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1、控制回路的稳定性不好,导致光耦可控硅一直保持打开状态,环路不稳定性是由于电源噪声、干扰或其他电路问题引起的;优化控制回路,确保环路稳定性。
2、通过现象看,触发电路中的移相电路参数有变化,触发脉冲在第二个过零点之前停止了,这样会造成可控硅关不断的故障。
3、满足开通条件后维持电流和正相压降不变,就一直开通啊。或者是击穿了,就一直开通了。
4、是触发二极管DB3前面接的0、1μF电容质量不隹,耐压不足,或通时变大,输出就调不了了,更换耐压高质量好的即可。
可控硅,一种新型的半导体器件,它具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、动作快以及使用方便等优点,目前交流调压器多采用可控硅调压器。
它一般由三极管和四极管组成,其中三极管起到开关的作用,而四极管则是用来控制三极管的开关状态的。可控硅的控制电压原理是通过控制四极管的电压来控制三极管的导通状态。
可控硅元件损坏。长期使用或者质量不好的可控硅容易损坏,导致跑步机无法正常调速。控制电路出现问题。
那是光触发可控硅,不是光偶! 光触发可控硅是用光信号触发, 可控硅被光脉冲触发后,即使光信号已经消失,只要可控硅的T1,T2之间有电压,可控硅就维持在导通状态。
双向可控硅导通后,要想关断有两种方法,两端电压低于阻断电压(你的不可能)电压翻转(不可能),你的电路想法挺简单但不可行,要想实现必须有控制移相网络,使其导通角为0,也就实现了关断。
图2电路是用单向可控硅SCR代替图1中的继电器J,仍可完成图1的锁存器功能,即开关K1闭合时,电路不工作,电珠L不亮。
1、灯闪了一下,说明此时的可控硅是导通的。为什么会导通呢?因为在进行赋值的时候端口没有关闭。自己观察程序。程序中是否存在赋值前端口未关闭的情况。最好是在赋值前先将端口关闭。另外一个问题就是串口中断是随机的。
2、问题可以表现为启动速度慢,闪烁、光照不均匀,或在调整光亮度时出现闪烁。此外,还存在元件间不一致以及LED灯发出不需要的音频噪声等问题。这些负面情况通常是由误触发或过早关断可控硅以及LED电流控制不当等因素共同造成的。
3、如果调光器和LED灯泡的相互影响不稳定,会出现可见闪烁。为了防止闪烁,TRIAC调光器在TRIAC触发后的导通期间流过TRIAC的电流要大于Ihold(维持电流),否则TRIAC会关断,LED灯泡会熄灭。不同的调光器,维持电流也会不同。
4、启动器出了问题。可控硅保护因不能承受电压而损坏其芯片中有一个光洁的小孔,是启动器出了问题。双向可控硅是在单向可控硅的基础上发展起来的。
5、原因在于led灯的驱动电源必须是直流电。市面上的led灯前面有一个整流器,整流器将交流电整成直流电从而为led提供直流电源。
6、我司主要做LED照明灯具的。LED筒灯调光遇到这个问题,主要是调光驱动质量不行,或者是调光器和调光开关不匹配。你要问清楚是什么调光方式的,可控硅调光对调光器匹配度要求比较高。
可控硅,是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件,亦称为晶闸管。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点,是比较常用的半导体器件之一。
可控硅的导通是可以输出随着输入的改变而改变,也就是非线性特性的。通常我们靠改变可控硅的导通角来进行PWM控制(大电流方面)。而开关管则只有开和闭两种状态,是线行特性。
可控硅器件与双极型晶体管有密切的关系,二者的传导过程皆牵涉到电子和空穴,但可控硅的开关机制和双极晶体管是不同的,且因为器件结构不同,可控硅器件有较宽广范围的电流、电压控制能力。
无触点可控硅开关是什么 无触点开关在电磁兼容性、可靠性、安全性等方面的优越性是触点开关无法比拟的。
1、若电压上升率过大,超过了可控硅的电压上升率的值,则会在无门极信号的情况下开通。即使此时加于可控硅的正向电压低于其阳极峰值电压,也可能发生这种情况。因为可控硅可以看作是由三个PN结组成。
2、泄放电阻的阻值与电容的大小有关﹐一般电容的容量越大﹐残存的电荷就越多﹐泄放电阻就阻值就要选小些。经验数据如下表﹐供设计时参考﹕D1 ~ D4的作用是整流﹐其作用是将交流电整流为脉动直流电压。
3、不行的,阻容降压LED灯的结构中存在稳压电路 而且整流部分是峰值的而不是平均值的 所以不行。钨丝灯是电阻 依靠有效值发热 所以能调光。晶闸管调压器又称“晶闸管电力调整器”“可控硅电力调整器”或简称“电力调整器”。
4、有可能造成门极在没有触发信号的情况下,晶闸管(可控硅)误导通现象,即常说的硬开通。因此,对加到晶闸管(可控硅)上的阳极电压上升率应有一定的限制。 RC电路就是通过泄放电流,起到这个防止电压突变的作用。
5、MOS管桥式是可以的,但它是单向的元件,这里用的是双向的可控硅,也是可以的,电路原理是不一样的,也就是说设计的理念是不一样的。
6、因为通过降压电容C1 向负载提供的电流Io,实际上是流过C1 的充放电电流Ic。C1 容量越大,容抗Xc 越小,则流经C1 的充、放电电流越大。
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