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1、使用低电压的单片机，如使用8~3V供电的单片机。降低单片机的工作频率，也能降低功耗。
2、首先考虑低功耗设计单片机及电路。低工作电压并减小工作电流。(明摆着，电池干不了，就别强求。)减少系统工作电流，以适于电池供电。软件上，如不需工作时关闭外设，进入睡眠和RTC唤醒。并降低工作频率。
3、降压，降频，降速，启动低功耗模式，不用的时钟和内部外设关掉。
4、硬件设计 选用具有低功耗特性的单片机可以大大降低系统功耗。可以从供电电压、单片机内部结构设计、系统时钟设计和低功耗模式等几方面考察一款单片机的低功耗特性。
当MOS有很大的反向瞬间电流时，该二极管导通，起到保护作用。肖特基二极管 肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称 SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。
二极管，（英语：Diode），电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管（Varicap Diode）则用来当作电子式的可调电容器。
肖特基二极管是二极管，特点是低功耗、超高速、反向恢复时间极短、正向压降小，适合做整流电路，场效应管是三极管一，特点是输入阻抗高、噪声小、功耗低、漏电流小，开关特性好，适合做放大电路或开关电路。
你好：——★MOS管属于电压控制器件，它的输入阻抗非常高，很容易感应静电而击穿。所以应该采取措施加以保护。——★请看附图。...图中100K电阻和9V稳压二极管作保护，可以把感应静电限制、消除。
你好：P-MOS 场效应管 AO4409 【栅极 → 漏极 】之间的耐压为 10V ，当电源电压 B+ 超过 10V 时就有可能击穿了。
MOS管损坏主要原因：过流：持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过高而烧毁；过压：源漏过压击穿、源栅极过压击穿；静电：静电击穿，CMOS电路都怕静电。
指代不同 三极管：全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。场效应管：是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。
性质上的区别 三极管，是一种控制电流的半导体器，是半导体基本元器件之一，是电子电路的核心元件。
三极管是双极型管子，即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与；场效应管是单极型管子，即管子工作时要么只有空穴，要么只有自由电子参与导电，只有一种 载流子。
三极管这种型号他俩的信号是非常有区别的，通过他们的区别你就看出他的三极管实际有一定的那种形状不一样的，所以他俩是有区别的。
场效应管是电压控制元件，而三极管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管。而在信号源电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应用三极管。
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
1、工作原理：MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。
2、MOS管的主要作用是放大电信号，用于电子设备中的开关控制、电源管理、数据传输等方面。MOS管的原理是基于PN结的反向偏置效应，即当PN结处于反向偏置状态时，其电阻非常大，电流几乎为零。
3、它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。
1、门电路是由晶体管、电阻、电容等组成的，只不过这些都是模拟电路的范围，直接由这些分立件表示数字电路的话不够简洁，也不利于分析与理解，所以就用“门”把它封装起来，可以说门电路是数字电路的最小单位。
2、TTL门电路是由晶体管构成的逻辑电路，CMOS门电路以MOS管作为开关器件的门电路是CMOS门电路，其中为P-MOS管和N-MOS管构成互补的结构形式。电压电流不同。
3、CMOS门电路一般是由MOS管构成，由于MOS管的栅极和其它各极间有绝缘层相隔，在直流状态下，栅极无电流，所以静态时栅极不取电流，输入电平与外接电阻无关。
4、MOS型：CMOS、NMOS、PMOS（主要用于数字逻辑电路系统）双极型：TTL，ECL（Emitor-coupled logic：设计耦合逻辑门）混合型：BiCOMS：主要用在射频系统。
5、MOS管及简单CMOS逻辑门电路原理图现代单片机主要是采用CMOS工艺制成的。MOS管MOS管又分为两种类型：N型和P型。
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