单向可控硅的测量方法（单向可控硅怎么测量）

发布时间：2023-08-23

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高精度激光位移传感器zlds/n-100是一款非接触式高精度光学位移传感器，具有100微米的量程和15纳米的分辨率，起始测量距离是3mm。zlds/n-100可以相当于一个高分辨率的电容传感器。

主要有激光类型的，电涡流的，电容的，都属于高精度位移传感器。真尚有公司专业做非接触式测位移传感器，在这一行业积累了比较多的经验。请采纳。

optoNCDT系列激光三角反射式位移传感器以其极高的测量精度享誉世界激光位移传感器凭借直径微小的测量光斑，可从较远距离对被测物体进行测量，并适用于结构小巧的零部件的精确测量。

直杆式位移传感器。如美国schaevitz品牌弹簧回弹式LVDT位移测量传感器，如美国Schaevitz品牌和英国LD品牌拉线位移传感器，如美国firstmark品牌光栅尺如上为接触式位移传感器。非接触式位移传感器。

1、单向可控硅测量好坏方法如下：万用表选电阻R*1Q挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑表笔的引脚为控制极G，红表笔的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。

2、单向可控硅测量好坏方法：用万用表测可控硅的好坏。做法：用电阻“x1k”档，正、反向测量“A”、“K”之间的电阻值，均接近无穷大；用电阻x10Ω档测量G、K之间的电阻，从十几欧姆至百欧姆，功率越大欧姆值越小。

3、用万用表来测试单向可控硅。单向可控硅的测试包括两个方面：一是极性的判定；二是触发特性的测试。可控硅极性的判定单向可控硅是由三个PN结的半导体材料构成，其基本结构、符号及等效电路如图所示。

4、单、双向可控硅旳判别：先任测两个极，若正、反测指针均不动（R×1挡），可能是A、K或G、A极（对单向可控硅）也可能是TT1或TG极（对双向可控硅）。

5、电阻值越大，表明正反向漏电电流愈小。如果测得的阻值很低，或近于无穷大，说明可控硅已经击穿短路或已经开路，此可控硅不能使用了。用R×1k或R×10k挡测阳极和控制极之间的电阻，正反向测量阻值均应几百千欧以上。

单向可控硅用万用表测量好坏用电阻x1k档，正、反向测量A、K之间的电阻值，均接近无穷大；用电阻x10Ω档测量G、K之间的电阻，从十几欧姆至百欧姆，功率越大欧姆值越小。正、反向电阻值相等或差异极小。

判断可控硅的好与坏最简单的方法：用万用表判断时先将万用表的两只表笔接可控硅的两个端面，电阻应呈无穷大（表针基本不动），再将表笔反过来亦如此。若这两步测量时电阻很小，则说明该可控已损坏。

可根据判断可控硅控制极（G）与阴极（K或A2）性能的来判断。根据被检测晶闸管的功率大小，将万用表置于合适的电阻档，小功率的选择×10；大功率选择×100。短接两表笔较表，较对万用表指针在“0”的位置。

1、先任测两个极，若正、反测指针均不动（R×1挡），可能是A、K或G、A极（对单向可控硅）也可能是TT1或TG极（对双向可控硅）。若其中有一次测量指示为几十至几百欧，则必为单向可控硅。

2、双向可控硅其G极与T1极是相通的，再根据其双向导通的特性作进一步判别.具体方法如下：用指针万用表R×1Ω档测三引脚间阻值，与其余两脚均不通（正反阻值达几百KΩ以上）的为T2极。

3、如阳极A接黑表笔，阴极K接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。双向可控硅的检测。用万用表电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。

4、单、双向可控硅的判别：先任测两个极，若正、反测指针均不动（r×1挡），可能是a、k或g、a极（对单向可控硅）也可能是tt1或tg极（对双向可控硅）。

单向可控硅的测量方法（单向可控硅怎么测量）