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mos管电流走向（mos管的电流电压特性）

发布时间：2023-08-23
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MOS管,导通时是单向导通还是双向导通?导通方向是怎样的?

1、在不考虑体电阻的情况下，只要栅源电压大于开启电压，MOSFET是可以双向导通的，此时MOSFET表现出来的就是一个压控电阻特性，不过两个方向的电阻特性并不完全一致。

2、结型场效应管，可以。但因为有寄生二极管存在，对MOS二极管导通了。

3、就是处于导通，而且基本和打开之后的正偏一样的导通。由于这个特性，比如mos管需要体二极管来进行反偏续流的时候，可以通过一些手段同时把mos管打开，这样做会使导通压降会小很多，达到减少mos管发热量的目的。

4、导通：Vg大于Vs 5V以上时，MOS管的D极和S极之间双向导通。截止：Vg小于等于Vs时，MOS管的D极和S极之间截止。导通：Vg小于Vs 5V以下时，MOS管的D极和S极之间双向导通。

MOS管的源极,漏极,栅极是不是联通的,电流是什么走向?

MOS管三个极，分别是栅极（G）源极（S）和漏极（D）。MOS器件是电压控制型器件，用栅极电压来控制源漏的导通情况。MOS管和三极管截止区：NMOS管的如果栅压小于阈值电压，MOS管相当于两个背靠背的二极管，不导通。

电流流向不同。把两边的P区引出电极并连在一起称为栅极G。如果在漏、源极间加上正向电压，N区中的多子（也就是电子）可以导电。它们从源极S出发，流向漏极D。作用不同。电流方向由D指向S，称为漏极电流ID．。

注意源极漏极不是指电流的方向，源极Source是指载流子的起点；漏极Drain是指载流子的终点。在NMOS中，载流子是电子，电子从S源极出发流向其终点D漏极。电子从S流到D，电流就是从D流到S了。

因此，为了让mos管正常工作，必须保证该寄生二极管处于反偏。具体来说，对于nmos，寄生二极管方向是从源到漏，因此电路上电流应该从漏到源，即漏极电位高于源极才能正常工作；而pmos则相反。

或电源)、衬底→高电平(或电源)。MOS管有用的管脚就是三个：源极、漏极、栅极。多余的管脚或者是同名管脚（在内部和漏极、栅极相连，特别是有些大功率管），或者是空脚（没有内部连接，只起焊接固定作用）。

栅极可以被认为是控制一个物理栅的开关。这个栅极可以通过制造或者消除源极和漏极之间的沟道，从而允许或者阻碍电子流过。如果受一个外加的电压影响，电子流将从源极流向漏极。

P沟道MOSFET电流方向是Drain到Source还是反过来

1、场效应管的电流是漏源电流。可以从漏极流向源极，也可以反过来。场效应管是依靠电场效应来控制漏源电流的。用电压产生的电场来控制导电沟道的宽度，来控制电流。

2、如果是按电学的电流方向，从正极出发的理论，要把上边说的倒过来，即N沟道是从D流向S，P沟道是从S流向D。

3、G：gate栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。

4、栅极控制源极和漏极间的电流，MOS导通后源和漏之间形成沟道，电流可以在沟道中流动，n管是漏流向源，p管相反。而MOS栅极一端是多晶硅，绝缘的，没电流，只是控制沟道电流的大小，就像水龙头一样。

nMOS晶体管导通时,为什么电流是从源极流到漏极,而不是漏极流到源极...

1、所以，在NMOS管正常工作时，多子(电子)应该是从源极到漏极(而不能反过来)，对应的电流就是从漏极到源极，此时对应的电压就应该是 0。这是从源漏极字面的意思理解。(2)从第二个角度来理解。

2、具体来说，对于nmos，寄生二极管方向是从源到漏，因此电路上电流应该从漏到源，即漏极电位高于源极才能正常工作；而pmos则相反。

3、电流流向不同。把两边的P区引出电极并连在一起称为栅极G。如果在漏、源极间加上正向电压，N区中的多子（也就是电子）可以导电。它们从源极S出发，流向漏极D。作用不同。电流方向由D指向S，称为漏极电流ID．。

4、电流就是从D流到S了。所以NMOS的电流是从漏极D流向源极S。而PMOS正相反，因为PMOS的载流子空穴的方向就是电流的方向，所以PMOS的电流是从源极S流向漏极D。不要被电流方向弄傻了，注意载流子的方向即可。

5、电场会引起氧化层下方的半导体中的电子或空穴流动。 发生这种情况时，沟道中的电子或空穴数目增加，从而形成一个导电通道。当MOSFET处于导通状态时，电流可以从源极流经沟道，然后流向漏极。

比如说N沟道增强型MOS管,电流从漏极到源极,是不是电流只经过沟道而不...

nMOS晶体管导通是通过沟道里面的电子产生电流的，一般NMOS的源极接衬底，共同接到地，漏极到源极加上正电压，电子从源极向漏极流动，我们取电流的方向和电子流动的方向相反，所以电流是漏极流到源极。

对于需要较大输出电流的电路，可以使用n沟道增强型MOS管来满足需要。

MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。

栅极控制源极和漏极间的电流，MOS导通后源和漏之间形成沟道，电流可以在沟道中流动，n管是漏流向源，p管相反。而MOS栅极一端是多晶硅，绝缘的，没电流，只是控制沟道电流的大小，就像水龙头一样。

关键词：三极管截止 电阻 少mos管 寄生二极管 二极管导通 二极管方向 压控电阻 体电阻 减少mos管发热 二极管处于 电阻的 mos管

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