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尖峰电压,是单位电荷在静电场中由于电势不同所造成的。电压(voltage),也称作电势差或电位差,是衡量单位电荷在静电场中由于电势不同所产生的能量差的物理量。
有尖峰有可能是吸收电路中C偏小了。RCD电路参数设计网上都有,根据需要自己看吧。还有一个问题,开关频率越高,尖刺也就会越高,如果没有硬性要求,可以把开关频率降一降。
电感性负载具有电感性质:自感电势与电流变化率成正比。开关管关断越快,管子功率损耗越低,但是引起电流突变,导致尖峰电压,所以开关管都有并联续流二极管,使感性负载有能量释放的回路。
另一部分是主管开通时,由于原副边耦合不紧密导致原边漏感中存储了一部分能量。当主管关断后,这部分能量会与主管的输出电容形成谐振,在输入电压叠加了反射电压后,再谐振出一个尖峰。
1、确定MOS管的额定电流。该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似,确保所选的MOS管能承受这个额定电流,即使在系统产生 尖峰电流时。mos管,即在集成电路中绝缘性场效应管。
2、MOS管的的最大允许电流是靠设计参数来确定的,使用电气参数测量方法无法确定,不过可以使用测量导通电阻方法估算,大约是V/导通电阻,V是参考压降,取值0.8-3,高压管取值大些,低压管取值小些。
3、确定MOS管的额定电流。该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似,确保所选的MOS管能承受这个额定电流,即使在系统产生 尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。
MOS的阈值电压是一个范围值的。一般情况下与耐压有关,例如几十V的耐压一般为1-2V,200v以内的一般为2-4V,200V以上的一般为3-5V。MOS管,当器件由耗尽向反型转变时,要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。
正常运行的电网频率,规定上下波动不得超过±0.2Hz。中国电力工业部颁规程规定:频率低于45Hz运行的时间不能超过60min,频率低于40Hz运行的时间不能超过30min。
漏极-源极耐压Vdss,一般Vdss值大于MOS管的D极最大尖峰10%以上为安全值,D极最大尖峰电压指的是在AC264V输入时测试。
气体放电管等成熟器件,一般使用中使用一个就行了。阻容只能用于滤波和防干扰,一般对于交流电力驱动的小功率负载,取100欧姆和0.05uF(瓷片电容),大容量的电容针对低频干扰,小容量的针对高频干扰,这个可以根据容抗计算。
举电容一般多大 16~25V,容量要视中点电压而定。自举电容工作原理 自举是指通过开关电源MOS管和电容组成的升压电路,通过电源对电容充电致其电压高于VCC。
电容越大、电阻越小吸收越好、尖峰越小,同时也会引起效率下降。峰峰值和过电压的尖峰不是一回事。
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