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G:gate栅极;S:source 源极;D:drain 漏极。N沟道的电源一般接在D,输出S,P沟道的电源一般接在S,输出D。增强耗尽接法基本一样。
这是MOS管热释电红外传感器,那个矩形框是感应窗口,G脚为接地端,D脚为内部MOS管漏极,S脚为内部MOS管源极。在电路中,G接地,D接电源正,红外信号从窗口输入,电信猜做号从S输出。
关于MOS管
晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管,或NMOS。散薯P-channel MOS(PMOS)管也存在,是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管。
判断源极S、漏极D
将万用表拨至R×1k档分别丈量三个管脚之间的电阻。用冲兆者交换表笔法测两次电阻,其中电阻值较低(一般为几千欧至十几千欧)的一次为正向电阻,此时黑表笔的是S极,红表笔接D极。因为测试前提不同,测出的RDS(on)值比手册中给出的典型值要高一些。
mos管坏了不可以直接短接,通过MOS管实现一定功能,比如稳压,通断功能,如果短接电源直接跨过MOS管,所有功能失效,会损坏设备。mos管是由输出信号控制的开关管,启动稳压的作用,如果短接就没有反馈控制导致电路烧毁。
MOS管接法:NMOS管左边的电路中,戚闹控制端为0V时MOS管关断,S极帆仔腊的电平为0,当G极给一定电压U0时MOS管导通,这时候负载(R)有电流(I)通过,S极的电压为U1等于R I,这时候G极和S极之间的压差为U2等于U0U1,当U2不能够将MOS管完全导通时流过负载的电流就会降低。
MOS管接法:当G极和S极之间的压差都是G极电压U0,只要U0能够将MOS管导通即可,不会出现左边电路态滑的情况。建议使用右边的MOS管驱动电路。
对于MOSFET型场效应管来说,他有三个电极团伏闷,即栅极G(控制)、漏极D和源极S(被控制),对于N沟道的(就是箭头指向栅极的内个)D、G接高电平(+),S接低电平(-),D、S导通(VGS要大于夹断电压塌弯,约为1V左右,根据管子不同夹断电厅备压也不同),电流方向为D--S 一般G的电压(相对于S)不能大于30V,否则会击穿!(一般为10V左右)同时DS两端的耐压,和所能承受的电流也一个考虑到(例如2N60B IDS=2A VDS=600V)最后还有跨导(gm)
MOS管开关电路是利用MOS管栅极(g)控制MOS管源极(s)和漏极(d)通断的原理构造的电路。因MOS管分为N沟道与P沟道,所以开关电路也主要分为两种。
一般情况下普遍用于高端驱动的MOS,导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与友携漏极电压(VCC)相同,所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V.如果在同一个系统里,要得到比VCC大的电压,就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵,要注意的是应该选择合适的外接电容,以得到足够的短路电流去驱动MOS管。
MOS管是电压驱动,按理说只要栅极电压到到开启电压就能导通DS,栅极串多大电阻均扰升能导通。但如果要求开关频率较高时,栅对地或VCC可以看做是一个电容,对于一个电容来说,串的电阻越大,栅极达到导通电压时间越长,MOS处于半导通状态时间也越长,在半导通状态内阻较大,发热也会增大,极易损坏MOS,所以高频时栅极栅极串的电阻不但要小,一般要加前置驱动电路的。
MOS开关电路
MOS和三极管相像,但是三极管属于电流驱动型,而MOS属于电压驱动型,因此在控制的时候需要考虑MOS的G端电压。一般的N沟道MOS在3V往上就可以缓告老导通,但是为了考虑可靠性,往往是加上一个电阻,接到12V左右,这是我们常用的。如图我们产品中的一个图,是电机驱动,用的就是MOS的开关特性。另外,数字电路中所用到的三极管和MOS就是一个开关,因为数字电路只有0和1。图中的PWM是单片机IO端口直接过来的,0V和5V可变。后面一个推挽电路,然后给MOS。
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