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大电流低内阻mos管（超大电流mos管）

发布时间：2023-08-24
阅读量：32

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求找一个低压大电流mos管

1、这些大功率的进口的比较多，台湾也有几个品牌。这个有20A，29A，30A，33A，34A，38A，45A，600V47A MOS管，50A，55A，60A。海飞乐技术封装这些MOS。

2、ASEMI低压MOS管SI2302的参数为：最大电压为30V，最大电流为4A，Rds（on）为0.14Ω，漏极极容为7nF，能耗为8W，最大功耗为5W。

3、可以用这个型号的MOS管：WPM2341-3/TR N沟道的，封装小巧，用在600mA电流的场景够用又有一定的余量，比较合适。

4、BSP75N VIgs(th）=8V 再小的话非常容易误动作。你那个图，M不是mos，2V/600mA应该是描述额定工作状态，跟MOS管的VGS没关系的，再说，你图上Q4是个三极管。

5、现在来说MOS管分为几大系列：美系、日系、韩系、台系、国产。

6、找不到最大电流60A的，瞬时脉冲电流可以超过60A，但是连续电流最大只有50A的，导通内阻也没有那么小的。MTP50P03和MTB50P03，最大连续电流50A，瞬时脉冲电流150A，开启电压典型值5V，最大值2V，导通电阻20mΩ。

谁能帮我推荐几个低内阻的mos管?谢谢

华硕从P55开始喜欢用NXP的MOS管。之前喜欢用NIKOsemi。微星从P45开始喜欢在高端主板上用Renesas的DrMOS，有时也用ONsemi。技嘉从P35开始用NECEL的MOS，NECEL被收购后换了ONsemi。低端板子也是NIKOsemi的天下。

IRF3205导通内阻小很多（约8毫欧），可以降低损耗，但耐压比540低（3205 60V；540 100V)如果耐压满足的话就选3205。 频率最大可到100K，一般选50K较合适。

说实话英飞凌MOS管这些都是庞然大物，以高功率MOSFET为例，英飞凌、安森美、意法半导体均已推出先进的屏蔽栅功率和超结功率MOSFET，而国内有能力量产的厂商寥寥无几，且可靠性与适用性离一流厂商仍有差距。

耗尽型N沟道的MOS管有：BSP149，BSP135，BSS229等高耐压的　英飞凌品牌的。

mos管内阻大小由什么控制

1、MOS管的主要作用是放大电信号，用于电子设备中的开关控制、电源管理、数据传输等方面。MOS管的原理是基于PN结的反向偏置效应，即当PN结处于反向偏置状态时，其电阻非常大，电流几乎为零。

2、漏电阻值则取决于MOS管的工作状态和工作电压。在导通状态下，MOS管的漏电阻值很小，可以近似看作短路；而在截止状态下，MOS管的漏电阻值很大，可以近似看作开路。因此，当MOS管工作在截止状态下时，其输入电阻很高。

3、以N型MOS管四端器件为例：NMOS管四端分别是D、G、S、B，即漏(Drain)、栅(Gate)、源(Source)以及体(Body)端。MOS管是电压控制电流器件（区别于Bipolar的电流控制电流器件特性）。

求P沟道MOS管,最大开启电压小于2V,导通内阻小于5mΩ,最大电流60A...

MOSFET开关的总功率可以用以下公式表示：Psw =（Eon Eoff）×开关频率。栅极电荷（Qgd）对开关性能的影响最大。

一般2V～4V就可以了。P沟道mos管作为开关，栅源的阀值为-0.4V，当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通，如果S为8V，G为8V，那么GS=-1V，mos管导通，D为8V。

P沟道增强型：当UgsUgs(th)时，开启。这个Ugs(th)是一个负数值，最常见的是在-4V ~ -2V之间。N沟道增强型：当UgsUgs(th)时，开启。这个Ugs(th)是一个正数值，最常见的是在2V ~ 4V之间。

mos管温度和电池温度

彦阳保护板放电mos温度多少？放电温度：-40~+55℃。

温度可达到100℃左右，一般高负载下不超过110℃均视为正常范畴。如有必要，可适当调高风扇转速。硬盘：一般情况下30-60℃左右，硬盘经常是机箱里温度最低或第二低的硬件。如果超过70℃则可以考虑加装机箱风扇。

摄氏度。mos管封主要有2种，一种是双列直插塑封，另一种为双列直插陶瓷封装，mos管封装塑料的表面温度最高为70度摄氏度。mos管，全称金属氧化物半导体场效应管，结构分为源极、漏极、栅极三部分。

a09t与A2SHB区别

①、这Sⅰ 2301，属于P沟道场效应管，丝印：A1SHB 封装S0T23此管参数如下：/耐压：20V// /电流：3A//。

丝印A2SHB是PL2302场效应管，但A09T是三极管MOS。对比三极管，场效应管的优点是电流消耗相对少，导通速度快，只要加上电压，就导通，比三极管通过形成电流导通的方式快。缺点是容易被静电击穿。

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