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mos管关断（mos管关断时有很高的尖峰电压）

发布时间：2023-08-25
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本文目录一览：

mos管快速关断电阻可以不要吗?

MOS管G极接电阻是防止振荡，晶体管接电阻是限流。

另外，如果你的驱动频率很高，这个电阻必须减小，甚至改为0欧也是可行。频率100K以上，必须使用专门的驱动电路（比如，图腾柱方式）或者MOS管专用驱动IC，不然的话MOS管容易烧毁。

这是浪涌吸收电路，起保护mos管的作用，不可去除。

当G上的电压撤掉后若G悬空电容的电荷是不能马上放掉的，实际上G极的电压仍然存在一段时间，所以不会马上截止。实际使用时当要求管子截止时必须要在GS之间建立泄放回路（比如直接短路或通过电阻放电）才可以。

mos管的开通和关断会产生交变电压吗

1、因为mos管通入的是交流电。MOS管通常被用作电源开关使用，通常使用PMOS做为上管，将NMOS做为下管使用。当然也有反过来使用的场景，但使用较少。此贴为科普贴，就不做累述了。

2、MOSFET开关时间改变电压的原理其实就是PWM（脉冲宽度调节）控制，开关电源里面的MOSFET都是和电感或者电容这些储能元件配套使用的。一般情况下MOSFET开的时候会向电感、电容这些元件中储存能量。

3、对于感性负载，电流不可能突变，因此必须用前切模式。当电压突变，电感电流缓慢上升，不会有问题。关断的时候，必须等电流降到0才可以关闭MOS，这个时刻会比电压回零滞后一点。如果不然强行关断所产生的反电势必烧MOS。

4、控制220V交流电压不用MOS管，因为MOS管的源漏极间雪崩电压通常只有几十伏，而220V交流电压的峰值达308V，远超出MOS管的耐受能力。

5、当MOSFET处于打开状态时，控制极上施加正电位。这会使欧姆屏蔽层消失，漏极和基极之间就会形成一条导电路，使得电流可以流过。因此，在使用MOSFET作为开关时，我们可以通过控制控制极上的电压来控制MOSFET的开关状态。

mos管如何关断?

1、功率mosfet 的三个端口，G极，D极，S极。G极控制mosfet的开通，关断，给GS极之间加正向电压(高电平)，达到导通电压门槛值之后就能导通。同理，给一个低电压(低电平)mosfet就能关断。

2、不过，这种架构还需要一种方法把并行电源的输出连接在一起，并保证某个电源的故障不会影响到其它的电源。在每个电源的输出端，有一个功率MOS管可以让众电源分担负载，同时各电源又彼此隔离。

3、MOS管的完全关断很不容易，你这样肯定不行，形式上关断后，漏电流足够点亮LED了。如果想比较好的关断，需要用到负电压。

MOS管过大电流时关断为什么会出现尖峰电压

尖峰电压，是单位电荷在静电场中由于电势不同所造成的。电压（voltage），也称作电势差或电位差，是衡量单位电荷在静电场中由于电势不同所产生的能量差的物理量。

有尖峰有可能是吸收电路中C偏小了。RCD电路参数设计网上都有，根据需要自己看吧。还有一个问题，开关频率越高，尖刺也就会越高，如果没有硬性要求，可以把开关频率降一降。

电感性负载具有电感性质：自感电势与电流变化率成正比。开关管关断越快，管子功率损耗越低，但是引起电流突变，导致尖峰电压，所以开关管都有并联续流二极管，使感性负载有能量释放的回路。

另一部分是主管开通时，由于原副边耦合不紧密导致原边漏感中存储了一部分能量。当主管关断后，这部分能量会与主管的输出电容形成谐振，在输入电压叠加了反射电压后，再谐振出一个尖峰。

单端正激式电路是用电感贮能，开关管开通时，电感贮能，当开关管关断时，电感放电。如果开关管关断时，电感如果没有另外的放电回路，将会产生极高的电压，把开关管击穿！所以，单端正激式开关一定要加一个二极管做续流用。

MOS是开关管，也有反向峯达的，开关虽然关了他有些保留微弱的态机的，而小电流，变压器也是一个大电感应的。

二极管有哪些分类？

1、按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管、旋转二极管等。

2、肖特基二极管，又称肖特基势垒二极管，简称SBD，是一种低功耗、大电流、超高速半导体器件。

3、二极管的种类较多， 按功能可以分为整流二极管、稳压二极管、发光二股管、光敏二极管、检波二极管、变容二极管、双向触发二极管等。

4、整流二极管、检波二极管、光敏二极管、发光二极管、恒流二极管、稳压二极管等。还有特殊用途：恒流二极管 1．恒流二极管的作用 恒流二极管（简称CRD）是用来稳定电流的二极管，它可以在较宽的电压变化范围内提供恒定不变的电流。

关键词：mos管 保护mos管 电阻 电容 电容的电

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