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1、选择好MOS管器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构 成了低压侧开关。
2、，根据输出功率以及输入最小电压可以求出Ipft，一般mos的导通压降不大于最小Vdc的2%，所以可以推出其Rds。又由于Rds和温度有关，依据Rds选择是注意其余温度的关系。2，还有一种方法就是给定一个温差，然推出Rds。
3、MOS导通后就是一个阻值很小的电阻，这个电阻叫Rds_on，即D、S间的电阻；流过MOS管D、S极的电流就会发热，P=i*i*Rds_on Rds_on与导通电压Vgs有关，Vgs越小（大于导通阈值电压5~6V），Rds_on越大。
4、一般情况下都可以，要注意其耐压，只能高不能低，但某些地方需要注意其频率，导通电压等。
5、mos管没有宽长比，mos管的VGS越负(绝对值越大)，沟道的导通电阻越小，电流的数值越大。
1、. 功率MOS管的工作状态 电子负载是利MOS的线性区，当作可变电阻来用的，把电消耗掉。
2、电子负载中，工常正作时MOS管不是完全导通的，一般后级功率级是处于线性区，就像三极管的放大状态。电流模式时只有当流过负载电流小于设定值或者使用短路功能时，MOS管才会完全导通。
3、MOS管的三个区：可变电阻区（对应三极管的饱和区），恒流区（对应三极管的放大区），夹断区（对应三极管的截止区），还有一个击穿区（对应三极管的击穿区，属于电力电子内容）。
4、这是个自给偏置的电路结构，所以栅极电压确定了，那么源极电压也就确定了；另外BSS169为N沟道耗尽型场效应管，在 Ugs=0V，即具有导通能力，也就是说，Ug=5V时，Us=5V。
5、虚短：当集成运放工作在线性区时，同相端和反相端的电压几乎相等，所以称为虚假短路，简称虚短。虚断：当集成运放工作在线性区时，流入同相端和反相端的电流几乎为零，所以称为虚假断路，简称虚断。
MOS导通后就是一个阻值很小的电阻，这个电阻叫Rds_on，即D、S间的电阻；流过MOS管D、S极的电流就会发热，P=i*i*Rds_on Rds_on与导通电压Vgs有关，Vgs越小（大于导通阈值电压5~6V），Rds_on越大。
、控制方式：即速度控制、转距控制、PID控制或其他方式。采取控制方式后，一般要根据控制精度进行静态或动态辨识。
选型时候，电压要大于额定电压尖峰值20V左右（不可太高），电流可以选择容量大的，同时查看下导通阻抗，越小越好。另外，建议采用IGBT，效果比MOS好，但是价格偏高些。
不过这个电路是高电平导通的，你只需要把Q5换一个N-MOS就行了。要满足导通的电流为2A，并留有足够的安全裕量和散热能力，可以选用毫欧级导通电阻的MOS，如IRLU024N（Vdss=55V，Id=17A）。
mos管并联一般都是在电流放大电路，当输出电流不够时，需要并联几个或几十个。
理论上MOS管可以由N颗并联，实际上MOS管并联多了容易引起走线很长，分布电感电容加大，对于高频电路工作产生不利的影响。下面以4颗为例说明MOS管的应用。
两个MOS管并联使用的作用是为增大输出电流，一般用在功放的末级电流不够时才用此电路。
电流的方向可以决定MOS管串联。从电流的方向可以决定MOS管串联使得源、漏电极；设N0、N1为NMOS管，且电流从X向Z流动。MOS管串联Y即使N1的源，又是N0的漏，把相同区域进行合并。
MOS是不能并联的，开关时间很难控制同步，很容易炸机的 降低温度的办法有很多，并联MOS是最不可取 你可以选择容量大一点MOSFET，加很大的散热片，使用大封装的MOS。
mos并联要放在同一面原因如下：减少电阻：MOS晶体管有源区、漏极区和源极区，如果不在同一面放置，就需要通过导线连接，这样会增加连接线的电阻，影响电路的性能。
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