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mos管驱动保护电路设计（mos管的驱动电路设计）

发布时间：2023-08-25
阅读量：17

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场效应晶体管驱动设计,工程师必须掌握

1、在设计时，对此项参数的考虑要点是必须考虑晶体管的工作环境温度。随着温度升高，放大升高，使晶体管的Ic增大，当进入恶性循环后，晶体管会很快失效。在设计时，整机中Ic的实测值，不要超过规格书所标的60%。

2、不同封装的MOS管热阻不同，安装方式和爬电距离也不一样，需要综合评估。

3、场效应晶体管（FET）简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管（JFET)和金属-氧化物半导体场效应管（MOSFET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。

4、硬件工程师需要学习电路、模拟电子技术、数字电子、C语言、嵌入式、电磁场、单片机、微机原理、电子线路设计、数据结构、高数等知识。

5、不存在少子储存效应，因而关断过程非常迅速，开关时间在10—100ns之间，工作频率可达100kHz以上，是主要电力电子器件中最高的。场控器件静态时几乎不需输入电流。但在开关过程中需对输入电容充放电，仍需一定的驱动功率。

如何选择最适合的MOS管驱动电路?

很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压，设计时当然需要有一定的余量。而且电压越高，导通速度越快，导通电阻也越小。

选择合适的MOSFET管对于驱动电路的设计至关重要。应选择具有低导通电阻、低反向恢复电荷和高开关速度的MOSFET管。此外，还应选择合适的电压和电流容量，以适应实际应用的需求。

小功率mos管，大功率IGBT，再大的就用GTO，SCR等 至于电路要看你的设计要求，电机类型，功率等级，选择用的拓扑架构，这个就比较复杂了哈。

如果是低频开关电路，可以选三极管，高频的要选MOS管。三极和一般工作在线性区，比如做一些线性电源。MOS管就要工作在完全开通状态。

降压电路驱动电路的MOS管尺寸选择，选择依据如下：首先，确定降压电路的最大输入电压，MOS管的耐压，需大于等于3倍以上输入电压，确保MOS管不会被击穿。

模拟电路 有一段时间，MOSFET并非模拟电路设计工程师的首选，因为模拟电路设计重视的性能参数，如晶体管的转导（transconductance）或是电流的驱动力上，MOSFET不如BJT来得适合模拟电路的需求。

求一个单片机控制mos管的电路图

电路原理图：单片机驱动mos管电路主要根据MOS管要驱动什么东西， 要只是一个继电器之类的小负载的话直接用51的引脚驱动就可以，要注意电感类负载要加保护二极管和吸收缓冲，最好用N沟道的MOS。

不过要求2A电流的话，图示的MOS管已经到达上限了，除非有充足的降温措施，不然稳定性不够，还是换用更大封装的管子会比较好。

MOS管及简单CMOS逻辑门电路原理图现代单片机主要是采用CMOS工艺制成的。MOS管MOS管又分为两种类型：N型和P型。

估计你的负载短路保护电路是为了保护mos管。从图纸推断你的B-应该接地。

是电机驱动，用的就是MOS的开关特性。另外，数字电路中所用到的三极管和MOS就是一个开关，因为数字电路只有0和1。图中的PWM是单片机IO端口直接过来的，0V和5V可变。后面一个推挽电路，然后给MOS。

R5+LED1 可以换成需要控制的 负载，电压根据负载电压。如果控制电流比较大（ 3A ) 可以用右图， R5+LED1+LED2+LED3 可以换成需要控制的 负载，电压根据负载电压。

如何用三极管个mos管做H桥驱动电机?求电路

典型mos管H桥直流电机控制电路 电路得名于“H桥驱动电路”是由于它的外形酷似字母H。

对于单向的电机驱动，只要用一个大功率三极管或场效应管或继电器直接带动电机即可，当电机需要双向转动时，可以使用由4个功率元件组成的H桥电路或者使用一个双刀双掷的继电器。

从电路中不难看出，假设开关A、D接通，电机为正向转动，则开关B、C接通时，直流电机将反向转动。从而实现了电机的正反向驱动。

小功率mos管，大功率IGBT，再大的就用GTO，SCR等 至于电路要看你的设计要求，电机类型，功率等级，选择用的拓扑架构，这个就比较复杂了哈。

．栅极驱动部分：后面三极管和电阻，稳压管组成的电路进一步放大信号，驱动场效应管的栅极并利用场效应管本身的栅极电容（大约1000pF）进行延时，防止H桥上下两臂的场效应管同时导通（“共态导通”）造成电源短路。

可以中功率对管，B772/D772，价格也不贵。

求如何使用IR2110驱动单个mosfet管

1、IR2110的高端驱动电平（6脚与5脚）相对于COM是悬浮的，必须通过开通半桥的下管给VB-VS脚所接的自举电容充电，这样7脚才有足够的电荷驱动半桥的上管。

2、需要根据实际情况调整PWM信号的频率和占空比，以及死时间的配置。 需要连接好IR2110芯片的控制输入，如VCC、GND、IN、SD等，同时连接好MOSFET等PWM输出端口。

3、可以连接到单片机上，Hin与Lin要同时连接，记住他们是互为反相的逻辑信号。com接地，高端输出搭配了自举电路，可以驱动高端MOS。需带一定负载才能给自举电容充电。记得设置死区。

4、IR2110是IR公司的桥式驱动集成电路芯片 ，它采用高度集成的电平转换技术 ，简化了逻辑电路对功率器件的控制要求 ，同时提高了驱动电路的可靠性。

5、举例说明 以下是一个简单的降压式DC-DC开关电源的驱动电路：该驱动电路采用IR2110驱动芯片来控制MOSFET管的开关状态，实现电源输出电压的稳定调节。

6、aa需要吸收电路。阻尼这个震荡。主要原因来自主回路上的分布电容、电感。一般资料上都有介绍，可参考。在没解决前慎重加高电压。

关键词：单片机控制mos管 Mos管做 mos管驱动

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