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CD4093是四个两输入与非施密特触发器组成的,图中显示的只是四个触发器中的一个,他是U2B,看看你的原理图,一定会有U2A,如果还有U2C和U2D,把他们放在一起看,对照CD4093的datasheet就可以明白了。
不同公司生产的同型号芯片一般功能是一致的,引脚排列也一致,只是在参数上会有细微差别,需要对照DATASHEET仔细阅读。
两边对称。所以我只说一边。D1 D2, 防止喇叭线圈产生感应高电压损害芯片。c1, 让交流信号输入,阻隔直流。r1, 提供输入接地直流电压。c1r1的时间常数要能让声频通过。大概0.022秒,也就是相当于45赫兹。
电路原理如上图所示,该电路是在MC34063典型的降压电路上,用开关变压器取代自感线圈实现的。利用开关变压器以获取隔离直流电源的能量供给。
下图是Datasheet中的典型应用电路。图中,输出电压为3V。输出电压Vout=(1+R5/R6)*0.8 取R6=1kΩ,R5=5kΩ,R4=250Ω,可获取5V输出。电压是电路中自由电荷定向移动形成电流的原因。
1、MOS管栅极串联电阻的确定方法:当 Rg 增大时,导通时间延长,损耗发热加剧; Rg 减小时, di/dt 增高,可能产生误导通,使器件损坏.应根据管子的电流容量和电压额定值以及开关频率来选取 Rg 的数值。
2、一般来讲就是在MOS的温度和EMI折中 示波器里量测电阻前后对地波形,可以看到电阻前的PWM比后面的要直。
3、把连接栅极和源极的电阻移开,万用表红黑笔不变,假如移开电阻后表针慢慢逐步退回到高阻或无限大,则MOS管漏电,不变则完好。然后一根导线把MOS管的栅极和源极连接起来,假如指针立刻返回无限大,则MOS完好。
你问的应该是,MOS管内部的二极管,反向导通。一般MOS管,衬底由于存在流离的电子、空穴。对D S 都有流向,这个流向可以表示为二极管,即体二极管。然而S和衬底是连在一起的,所以体二极管仅表示衬底对D漏极的二极管。
当 Rg 增大时,导通时间延长,损耗发热加剧; Rg 减小时, di/dt 增高,可能产生误导通,使器件损坏.应根据管子的电流容量和电压额定值以及开关频率来选取 Rg 的数值。
Ig:MOS栅极驱动电流;Vb:稳态栅极驱动电压;第三种:以IR的IRF640为例,看DATASHEET里有条Total Gate Charge曲线。该曲线先上升然后几乎水平再上升。
这里以一个NMOS做个例子来看看MOS管的datasheet,选的TI的CSD18540Q5B这颗60V的NMOS管,下面是它手册第一页的一个数据表,简单的5个项目就概括了这个MOS管最重要的参数。
Gate threshold voltage:门极驱动电压 min:1 最小值,2,1V typ:3 典型值 ,3V max:3,9V 最大值,9V 也就是说,1~9V都可以驱动门极。 3V是典型值,也就是推荐值。
MOS管栅极不要输入电流,或者说静态输入电流为零。但是该图描述它含有3247pF电容,如果输入PWM信号,应该按照这个电容去考察它的充放电电流。百度到该管的“datasheet”,给出的栅极-源极最高电压+-20V。
然后说正题,TO220的MOSFET的引脚排布,大部分都有规律可循,不标的极少见,我用IR公司的东西比较多,还真没见过几个不标的。标注的位置一般都有几个地方:第一页,标管脚的地方。
你可以看一下输出特性曲线(datasheet里一般都有) ,所谓的IDo也就是当UGS=2UGS(th)时,对应的ID值。
好的厂家给出的datasheet中,封装器件的尺寸都很详细。一般是元器件尺寸图在上面,下面会有个表格标明各个字母代表的数值。一一对应即可知道元器件尺寸大小。 引脚尺寸一般包含单个脚宽度、脚与脚之间的间距。
MOS管的输入电阻很大,这个电阻不是为了提升输入电阻或者限流作用。在低频条件下,电阻小,可忽略。在高频时,MOSFET的输入阻抗将降低,而且在某个频率范围内将变成负阻,会发生振荡。
,MOS管的GS电阻一定要已经在电路上,当然这个GS电阻也可以是MOS管驱动电路里面带的,比如下图,虽然电路没有直接接在GS上,但是比接在GS上效果更好。
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