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⑵对射型光电传感器,若把发光器和收光器分离开,就可使检测距离加大,一个发光器和一个收光器组成对射分离式光电开关,简称对射式光电开关。对射式光电开关的检测距离可达几米乃至几十米。
光电传感器分为光敏电阻传感器和光敏晶体管传感器。光敏电阻是利用半导体的内光电效应制成的电阻值随入射光强弱的变化而变化的传感器。一般用于光的测量、控制和光电转换。
光电传感器常见有几种分类:⑴槽型 把一个光发射器和一个接收器面对面地装在一个槽的两侧的是槽形光电。发光器能发出红外光或可见光,在无阻情况下光接收器能收到光。
光电传感器是一种设备,通过使用一个光学发射器(通常是一个红外发射器)和光电子接收器检测一个物体的距离和存在。光电传感器广泛应用于工业制造。
光电传感器有如下几种分类:⑴槽型光电传感器 ⑵对射型光电传感器 ⑶反光板型光电开关 ⑷扩散反射型光电开关 具体的产品类型你可以看一下IMS的传感器,这是国内专业生产传感器的厂家,性能比较好。
光电传感器分类 ①按检测方式分类 (1)对射型 检测方式 为了使投光器发出的光能进入受光器,对向设置投光器与受光器。如果检测物体进入投光器和受光器之间遮蔽了光线,进入受光器的光量将减少。
1、具有使用频率宽,灵敏度高、信噪比高、结构简单、百工作可靠、测量范围广等优点,因此在压度力冲击和震动等动态参数测试中是主要的传感器品种,它可以把加速度问、位移、压力、温度、湿度等许多非电量答转换为电量。
1、光电子器件可分为体光电子器件、正反向结光电子器件、异质结和多结光电子器件。体光电子器件它是结构上最简单的一类光电子器件。半导体材料吸收能量大于禁带宽度的入射光子,激发出非平衡电子-空穴对(称为本征激发)。
2、按照其制造技术可分为分立器件半导体、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、存储器等大类,一般来说这些还会被再分成小类。
3、半导体发光器件是一种将电能转换成光能的器件。它包括发光二极管、红外光源、半导体发光数字管等。1·发光二极管发光二极管的管芯也是一个PN结,并具有单向导电性。
4、目前半导体元件包括 : 二极管、三极管、场效应管、晶闸管、达林顿管、LED以及含有半导体管的集成块、芯片等。
5、半导体器件(semiconductor device)通常,利用不同的半导体材料、采用不同的工艺和几何结构,已研制出种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极管,晶体二极管的频率覆盖范围可从低频、高频、微波、毫米波、红外直至光波。
6、元件与器件的分类是按照元器件制造过程中是否改变材料分子组成与结构来区分的,是行业划分的概念。在元器件制造行业,器件是由半导体企业制造,而元件则由电子零部件企业制造。元件:加工中没有改变分子成分和结构的产品。
1、光电效应分为光电子发射、光电导效应和光生伏特效应。前一种现象发生在物体表面,又称外光电效应。后两种现象发生在物体内部,称为内光电效应。
2、电效应可分为:外光电效应:指在光的照射下,材料中的电子逸出表面的现象。光电管及光电倍增管均属这一类。它们的光电发射极,即光明极就是用具有这种特性的材料制造的。
3、光电效应分为三类,分别是外光电效应、内光电效应和光生伏特效应。光电效应指的是高于某特定频率的电磁波照射下,某些物质内部的电子会被光子激发出来而形成电流,即光生电。
4、根据此效应产生电子的方式,可分为:外光电效应、内光电效应、后光电效应。
5、分类 通常把光电效应分为三类:外光电效应。在光线作用下能使电子逸出物体表面的现象称为外光电效应。基于该效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。内光电效应。
6、光电效应只能分为两类,光电效应分为:外光电效应和内光电效应。内光电效应是被光激发所产生的载流子(自由电子或空穴)仍在物质内部运动,使物质的电导率发生变化或产生光生伏特的现象。
1、一)按能显示的色彩种类的多少,可分为单色显示器和彩色显示器。二)按显示器件不同有阴极射线管显示器(CRT)、液晶显示器(LCD)、发光二极管(LED)、等离子体(PDP)、荧光(VF)等平板显示器。
2、即光-电和光-光转换器,分为利用光电效应的和热效应的两类。①光电效应:分为外光电效应和内光电效应。外光电效应就是光电子发射效应,利用这种效应的器件都是真空电子器件。
3、按电路功能划分——分立与集成 分立器件:具有一定电压电流关系的独立器件,包括基本的电抗元件、机电元件、半导体分立器件(二极管、双极三极管、场效应管、晶闸管)等。
4、光电子器件主要包括这两种种类: 光纤通讯器件 其中包括光有源器件(例如激光器,光收发模块等),光无源器件(例如光纤耦合器,光纤光开关,光分波器等)。
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