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1、(1)按关断、导通及控制方式分类：可控硅按其关断、导通及控制方式可分为普通可控硅、双向可控硅、逆导可控硅、门极关断可控硅(GTO)，BTG可控硅、温控可控硅和光控可控硅等多种。
2、晶闸管模块也叫可控硅模块，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中，多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。
3、可控硅模块通常被称之为功率半导体模块。最早是在1970年将模块原理引入电力电子技术领域，是采用模块封装形式，具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。
4、可控硅模块质量好的公司有北京瑞田达技贸有限责任公司。
1、可控硅模块通常被称之为功率半导体模块(semiconductor module)。最早是在1970年由西门康公司率先将模块原理引入电力电子技术领域，是采用模块封装形式，具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。
2、传统意义上的整流桥是完全由二极管组成的，整流后的直流电压是固定值。
3、可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成，当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。
可控硅模块质量好的公司有北京瑞田达技贸有限责任公司。
晶闸管模块也叫可控硅模块，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中，多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。
可控硅模块通常被称之为功率半导体模块(semiconductor module)。最早是在1970年由西门康公司率先将模块原理引入电力电子技术领域，是采用模块封装形式，具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。
MTC可控硅模块是普通可控硅模块，IGBT是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT也称可关断可控硅。
IGBT是一种全控型电压驱动半导体开关，开通和关断可控制；可控硅需要电流脉冲驱动开通，一旦开通，通过门极无法关断，需要主电路电流关断或很小才能关断。具体可以查看有关书籍或在网上搜索。
两者不同。。可控硅是个稳压元件 你提供的电流大小可控硅的导通程度不一样，简单的说可以调大调小所以说是可控。
可控硅、GTO是电流触发，其中可控硅触发导通后要等到电流过0时才关断；GTO称之为可关断可控硅，可以在有电流时关断。
由于它导通后会像三极管一样有ce电压。所以不适合用于低电压电路，相对来说开关损耗会变大。可控硅了解不多，它只能是导通和截止，不像mos和igbt会有放大状态。价格应该可控硅最贵，igbt次之，mosfet最便宜。
组装材料与用途不同。MTC模块采用进口SKKT晶闸管模块组装而成，用于可控整流、逆变、调压、无触点开关等方面。MTC模块采用整流管及混合模块组装而成，用于感应加热、斩波器等方面。可控硅模块通常被称之为功率半导体模块。
1、可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成，当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。
2、简单， 三相闭环可控硅调压器，采用移相触发控制方式，输出电压、电流或功率连续可调，具有恒电压、恒电流或恒功率的特性。现以调压器的“恒电压控制特性”来介绍其控制原理。
3、可控硅，是一种可触发关断的器件，他有很多种有双向的，单向的。一般的整流桥，是由二极管构成的它只管把交流变成直流，在波线上也不完全是直的，还需要电容来淤波。
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