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1、下面是三极管各极电压的计算公式：收集极电压（Vce）：Vce = Vc - Ve 其中，Vc为集电极电压，Ve为发射极电压。基极电压（Vbe）：Vbe = Vb - Ve 其中，Vb为基极电压，Ve为发射极电压。
2、三极管各极电压计算公式：Ie=Ib+Ic、Ic=βIb。
3、三极管小信号模型基射电阻rbe=rbb‘+β*Ut/Icq，其中rbb’为基极电阻，约为150~200Ω，Ut常温下约为26mV，Icq为集极静态电流。三极管跨导gm=Icq/Ut，Ut约为26mV，在忽略rbb‘时，gm≈β/rbe。
1、根据两个PN结连接方式不同，可以分为NPN型和PNP型两种不同导电类型的三极管，测试三极管要使用万用电表的欧姆挡，并选择R×100或R×1k挡位。 假定我们并不知道被测三极管是NPN型还是PNP型，也分不清各管脚是什么电极。
2、成本低：三极管测温电路的成本相对较低，因为三极管本身的成本较低。三极管测温电路的缺点包括：工作温度范围较小：三极管测温电路的工作温度范围通常在-40℃到125℃之间，这对于某些应用来说可能不够。
3、我们学的半导体基础知识中有PN结的电流方程。PN结所加端电压u与流过它的电流i有一个公式。i=Is（equ/kT-1），Is为反向饱和电流，q为电子电量，k为波尔兹曼常数，T为热力学温度。
4、输入电阻RI=RB//RBE。RBE=200+(1+贝塔）26/IE；其中：贝塔=50，IE=（1+贝塔）×IB=397毫安；（IB=U1/RB=4V/200K=0.047毫安）；所以rbe=200+51×26/397=753欧姆。
5、rbe+(1+β)R6]（RL`=R3//RL）公式rbe=rbb+(1+β)[ 26(mA) / IEO(mA)} ]计算的是三极管的输入电阻，公式 rbe=rbb+(1+β)[ 26(mA) / IEO(mA)} ]+(1+β）（R7∥R8）计算的是射随器输入电阻。
6、标识为re，是指发射结的体电阻，等于25/Ie（mA）；并非rbe。一般rbe，是晶体管接成共发射极方式，π形等效电路中，从基极看去过的基极—发射极交流电阻。
1、三极管的放大倍数公式是：在放大区，hFE = IC / IB。三极管放大电路放大倍数公式是：Au=Vo/Vi。
2、三极管的放大倍数： β=Ic/Ib 从理论上看，知道Ic和Ib就可以求出 β。但是，在实际应用中，这个β值是在工艺制作时特定的，这是固定值，在芯片手册里有参数，不需要算。
3、三极管的直流放大倍数是hFE，hFE＝直流IC/IB。β 是指三极管的交流电流放大倍数，β ＝输出交流电流 / 输入交流电流。
4、三极菅的放大内容有三种，一：电流放大，二：电压放大，三：功率放大，电流放大是输出电流除以输入电流，等于电流的放大倍数，电压放大倍数是输出的放大电流除以输入的电流等于电流的放大倍数。
下面是三极管各极电压的计算公式：收集极电压（Vce）：Vce = Vc - Ve 其中，Vc为集电极电压，Ve为发射极电压。基极电压（Vbe）：Vbe = Vb - Ve 其中，Vb为基极电压，Ve为发射极电压。
三极管各极电压计算公式：Ie=Ib+Ic、Ic=βIb。
伏左右，硅材料pN极约0.7伏左右，所以三极管基极电压是降不到零的。三极管工作在放大状态时，发射极电压约等于基极电压，修正值是发射结的正向压降。求三极管各极电压计算公式有：Ie=Ib+Ic、Ic=βIb。
一般NPN小功率管饱和时集电极电压小于0.5V；大功率NPN管饱和时为1V左右。截止时集电极电压等于电源电压。
从图中可以看出来三极管发射极电流Ib=0.1mA，因此集电极电流为：Ic=β×Ib=0.1β（mA）。所以：Uc=E-Ic×Rc，其中E=12V，Rc=1kΩ。Uc=12-0.1β×1=12-0.1β（V）。
当然有输出，此时npn三极管处于饱和状态，此时uce的电压在1v以下，理论计算的时候可以按uce=0.3v计算，此时发射极的电压看你的电路了，就假定接地吧，则ue的电压是0v左右，而uc的电压是0.3v左右。
1、集电极电流=基极电流的β倍，一般给定一个三极管，它的β值就确定了。发射极电流=基极电流+集电极电流=（1+β）倍的基极电流。
2、三极管导通后的Vbe电压为0.7V，通过R3的电流为0.7/330=1mA。通过R3电流必定通过R2，忽略Ib，UR2为02V。根据KVL，UR1=URUR1+UR2+UR3+UR4=24V 24-0.7-02=2UR1，解得UR1=114V。
3、第二个方程是Vcc-(1+B)*Ib*R2=Ib*R2+UBEQ+(1+B)*Ib*R3 也是两个方程，两个未知量，肯定有解。其实三极管电路很简单，你只要仔细分析电流走向，然后记得Ic=BIb（注意Ic是三极管通过CE两端的电流）即可。
4、基极流过的电流只有Ib，而基极到地的电压是Ube+URe，除以ib就是从基极看进去的等效电阻Rb。即Rb=（Ube+URe）/Ib=[Ib*Rbe+Ib*（1+β）*Re]/Ib = Rbe+（1+β）Re。输入端b的等效电阻相当于增大了（1+β）Re。
公式rbe=rbb+(1+β)[ 26(mA) / IEO(mA)} ]计算的是三极管的输入电阻，公式 rbe=rbb+(1+β)[ 26(mA) / IEO(mA)} ]+(1+β）（R7∥R8）计算的是射随器输入电阻。
rbe=rbb’+(1+β）(re+re)，这个电阻和工作状态有关，具体的说和滞留工作点有关。一般估算是，150~350都是合理的，工程应用时并没有统一的标准。
rbe=rbb+26mV / Ib(mA)=rbb+β(26mV) / Ic(mA)，ri=rbe+β(R7∥R8）。
公式rbe=rbb+(1+β)[ 26(mA) / IEO(mA)} ]计算的是三极管的输入电阻，你们老师给的公式 rbe=rbb+(1+β)[ 26(mA) / IEO(mA)} ]+(1+β）（R7∥R8）计算的是射随器输入电阻。
rbe=rbb`+(1+β)26mV/Ie=rbb`+26mV/Ib 式中rbb`=100-300的常数，高频管取100Ω、低频管取300Ω，有给定值的去给定值。Ie、Ib为静态计算是的发射极电流或基极电流，以mA为单位，计算结果是欧姆。
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