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这个关系已经用HFE表达出来了啊,例如第三行,HFE=100,就表示基极电流与集电极电流的比值是100倍的关系,可以推算出此刻基极电流是0.1mA,只是没有写出来,因为测量方法众所周知,不必给出中间的过程。
“在增益与Ic变化的数据图上当IC达到500mA时,增益竟然没降到增益表HFE(2)中的50倍,而是120倍左右”50是最小值不是典型值。你需要搞清楚最小值、典型值、最大值都是什么意思。
查数据手册中的安全工作区,48V/6A的静态工作点可能已经超出安全工作区范围。栅极加16V,MOSFET DS之间的电阻只有0.1欧姆左右,相当于短路,如果48V电源功率足够,电流为480A,必然损毁。
重点关注芯片的参数,同时可以参考手册给出的一些参数图(如AD9945的 TPC 1,TPC2等),这是是否采用该芯片的重要依据。
这里以一个NMOS做个例子来看看MOS管的datasheet,选的TI的CSD18540Q5B这颗60V的NMOS管,下面是它手册第一页的一个数据表,简单的5个项目就概括了这个MOS管最重要的参数。
1、如果手捏栅极表针摆动较小,说明管的放大能力较差;表针摆动较大,表明管的放大能力大;若表针不动,说明管是坏的。根据上述方法,我们用万用表的R×100档,测结型场效应管3DJ2F。
2、先对MOS管放电,将三个脚短路即可;首先找出场效应管的D极(漏极)。
3、可以用测电阻法测量场效应管的好坏,用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
4、用表红笔触发栅极G有效,说明该管为P沟道场效应晶体管。2.判别其好坏 用万用表R×1k档或R×10k档,测量场效应管任意两脚之间的正、反向电阻值。
5、如果手捏栅极表针摆动较小,说明管的放大能力较差;表针摆动较大,表明管的放大能力大;若表针不动,说明管是坏的。(整体如图)根据上述方法,我们用万用表的R×100档,测结型场效应管3DJ2F。
MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。该额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流。 与电压情况类似,即使系统产生尖峰电流,也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流。 考虑的两个当前条件是连续模式和脉冲尖峰。
Vds一般选用600V或者800V,Rds尽量小点的话效率会高点,还有就是承受电流的能力。别人10n60就是10A/600V的mos管。还有就是厂家,比如FairChild、SHIP等啊,差别蛮大的。
,根据输出功率以及输入最小电压可以求出Ipft,一般mos的导通压降不大于最小Vdc的2%,所以可以推出其Rds。又由于Rds和温度有关,依据Rds选择是注意其余温度的关系。2,还有一种方法就是给定一个温差,然推出Rds。
MOS开关管损失 不管是NMOS还是PMOS,导通后都有导通电阻存在,这样电流就会在这个电阻上消耗能量,这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。
在连续导通模式下,MOS管处于稳态,此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流,只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。
nMOS:Vth=0.7V ,pMOS:Vth=-0.8V。MOSFET阈值电压V是金属栅下面的半导体表面出现强反型、从而出现导电沟道时所需加的栅源电压。
阈值电压受衬偏效应的影响,即衬底偏置电位,零点五微米工艺水平下一阶mos spice模型的标准阈值电压为nmos0.7v pmos负 0.8,过驱动电压为Vgs减Vth。
spice模型的标准阈值电压为nmos0.7v pmos负 0.8,过驱动电压为Vgs减Vth。
首先需要说40V不是开启电压,开启电压又叫阈值电压,一般都在2-6V之间。如果有型号可以查它的各种参数,如果单看40V5A,一般指的的是漏源击穿电压40V,漏源额定工作电流5A。
解析:你是指CMOS集成电路中的MOSFET导通电压么?对于CMOS电路来说,导通电压左右,也就是阈值电压是与工艺有关的。例如0.35um的工艺,PMOS的阈值电压为-0.7V左右,NMOS小一些,可能0.6V左右。
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