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1、损耗因数常常随着温度和频率而改变。采用云母和玻璃电介质的电容，其 DF 值一般在 0.03% 至 0% 之间。室温时，陶瓷电容的 DF 范围是 0.1% 至 5%。电解电容的 DF 值通常会超出上述范围。
2、电容的损耗系数是DF，要用LCR METER测试，测试频率为120HZ，测试电压为0.5V或1V；电容损耗的计算公式DF=2*pi*fC*ESR，其中pi为圆周率14，f是频率，C是容值，ESR是等效串联阻抗。
3、③ Q值，又称为品质因数，是损耗因数的倒数。一般电容的手册中会标注Q或损耗因数。
4、特定频率的等效串联电阻与总容性电抗之比近似于损耗因数，而前者等于品质因数 Q 的倒数。损耗因数常常随着温度和频率而改变。采用云母和玻璃电介质的电容，其 DF 值一般在 0.03% 至 0% 之间。
5、分 品质因数(Q因数) quality factor 电学和磁学的量。
电容Q值实质上就是代表该电容的品质因数，我们知道任何一个电容器都不会是理想的电容器，在电容器通过交流信号时都会或多或少的产生功率损耗，这个损耗主要消耗在电容器本身的等效串联电阻和两极间的绝缘介质上。
区别如下：高频电容容量一般不能做到与普通的电解容量那么大。高频电容适合于在频率较高的电路，而普通的电解电容适合于在频率较低的电路。普通的电解电容，电容容量大且易发生漏电，而高频电解电容不会。
高Q值C0G系列MLCC，属于微波陶瓷多层片式瓷介电容器； 采用顺电体微波介质材料； 具有极高的稳定性，其电容量几乎不受时间、交流、直流信号的影响； 具有极低的介质损耗，即极高的Q值，超低的ESR。
电容的Q值和D值：Q值为品质因素，D 值为损耗角因素，也叫TAN&损耗角。Q值相当于D值的倒数，因此二者是成反比关系的。它们是衡量电容器的主要参数，Q值越高，其损耗越小，效率越高。
它的特点是可以大电流的充放电，而且充放次数远超过普通的铅酸电池，所以可以利用公交靠站的短暂时间迅速充满电。它在输出电能时特性与普通的电容类似。充电的电源应有较大的电流输出能力，否则电容很难在短时间内充满电。
Q值为品质因素，D值为损耗角因素，也叫TAN&损耗角。Q值相当于D值的倒数，因此二者是成反比关系的。它们是衡量电容器的主要参数，Q值越高，其损耗越小，效率越高。
电容的Q值和D值：Q值为品质因素，D 值为损耗角因素，也叫TAN&损耗角。Q值相当于D值的倒数，因此二者是成反比关系的。它们是衡量电容器的主要参数，Q值越高，其损耗越小，效率越高。
如果是物理学参数，d表示极板间距离（介质厚度），Q表示电容器储存的电荷量；如果是电容器工程参数，D代表电容器的损耗角正切值tgδ，表示它工作时的发热情况。
电容Q值实质上就是代表该电容的品质因数，我们知道任何一个电容器都不会是理想的电容器，在电容器通过交流信号时都会或多或少的产生功率损耗，这个损耗主要消耗在电容器本身的等效串联电阻和两极间的绝缘介质上。
允许伽差表示制造过程今电感量偏差大小，通常有三个等级，如表2所示电感器品质因数品质因数又称为Q值，用字母Q表示。Q位表示了线圈的“品质”愈高，说明电感线圈的功率损耗愈小，效率愈高。电感器额定电流个重要参数。
Q值：保险的一个代名词，指代的是销售保险所得的佣金。公司不同，Q值也不同，一般一个Q指代的是1000元或者1200元的佣金，业务员每个月或者每个季度都有Q值考核，Q值必须达标了才能晋升下个级别。
电容的Q值和D值：Q值为品质因素，D 值为损耗角因素，也叫TAN&损耗角。Q值相当于D值的倒数，因此二者是成反比关系的。它们是衡量电容器的主要参数，Q值越高，其损耗越小，效率越高。
Q值又叫品质因数，是衡量一个谐振回路或线圈的品质的重要参数。因为是个比值，所以是个不名数，只有数值，没有单位。
Q值相当于D值的倒数，因此二者是成反比关系的。它们是衡量电容器的主要参数，Q值越高，其损耗越小，效率越高。
Q值对于电感和电容的定义是一样的，即每个周期内存储的能量与损失的能量之比。一般情况下，Q值越高越好。
Q值为品质因素，D值为损耗角因素，也叫TAN&损耗角。Q值相当于D值的倒数，因此二者是成反比关系的。它们是衡量电容器的主要参数，Q值越高，其损耗越小，效率越高。
Q值指的是品质因数，电容的Q值越高代表该电容的品质越好。
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