mos管选型主要参数（mos管基本参数）

发布时间：2023-08-23

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本文目录一览：

1、N沟道耗尽型MOS管工作在恒流区时,g极与d极之间的电...
2、锂电池保护板上MOS管用什么规格参数的?
3、选择mos管需要考虑那些参数?
4、一般功率mos管的导通电流参数如何选择?
5、MOS管主要参数及使用注意事项
6、常用大功率MOS管/MOS模块有哪些型号规格参数?

N沟道耗尽型MOS管工作在恒流区时,g极与d极之间的电...

主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中。因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。

G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。

n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。

从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似，其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。

它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。

你的不足在于，没有很好地理解MOS管的工作原理N沟道管子，衬底是B，而且是P型半导体，B与源极S连在一起。

锂电池保护板上MOS管用什么规格参数的?

1、V4400mAh。空调服锂电池保护板主要有IC，MOS管，电容，电阻，PTC，NTC，ID，PUSE等等组成的，型号参数是4V4400mAh。容量可定制。“锂电池”，是一类由锂金属或锂合金为负极材料、使用非水电解质溶液的电池。

2、而MOS管在锂电池保护板上使用2pcs作为充放电保护，而在实际的工作中，根据不同的应用，会使用多个功率MOS管并联工作，以减小导通电阻，增强散热性能。

3、A。4个mos并联是一组，aod4185规格书上id电流是40A。电池保护板，顾名思义锂电池保护板主要是针对可充电（一般指锂电池）起保护作用的集成电路板。

4、锂电池保护板电流是由保护IC检测电压和MOS管内阻决定的，如果保护IC无法更改，可以改MOS管，比如DW01与8205MOS，用一颗MOS管是2~5A，用两颗MOS管并联电流就会增加一倍。现在的大容量移动电源有的用3~4颗MOS管并联。

5、可以，前提是电路板上有空的焊点，通常20a这样小电流，都有二个以上空焊点，找同样功率场效应管，周围辅助电阻电容，就能够提升输出电流。

mos管选型主要参数（mos管基本参数）

选择mos管需要考虑那些参数?

这个主要是看你用在什么上面，然后根据你的应用选择参数。一般来说，考虑的参数是Vds，Ids以及Rds这三个，还有有的会考虑Ciss这个参数的，希望能帮到你。

选用合适的输入电压规格；选择合适的功率。为了使电源的寿命增长，建议选用多30%输出功率额定的机种。例如若系统需要一个100W的电源，则建议挑选大于130W输出功率额定的机种，以此类推可有效提升电源的寿命。

开启电压VT·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。

，根据输出功率以及输入最小电压可以求出Ipft，一般mos的导通压降不大于最小Vdc的2%，所以可以推出其Rds。又由于Rds和温度有关，依据Rds选择是注意其余温度的关系。2，还有一种方法就是给定一个温差，然推出Rds。

一般功率mos管的导通电流参数如何选择?

1、MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。该额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流。与电压情况类似，即使系统产生尖峰电流，也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流。考虑的两个当前条件是连续模式和脉冲尖峰。

2、Vds一般选用600V或者800V，Rds尽量小点的话效率会高点，还有就是承受电流的能力。别人10n60就是10A/600V的mos管。还有就是厂家，比如FairChild、SHIP等啊，差别蛮大的。

3、，根据输出功率以及输入最小电压可以求出Ipft，一般mos的导通压降不大于最小Vdc的2%，所以可以推出其Rds。又由于Rds和温度有关，依据Rds选择是注意其余温度的关系。2，还有一种方法就是给定一个温差，然推出Rds。

4、MOS开关管损失不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。

MOS管主要参数及使用注意事项

由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层，因此它仍属于绝缘栅型MOS场效应管。国内生产VMOS场效应管的主要厂家有877厂、天津半导体器件四厂、杭州电子管厂等，典型产品有VN40VN67VMPT2等。表1列出六种VMOS管的主要参数。

类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管，沟道类型：N型沟道，导电方式：增强型，适合频率：中频。ID中并不包含开关损耗，并且实际使用时保持管表面温度在25℃（Tcase）也很难。

还要说明的是，温度也是MOS管一个非常重要的性能参数。主要包括环境温度、管壳温度、贮成温度等。由于CPU频率的提高，MOS管需要承受的电流也随着增强，提供近百A的电流已经很常见了。

常用大功率MOS管/MOS模块有哪些型号规格参数?

1、这些大功率的进口的比较多，台湾也有几个品牌。这个有20A，29A，30A，33A，34A，38A，45A，600V47A MOS管，50A，55A，60A。海飞乐技术封装这些MOS。

2、海飞乐技术有很多规格参数：20V、30V、40V、50V、60V、80V、100V、200V、500V、600V。封装有：TO-220，TO-247，TO-3P，SOT-227。台湾工研院技术支持。

3、A，45A，47A，60V55A，61A，62A，69A，90A，105A，60V120A，132A，140A，152A，161A，198A，60V230A，250A，340A，380A，封装有：TO-220，TO-247，TO-252，TO-262，SO8，DFN5*6，DFN3*3，SOT-227。

4、这是N沟道功率型场效应管，重要参数：源漏极电压：75V 漏极电流：80A 导通电阻：RDS(ON)=8m (typ.) @ VGS=10V MOS管的种类很多，电压区分，电流区分，功率区分。特性：耐压，过电流，最大功率，内阻。

5、V）， 600V/50A的MOS管，600V/55A的MOS管（650V），600V/60A的MOS，600V/64A，600V/66A，600V70A，600V/72A（650V）的MOS管，600V/80A，600V/82A，600V/90A，600V/100A，600V/110A的MOS模块。

关键词：IC芯片导通电阻电阻 mos管电容

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