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看你电路要求,选择高频低频或中频的管子。1A电流的管子不算大,常用大功率管比如3DD15D NPN 12 电源开关 300V5A50W 和3DD102C NPN 12 电源开关 300V5A50W等大功率管都算行的。
S901S9014 和 S9015 是三极管的型号。它们之间的区别如下: 功能用途:S9013 是 NPN 型三极管,主要用于低功耗放大和开关电路。S9014 是 PNP 型三极管,也用于类似的低功耗放大和开关电路。
L为负载,R为限流电阻,必要时也可在L上串联一个限流电阻。一般说来TO封装的三极管可耐1A的电流,比如TIP系列的。
那当然是使用射级输出器的电流放大效果最好了。具体的应用中,使用射级输出电路,然后再按照你的需要选择允许电流足够、β值较大的三极管。如果单只的电流放大倍数不够,则可以使用复合管。
法则之二:确定MOS管的额定电流 该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似,确保所选的MOS管能承受这个额定电流,即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。
但是具体是由你的应用电路、客户需求以及产品的可靠性要求决定。比如,7V的锂电平台,MOS有用12V的,也有用24V的。36V或48V的平台,都有选用75V的MOS。220V的交流,一般选600V或900V的MOS。
如果单片机输出PWM信号,找到合适的驱动管,直接用单片机控制驱动管就可以。DIY的话,建议用废旧硬盘上驱动主轴电机的MOS管,正合适;或者用旧电脑主板、旧显卡上的电源管。
最大过电流能力 三极管有ICM参数,即集电极的过电流能力,MOS管的过电流能力用ID来表示。电流工作时流过三极管/MOS管的电流不能超过规定值,否则器件被烧坏。从工作稳定性考虑,一般要留有30%-50%,甚至更多的余量。
很多马达驱动器都集成了电荷泵,要注意的是应该选择合适的外接电容,以得到足够的短路电流去驱动MOS管。上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压,设计时当然需要有一定的余量。而且电压越高,导通速度越快,导通电阻也越小。
漏极-源极耐压Vdss,一般Vdss值大于MOS管的D极最大尖峰10%以上为安全值,D极最大尖峰电压指的是在AC264V输入时测试。
首先,确定降压电路的最大输入电压,MOS管的耐压,需大于等于3倍以上输入电压,确保MOS管不会被击穿。然后,再确定输出电流大小,根据电流大小,尽可能选择低内阻MOS管,这意味着其允许输出电流越大,发热越小。
Vds一般选用600V或者800V,Rds尽量小点的话效率会高点,还有就是承受电流的能力。别人10n60就是10A/600V的mos管。还有就是厂家,比如FairChild、SHIP等啊,差别蛮大的。
这个主要是看你用在什么上面,然后根据你的应用选择参数。一般来说,考虑的参数是Vds,Ids以及Rds这三个,还有有的会考虑Ciss这个参数的,希望能帮到你。
1、输入电流不等于MOS管的工作电流。2平均电流不等于峰值电流。
2、V/150A、100V/120A、85V/210A 、80V/250A、200V/40A、100V/250A、60V/300A、40V/300A、-100V/60A、60V/80A、60V/120A 、60V/100A、40V/120A 、100V/15A 海飞乐MOS管。
3、因为你没有说明电压要求。NMOS:IRFR1H60,IRFR1N60A, IRFU1N60A, SiHFR1N60A, SiHFU1N60A 都是 1A 。
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