mos管并二极管（mos的二极管连接方式）

发布时间：2023-08-25

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1、这个二极管是MOSFET内部的等效电路。从这个结构上可以看出来源极和漏极之间存在一个PN结，而二极管本身就是有一个PN结形成的，所以这个结构就等效于在源极和漏极之间并联了一个二极管。

2、MOS管有电容效应，栅极串电阻是调节RC常数，控制管的开通延时，电阻上并联二极管，是为了及时让栅极的电荷释放掉，是管子正常关闭，这种二极管要用快恢复二极管。

3、由于MOS管工作频率比较高，所以它的寄生二极管工作频率也要高，就是说它的反向恢复时间很短（Trr)，所以也就相当于一个快恢复二极管了。

4、这是生产工艺造成的。漏极从硅片底部引出，就会有这个寄生二极管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面结构，漏极引出方向是从硅片的上面也就是与源极等同一方向，没有这个二极管。

5、不是栅-漏吧，应该是漏-源才是。这个是在制造过程中，MOSFET的源极金属板将二次扩散的N+区和P区连在一起，而等效出来的二极管。这个管子的存在对于MOSFET的静态和动态特性都有影响。PS：不是故意加上去的。

1、mos管作为二极管原理MOS管，即金属-氧化物-半导体管，是一种三极管。它由一层金属-氧化物-半导体材料组成的沟道结构。这种结构使得MOS管具有高阻断电压、低漏电流、高电流增益等优点。MOS管主要分为两类：nMOS和pMOS。

2、只要加适当的电压，将MOS导通就可以了。比如N沟MOS管，在GS两个脚加正电压，这时2A电流从S到D流过却可。如果MOS不导通，电流也可以从S到D流过，因为管内有二极管。（MOS管导通后电流可以从D流向S也可以从S流向D。

3、什么是PN结？PN结的正接与反接？P（+）接正极，N（-）接负极为正接，反之为反接。扩散电流才是主流；漂移电流即为反向电流，随温度变化而急剧变化。二极管和PN结关系？二极管由PN结加上引线和管壳组成。

4、你问的应该是，MOS管内部的二极管，反向导通。一般MOS管，衬底由于存在流离的电子、空穴。对D S 都有流向，这个流向可以表示为二极管，即体二极管。然而S和衬底是连在一起的，所以体二极管仅表示衬底对D漏极的二极管。

mos管并二极管（mos的二极管连接方式）

本身的寄生二极管就是防止有瞬间反向电流过大，可从此二极管释放，防止烧掉管子。所以一般承受电流能力可以，并不需要在并联反向二极管保护。

mos管本身自带有寄生二极管，作用是防止vdd过压的情况下，烧坏mos管，因为在过压对mos管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免mos管被烧坏。

不能。1N5408是普通整流二极管，速度比快速恢复二极管慢得多，PN结电容也大得多，在高频信号作用下没有单向导通的效果，等于一支电阻。

MOSFET的反并二极管，是一个普通二极管！且只能当作普通二极管使用。boost电路，一般要选用开关二极管，快恢复型二极管。BOOST电路，使用普通二极管，输入电流肯定要上升一倍多，这是因为普通二极管，反向恢复速度很慢的原因。

那个二极管主要加快MOS的关断速度，不过功率比较小的情况下效果不是太明显。

大功率晶体管或场效应管内部多数都有反向并联二极管，针对于应用的电路不同，有些需要单独并联反向的二极管。例如开关电源中的全桥拓扑电路，mos管上并联反向二极管（超快恢复二极管）。