mos管并联使用（mos管并联使用长时间之后烧了）

发布时间：2023-08-27

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发射模块如果两个串联使用，有一个晶体管是振荡发射，另一个是调幅调制，也就是数字调制。所以一个发热，一个正常。场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。

所以R1-4在能够防止各个MOS管的寄生振荡的情况下尽量小到可以满足开关速度。关于R5-R8的栅极下拉电阻，主要作用是在驱动IC损坏开路的情况下可以防止MOS管的误导通。

四个MOS管并联使用是扩展电流的，增加输出功率。这使用方法是当单个MOS管功率达不到所需值时才并联使用。

使用MOS管来控制恒流，MOS管上为了恒流，需要消耗功率，那么Ron很低的管反而不太合适，IRF9540是0.2欧姆，还是不错的，但是一定多个并联使用，然后加足够的散热片，必要时加风扇。

性能完全相同的MOSFET是可以并联的，实际上一只大功率MOSFET就是由成千上万个管芯并联而成的。但是如果各个管芯的性能不一致，那就容易出问题；这时可分别适当串联一个电阻后，再并联，可适当防止某个管芯的烧坏。

这种情况是不可能一起用的。不同型号的MOS管可能具有不同的电性能和参数，包括电流容限、电压容限、功率损耗等方面的不同。

多个mos管并联使用极间电容导通电阻具有正温度系数，具有并联均流的影响。mOS管适合并联使用，还可以降低损耗。但同时，一个或者几个管子坏了，会出现其他管子电流过大的状况。

MOS是不能并联的，开关时间很难控制同步，很容易炸机的降低温度的办法有很多，并联MOS是最不可取你可以选择容量大一点MOSFET，加很大的散热片，使用大封装的MOS。

mos管并联使用（mos管并联使用长时间之后烧了）

1、本电路采用两个MOS管构成的功率放大电路，其电路如图4所示。此电路分别采用一个N沟道和一个P沟道场效应管对接而成，其中RP2和RP3为偏置电阻，用来调节电路的静态工作点。

2、：这种是常见的正电源开关mos接法，一般电源都是负端开关，但是这是正端，所以需要2个场效应管。2：QP1 栅极需要和漏极电压（vcc）一致时才会关闭，那么R5的存在是必须的，它可以关断QP1。

3、你的“背靠背连接”是指什么意思？如果是两个管子并联，就是加大电流，用两只管子代替一只管子，提高驱动能力。如果是复合管连接，就是增大管子的跨导，即增大放大能力。

4、这个方法也适用于三极管的判别（NPN、PNP）。在上图中我们可以看到右边都有一个寄生二极管，起到保护的作用。那么根据二极管的单向导电性我们也能知道在电路连接中，D和S应该如何连接。

mos管并联一般都是在电流放大电路，当输出电流不够时，需要并联几个或几十个。

如果是两个管子并联，就是加大电流，用两只管子代替一只管子，提高驱动能力。如果是复合管连接，就是增大管子的跨导，即增大放大能力。

这是用来起阻尼作用的！对MOS起保护作用！同时还有均压的作用，可以保证串联的管子的工作电压。