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1、半导体雪崩光电二极管 (semiconductor avalanche photodiode )是具有内部光电流增益的半导体光电子器件，又称固态光电倍增管。它应用光生载流子在二极管耗尽层内的碰撞电离效应而获得光电流的雪崩倍增。
2、雪崩光电二极管是一种p-n结型的光检测二极管，其中利用了载流子的雪崩倍增效应来放大光电信号以提高检测的灵敏度。
3、雪崩光电二极管（APD）：除了和PIN相同部分外，多了一个雪崩增益区，光生电流会被放大，放大的倍数称为雪崩增益系数。当然同时也会产生噪声电流。
4、雪崩光电二极管是利用二极管的雪崩击穿效应制成的，光电倍增二极管是放大光电信号的。二极管，（英语：Diode），电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。
1、雪崩二极管（avalanchediode）是一种特殊的二极管，它在高压下工作，并且能够通过破坏电压（breakdownvoltage）产生大量的热量和光。
2、雪崩光电二极管是一种p-n结型的光检测二极管，其中利用了载流子的雪崩倍增效应来放大光电信号以提高检测的灵敏度。
3、雪崩二极管 它是在外加电压作用下可以产生高频振荡的晶体管。
1、你可以找一下silicon sensor的光电二极管。我们用的是AD230-LCC6，波长635nm，雪崩二极管。
2、波长370纳米以下，透射深度大于20纳米。硅在可见光探测领域是最理想的材料之一，也是紫外光电传感的常用材料。硅材料对紫外光的响应度较低，这是由于紫外光在硅材料中的透射深度极浅(波长370纳米以下，透射深度大于20纳米)。
3、然而，如果光强足够大，雪崩光电二极管、感光耦合元件或者光电倍增管就能发挥作用，例如天文学、光谱学、夜视设备、激光测距仪等应用产品。
4、估计是不可以的，目前量产CCD和CMOS都是硅材料的。硅材料一般响应波长范围是从紫外到1000nm左右。而一般测量850nm-1550nm所用的材料是铟镓砷的。
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