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半导体光电器件环评公示（半导体光电器件就业前景）

发布时间：2023-08-23
阅读量：29

本文目录一览：

电子厂来料加工厂要做环评吗?

要看你的电子来料加工是加工什么，怎么加工。一个项目需要不需要环评，以及环评是报告书还是报告表是根据国家环保部的《建设项目环境影响评价分类管理名录》所规定的来的。

是需要做环评报告的。环评报告书：全称环境影响评估报告书。是由环境保护部门对某些重大建设项目一旦实施后对该区域周边环境可能产生的影响的预见性评定。（不是所有的企业认证工作都需要环评报告书）。

现在只要是成立企业，有营业执照，经营范围出现加工，生产等字样的都必须作环境评估。

法律分析：是需要做环评报告的。 环评报告书： 全称环境影响评估报告书。是由环境保护部门对某些重大建设项目一旦实施后对该区域周边环境可能产生的影响的预见性评定。

法律分析：制造企业不一定要做环评。环境影响评价是指，对规划和建设项目实施后，可能造成的环境影响进行分析、预测和评估，提出预防或者减轻不良环境影响的对策和措施，进行跟踪监测的方法与制度。

光电效应极限频率和截止频率

产生光电效应，所需照射光的最低频率叫做红限频率（即截止频率）。光电效应是物理学中一个重要而神奇的现象。在高于某特定频率的电磁波照射下，某些物质内部的电子会被光子激发出来而形成电流，即光生电。

截止频率是指一个系统的输出信号能量开始大幅下降（在带阻滤波器中为大幅上升）的边界频率。能使其发生光电效应的光子的最小频率为该金属的极限频率。

这一频率 v0 称为截止频率，也称红限频率，极限频率。截止频率与阴极材料有关，不同的金属材料的 v0 一般不同。如果入射光的频率 v 小于截止频率 v0，那么，无论入射光的光强多大，都不能产生光电效应。

．每一种金属在产生光电效应是都存在一极限频率（或称截止频率）。当入射光的频率低于极限频率时，无论多强的光都无法使电子逸出。2．光电效应中产生的光电子的速度与光的频率有关，而与光强无关。

hv光＝（mVm^2 / 2）＋W　，式中 v光是光频率，W是材料逸出功，Vm是光电子最大初速度。

光电探测器件和半导体器件关系是什么

1、光电检测器件基本上就是pn结二极管（Si、Ge、pin结光电二极管）。其频率响应主要决定于pn结势垒电容（电容越大，响应速度就越慢）；这与半导体的掺杂浓度有关，也与pn结面积有关。

2、半导体公司的产品多是基础元件如晶体管（计算机中最基础的组件），以此延伸的终端则涉及各个领域，通讯、科研、计算机、航天等都有。半导体另一种产品就是太阳能电池板，用于新能源的开发。

3、激光器是发光元件，用来做信号源或其他用途；探测器是收光元件用来接受或检测信号。相同点是都是半导体器件。

4、半导体器件(semiconductor device)通常，利用不同的半导体材料、采用不同的工艺和几何结构，已研制出种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极体，晶体二极体的频率覆盖范围可从低频、高频、微波、毫米波、红外直至光波。

光藕817C的光敏三极管两脚并一个电阻起什么作用?

c是光耦，对输入、输出电信号起隔离作用，光耦合器一般由三部分组成：光的发射、光的接收及信号放大。

反馈是为了让电路的负载工作在恒流和稳压状态，若没有反馈，电路会根据开关的频率而输出很高电压v，而如果我需要输出小于v，则反馈电路能起到此作用。第二个问题1楼已经回答了。

一，退耦电容，三极管是输出端，要外接电源，一般用10UF和0.1uF电容并联，起退耦作用，也就是对电源滤波作用，避免电源和光耦之间相互干扰。二，对光耦的反馈有一定的延时作用。延时长短与电容的容量有关。

光耦(全称：光电耦合器)的主要作用就是隔离作用，如信号隔离或光电的隔离。隔离能起到保护的作用，如一边是微处理器控制电路，另一边是高电压执行端，如市电启动的电机，电灯等等，就可以用光耦隔离开。

以光为媒介把输入端信号耦合到输出端的光电耦合器，由于它具有体积小、寿命长、无触点，抗干扰能力强，输出和输入之间绝缘，单向传输信号等优点，在数字电路上获得广泛的应用。

直接半导体和非直接半导体材料的区别

1、两者的区别是：直接带隙的半导体导带上电子是由价带受激发直接跃迁导致的，而间接带隙的半导体导带上的电子是由价带受激发跃迁至导带后还要有个弛豫的过程才能到导带底。

2、直接带隙半导体材料就是导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中同一位置。电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴（形成半满能带）只需要吸收能量。

3、简单的说直接带隙半导体就是导带最低点和价带最高点在k空间处于同一点的半导体，间接带隙半导体就是它们不处于同一点的半导体。

4、此外，还有非晶态和液态半导体材料，这类半导体与晶态半导体的最大区别是不具有严格周期性排列的晶体结构。制备不同的半导体器件对半导体材料有不同的形态要求，包括单晶的切片、磨片、抛光片、薄膜等。

5、属于直接半导体。直接带隙半导体材料就是导带最小值和满带最大值在k空间中同一位置。电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴只需要吸收能量。间接带隙半导体材料导带最小值和满带最大值在k空间中不同位置。

半导体的特性

热敏特性 半导体的电阻率随温度变化会发生明显地改变。例如纯锗，湿度每升高10度，它的电阻率就要减小到原来的1／2。温度的细微变化，能从半导体电阻率的明显变化上反映出来。

半导体主要有三个特性，即光敏特性.热敏特性和掺杂特性。所谓光敏特性是指某些半导体受到强烈光芒照射时，其导电性能大大增强；光芒移开后，其导电性能大大减弱。

半导体的四个特性：电阻率的负温度特性、光照导电效应、光伏现象、整流效应。1833年，法拉第发现了硫化银的电阻随着温度的变化而显现出的特性与一般金属不同。

关键词：光敏三极管 一个电阻 电阻 光电器件 半导体光电器件

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