏电流)而定。 光导模式 处于光导模式时，有一个外加的偏压，这是我们DET系列探测器的基础。

工作状态：在反向电压作用下工作的，没有光照时，反向电流极其微弱；有光照时，反向电流迅速速增大到几十微安。

在检测光照或光强的时候，这个二极管在电路中是反接的，处于截止状态的，有光照的时候，会产生电流，在没有光照时候，近乎可以认为是没有电流的。

大家知道，普通二极管在反向电压作用在处于截止状态，只能流过微弱的反向电流，光电二极管在设计和制作时尽量使PN结的面积相对较大，以便接收入射光。

TVS二极管的主要电参数是什么?

TVS（Transient Voltage Suppression）是一种限压保护器件，是利用器件的非线性特性将过电压钳位到一个较低的电压值实现对后级电路的保护。TVS管的主要参数有：反向击穿电压、最大钳位电压、瞬间功率、结电容、响应时间等。

TVS瞬态抑制二极管是一种限压型的过压保护器，它将过高的电压钳制至一个安全范围，藉以保护后面的电路，有着比其它保护元件更快的反应时间，这使TVS可用在防护lighting、switching、ESD等快速破坏性瞬态电压。

TVS二极管的主要参数有：反向转折电压、击穿电压、峰值脉冲电流、箝位电压、脉冲峰值功率、结电容等。断态电压---称呼应该是反向关断电压，专业称为反向转折电压，也可说是可承受的反向电压。

特性参数 TVS 的电路符号与普通稳压二极管相同。它的正向特性与普通二极管相同；反向特性为典型的PN 结雪崩器件。参数 ①最大反向漏电流ID和额定反向关断电压VWM。

TVS（Transient Voltage Suppressors）二极管，是在齐纳二极管工艺基础上发明的一种新型高效电路保护元器件，亦称TVS管、瞬态电压抑制二极管、瞬变抑制二极管、瞬态电压抑制器、雪崩击穿二极管等，有单向和双向之分。

关键词：一般二极管 开关二极管 二极管零偏 整流二极管 光电二极管 二极管使用 高速开关二极管 硅二极管 电容

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