三极管的反向击穿电压（二极管的反向击穿电压是多少）

发布时间：2023-08-24

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本文目录一览：

1、三极管BE结反向击穿对三极管有何影响
2、N沟道耗尽型MOS管工作在恒流区时,g极与d极之间的电...
3、三极管的击穿电压Vebo,是指加上发射极与基极上的击穿电压,请问这个电压...
4、三极管的反向击穿电压

三极管BE结反向击穿对三极管有何影响

1、三极管BE结反向击穿，该三极管已报废，不存在HEF，唯有bc结可作为二极管用，具体参数视该管原参数定，如原是大功率管，此时可作整流用，电流与之前相同。

2、多次软击穿就能造成硬击穿，使电子装备运行不正常。

3、) V(BR)CBO e极开路，c-b结的反向击穿电压。此时流经c-b极的是ICBO。当反向电压VCB增至一定程度时，ICBO急剧增大，最后导致击穿。(2) V(BR)CEO--b极开c-e极之间的反向击穿电压。

4、NPN管的基极接负电压能使三极管可靠地截止，只要接负压的限流电阻足够大（100K就够了），不用担心烧三极管。

5、电压过高、电流过大都会令其损坏。在课堂上了解到，其实三极管被击穿还不至于到损坏，但其击穿后功率过高，过高会令三极管烧坏。

6、三极管中有两个不同半导体材料结合部形成的PN结，正常工作电压下，发射结工作在正向偏置，集电结工作在反向偏置，当集电结上的反向电压超过其能够承受的反向电压时，该电压就会将集电结形成的电子阻档层击穿，导致三极管损坏。

N沟道耗尽型MOS管工作在恒流区时,g极与d极之间的电...

从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似，其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。

主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中。因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。

G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。

它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。

n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。

三极管的击穿电压Vebo,是指加上发射极与基极上的击穿电压,请问这个电压...

加在集电极c和发射极e之间使三极管发生反向击穿的电压叫Uceo，加在集电极c和基极b之间使三极管发生反向击穿的电压叫Ucbo，加在发射极e和基极b之间使三极管发生反向击穿的电压叫Uebo。

发射极-基极电压的意思是：为使三极管正常工作，三极管发射极与基极之间要加正向偏置电压，约0.7伏（硅管）。也就是说三极管在电路中发射极、基极之间是客观存在电压的。有时发射极与基极之间也会有反向电压存在。

Vebo：通常三极管用于放大作用，发射结是正偏的，但有时三极管会工作在开关状态，发射结就要反偏，所以要考虑，发射结反向击穿电压，一般小功率的管子的Vebo能在几个V左右。

三极管的参数中，有三个“击穿电压”，不同型号的管子的数值不同：BVceo：B极开路，C-E极反向击穿电压”。俗称的“耐压”特指它。常用管约20V~2000V。BVcbo ： E极开路，C-B极反向击穿电压。BVcbo比BVceo略大。

三极管的C-E电压，指的是电路中这两个电极间的电压值，参数表里提供的是最大值，超了就损坏的值。VC VB VE的电压值跟三极管的工作状态有关，参数表里只提供额定或者极限电压值，只要不超过这个值管子就不会损坏。

S8550是PNP管，参数：VCBO -40 V VCEO -25 V VEBO -6 V IC -5 A PC 1 W fT 200MHz 发射极集电极间击穿电压为--40V以上，基极和发射极间电压需大于—0.6V C--E才能通。