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电阻ρ与温度t(℃)的关系是ρt=ρ0(1+at),式中ρt与ρ0分别是t℃和0℃时的电阻率。已知材料的ρ值随温度而变化的规律后,可制成电阻式温度计来测量温度。半导体材料的α一般是负值且有较大的量值。
电阻温度系数公式是TCR=dR/R.dT。电阻温度系数(temperature coefficient of resistance,简称TCR)表示当温度改变1摄氏度时,电阻值的相对变化,单位为ppm/℃。
实际应用时,通常采用平均电阻温度系数,定义式如下:TCR(平均)=(R2-R1)/(R1*(T2-T1))=(R2-R1)/(R1*ΔT)R1--温度为t1时的电阻值,Ω;R2--温度为t2时的电阻值,Ω。
ρ=a+bT+cT2(T2是T平方)。a、b、c、是常数有实验确定。对于铜测-50——180°C时,可以铜电阻与温度的关系是线性的,即Rt=R0(1+at)。R0=50(分度号为Cu50),R0=100(分度号为Cu100)。
电力变压器直流电阻温度换算公式:R75=R实测*(T+75)/(T+t实测)。T按照绕组的材料取值,铜取235,铝取225。
当为金属时,肯定的回答是温度越高电阻越大。金属导电是因为其内部有自由运动的电子(无规则)。当温度上升时,这些电子会加剧地来回振动,以致于阻碍电流。非金属物质(部分半导体)温度越高电阻越小。
温度越高电阻越大。当为金属时,温度越高电阻越大。原因,金属导电是因为其内部有自由运动的电子无规则。当温度上升时,这些电子会加剧地来回振动,以致于阻碍电流。
当所讨论的物质是金属时,随着温度升高温度越高,电阻就越大。原因:首先,由于电子的自由运动(不规则),金属可以导电。除了自由电子外,金属中的原子在其位置附近振动。振动的强度与金属的温度有关。温度越高,振动就越强。
非金属物质(部分半导体)温度越高电阻越小。原因:当温度上升时,其内部电子运动加剧(但不会来回振动),进而可以运载电荷。3 部分半导体温度越高电阻越大。原因:同1相似。本题的关键--电子的作用。
温度越高,振动就越强。同时,自由电子与原子间碰撞的几率越大,对电子的定向运动也就越有阻碍,即电阻的增加。当材料是金属时,温度越高,电阻就会越大。
是。根据齐家网相关资料显示,通常在电压一样的条件下,金属导体的温度愈高,电阻就愈大,而非金属导体的则相反,温度高电阻小。
电阻ρ与温度t(℃)的关系是ρt=ρ0(1+at),式中ρt与ρ0分别是t℃和0℃时的电阻率。已知材料的ρ值随温度而变化的规律后,可制成电阻式温度计来测量温度。半导体材料的α一般是负值且有较大的量值。
对于纯金属来说,电阻随温度的变化比较规则,在温度变化范围不大时,电阻与温度之间的关系正相关,不同金属材料的电阻温度系数亦不相同,温度与电阻的正相关关系不明显,但有些合金的电阻随温度变化很小。
α是电阻率的温度系数,与材料有关。锰铜的α约为1×10-1/℃(其数值极小),用其制成的电阻器的电阻值在常温范围下随温度变化极小,适合于作标准电阻。
对大多数导体来说,温度越高,电阻越大,如金属等;对少数导体来说,温度越高,电阻越小,如碳。电阻是导体本身的一种属性,因此导体的电阻与导体是否接入电路、导体中有无电流、电流的大小等因素无关。
金属的温度系数的定义是:设该金属在 0℃ 时的电阻率为 ρo,100℃时的电阻率为 ρ100,则0℃到100℃之间的平均温度系数为 αo ...100 =(ρ100-ρo)/100ρo。
小灯泡电阻与温度的关系是:小灯泡的电阻随温度的升高而增大。小灯泡的电阻和温度之间满足关系为T=aR0.83,其中T为热力学温度,单位是K,R为电阻,单位是Ω,a为常系数。
电阻ρ与温度t(℃)的关系是ρt=ρ0(1+at),式中ρt与ρ0分别是t℃和0℃时的电阻率。已知材料的ρ值随温度而变化的规律后,可制成电阻式温度计来测量温度。半导体材料的α一般是负值且有较大的量值。
金属材料在温度不高时,ρ(ρ为电阻率——常用单位Ω·mm2/m)与温度t(℃)的关系是ρt=ρ0(1+at),式中ρt与ρ0分别是t℃和0℃时的电阻率。α是电阻率的温度系数,与材料有关。
单一金属:电阻率随温度的升高而升高【成线性关系】;合金:电阻率几乎不随温度的变化而变化【标准电阻】;绝缘体和半导体:随温度的升高而减少【不成线性关系】。
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