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1、算吧,光电耦合器端电压3V,10mA,那么电阻上压降217V,电流10mA.217/0.01A=21700欧=27K,电容是滤波电容,可用400V100微法即可,建议你用这个阻容降压电路。
2、接下来可以计算出所需的电阻值。根据NPN晶体管的工作原理,可以得到以下公式:IB=IF*CTR,其中CTR是光耦的传输比,表示光耦输入光功率与输出电流之间的比值。因此,可以得到CTR=IB/IF=10mA/10mA=1。
3、R=(Vc-1)/(If+Ir),分流电阻:r=1/Ir。
4、上拉电阻选10K,电阻1选2K,电阻2选10K,三极管选8050。但这个电路可能有两个问题:由于IO口的初始状态为1,所以刚上电时,继电器处于吸合状态。需要在5V和光耦1脚之间串一个1K电阻,否则光耦易烧掉。
1、K电阻。驱动光耦的器件有最小工作电流值,驱动光耦,有一定的漏电流,所以要并联1k电阻吸收这些漏电流防止光耦导通。光耦合器亦称光电隔离器或光电耦合器,简称光耦。
2、一般电流控制在5~20mA,最大50mA。用5V电源驱动,可以串联电阻R=5/0.01=500R,所以你可以选择电阻200R~1K,建议取值330~510R。
3、一般电流控制在5~20mA,最大50mA。用5V电源驱动,可以串联电阻R=5/0.01=500R,所以你可以选择电阻200R~1K,建议取值330~510R.在驱动电压恒定的情况下,串联电阻越大,电流越小。
1、首先,确认电磁阀线圈是24V直流电压工作的。再确认光耦的CE电流超过电磁阀的额定电流,否则就还需要放大。最后,电磁阀两端需要并连续流二极管,否则,光偶会很容易损坏。
2、用光耦隔离器(如PC817),输出侧再经三极管(根据电流、Vceo选择,如TIP127)或MOS管放大驱动电磁阀。 如果不用光耦,注意Vcbo,但会有烧坏单片机IO的隐患。
3、也可以考虑I/O通过三极管或光耦驱动继电器,继而控制电源开关。这样就不同考虑电源对控制部分电路的反馈情况,比如杂波干扰等。具体还是要看电路实际需求。
4、这种用法不好,单片机输出高电平 时,24V电源可能会损坏单片机内部的MOS 管,某些单片机io口有保护或泄放电路,这样虽不会损坏单片机,但会使三极管关不断,即无论单片机输出高电平还是低电平三极管都导通。
5、单片机(microcontroller)可以通过控制电磁线圈的通电来控制阀门的开关。首先,单片机通过检测传感器获取当前系统的状态,根据预先设定好的控制程序来控制电磁阀的电源。
是的。顺络电子是一家电感器和电压器及相关电气元件研发商,公司的产品包括电子变压器、热敏电阻、电感信号线、氧化钴指纹识别传感器盖、无线充电线圈组装、片式三端滤波器、固体钽片式电容器等。
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1、在光耦的输入端,有寄生电容存在,这个电容上的存储电荷影响翻转速度。并联电阻后,可以及时泄放掉电容上的存储电荷。解决快速翻转时可能出现的误动作。
2、凡是回授到放大器输入端的反馈信号起加强输入原输入信号的,使输入信号增加的称正反馈,反之则反。正反馈电路多应用在电子振荡电路上,而负反馈电路则多应用在各种高低频放大电路上。
3、并联在光耦发光二极管端的电阻是一个电流泻放电阻,主要是给弱电流信号一个通路,避免流过光耦的发光二极管导致误导通 还有一个作用是限制发光二极管两端的电压不至过高,起保护作用。
4、这个电阻起的是旁路分流作用,当流过二极管端的电流较小时,其两端电压小于二极管导通电压,光耦截止,只有当流过其电流到一定值时,二极管才导通,光耦介入工作。
5、并联的电阻用于扩展过零脉冲宽度,也就是延后内部反向并联发光二极管的导通时间。比如光耦内部二极管的Vf=7V,以交流电正半部波形为例,在AC过零后的7V以下时,光耦会输出高电平。
6、你给的图中,单片机通过光耦驱动继电器,电路中的电阻为了限制流过Q1基极的电流,三极管起放大作用,将光耦提供的基极电流进一步放大,使继电器可以可靠吸合。
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