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MOS管是驱动部分的开关管。主要关注耐压,耐流值。还一个就是开关速度。
负载电流IL ——它直接决定于MOSFET的输出能力;输入—输出电压——它受MOSFET负载占空比能力限制;开关频率FS——参数影响MOSFET开关瞬间的耗散功率; MOS管最大允许工作温度——这要满足系统指定的可靠性目标。
,根据输出功率以及输入最小电压可以求出Ipft,一般mos的导通压降不大于最小Vdc的2%,所以可以推出其Rds。又由于Rds和温度有关,依据Rds选择是注意其余温度的关系。2,还有一种方法就是给定一个温差,然推出Rds。
更细致的,MOSFET还应考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET,其驱动电路,驱动脚输出的峰值电流,上升速率等,都会影响MOSFET的开关性能。
三极管和MOS管的区别:工作性质:三极管用电流控制,MOS管属于电压控制。成本问题:三极管便宜,MOS管贵。功耗问题:三极管损耗大,MOS管较小。驱动能力:mos管常用来电源开关,以及大电流地方开关电路。
如果驱动电压小于10v,那就太有关系了,mos管都没有完全打开,内阻会比较大,温升肯定大,如果你指的是>10v的驱动电压,看你应用在什么场合了,低频场合驱动电压高低影响不大,但是如果应用在射频等高频下,那就有影响了。
稳压二极管里面的电压的话应该是在10伏左右,因为这种二极管的所需电压是不太大的。
可控硅G极与k之间的稳压二极管不同型号不同电压,2CW11的电压2~2CW15的电压0~5 、2DW7A的电压8~2DW7C的电压1~5。稳压二极管:稳压二极管,又叫齐纳二极管。
.3伏左右。整流管分锗管和硅管,锗管(指的是整流管)有电流流过时,二极管两端电压是0.3伏左右,硅管是0.7伏,如果是稳压管,那正向导通也是同上,如果作为稳压使用时,那电压就是它的稳压值。
开启电压是指MOS由阻断到开始导通的最低门极电压,一般是3~5伏,导通电阻随门极电压的升高而减小。此管门极电压必须小于20V。
开启电压VT ·开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压;·标准的N沟道MOS管,VT约为3~6V;·通过工艺上的改进,可以使MOS管的VT值降到2~3V。
MOSFET开启电压5V的话,需要栅极电压高于源级电压5V才能导通,就是说如果源级电压是12V,栅极电压要12+5=17V才能导通。这个说的对。
使用有寄生二极管的P沟道MOS管,S的电压要高于D的电压,原因同上。下面是MOS管的导通条件,只要记住电压方向与中间箭头方向相反即为导通(当然这个相反电压需要达到MOS管的开启电压)。
首先需要说40V不是开启电压,开启电压又叫阈值电压,一般都在2-6V之间。如果有型号可以查它的各种参数,如果单看40V5A,一般指的的是漏源击穿电压40V,漏源额定工作电流5A。
MOS和三极管相像,但是三极管属于电流驱动型,而MOS属于电压驱动型,因此在控制的时候需要考虑MOS的G端电压。一般的N沟道MOS在3V往上就可以导通,但是为了考虑可靠性,往往是加上一个电阻,接到12V左右,这是我们常用的。
1、正确的表达是:AC-DC电源模块 能使电路中形成恒定电流的装置,如干电池、蓄电池、直流发电机等,称为直流电源。
2、电源模块主要的作用是在电路中提供隔离和转换、提供能源的作用 , 这些模块结合了电源所需的大部分或全部组件 , 可以取代多个不同的组件 。
3、AC电源模块是能使电路中形成恒定电流的装置,一般来说在干电池、蓄电池、直流发电机等都有运用到。
4、AC-DC电源模块能使电路中形成恒定电流的装置,如干电池、蓄电池、直流发电机等,称为直流电源。
5、限制了AC/DC变换器模块化的进程,因此必须采用电源系统优化设计方法才能使其工作效率达到一定的满意程度。AC表示交流电(Alternating current),是指大小和方向都发生周期性变化的电流,目前被广泛用于电力传输(即交流输电)。
1、隔离直流电流作用。不管被测点有多高直流电压,都不会有直流电流产生。起到直流保护作用。
2、要使用数字示波器进行电源测量,就必须测量MOSFET开关器件(如图2所示)漏极、源极间的电压和电流,或IGBT集电极、发射极间的电压。该任务需要两个不同的探头:一支高压差分探头和一支电流探头。后者通常是非插入式霍尔效应型探头。
3、当然接反也没有影响,就是波形显示的时候,会在示波器零电平的下方。打开示波器测量项的平均值,就可以看到直流电压值。
4、用示波器测量峰到峰的电压,一般按以下步骤进行:(1)连接示波器 (2) 按说明书接通示波器。(3) 用校准信号校正Y轴增益。(4) 输入选择在交流位置,将探头连接被测信号。
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