mos管应用图（mos管应用电路）

发布时间：2023-08-27

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使用L297-L298的两相双极性或单极性四相步进电机与控制电路(舞台上允许的最大电流为2 A)。

单极性驱动电路使用四颗晶体管来驱动步进电机的两组相位，电机结构则如图1所示包含两组带有中间抽头的线圈，整个电机共有六条线与外界连接。

在图2所示的L297的内部方框图中。变换器是一个重要组成部分。变换器由一个三倍计算器加某些组合逻辑电路组成，产生一个基本的八格雷码(顺序如图3所示)。

L298N是SGS公司的产品，内部包含4通道逻辑驱动电路。是一种二相和四相电机的专用驱动器，即内含二个H桥的高电压大电流双全桥式驱动器，接收标准TTL逻辑电平信号，可驱动46V、2A以下的电机。

用l297和l298控制和驱动步进电机很方便。。l297的左边那几个口接单片机就可以了。

电路原理图：单片机驱动mos管电路主要根据MOS管要驱动什么东西，要只是一个继电器之类的小负载的话直接用51的引脚驱动就可以，要注意电感类负载要加保护二极管和吸收缓冲，最好用N沟道的MOS。

mos管应用图（mos管应用电路）

MOSFET-P是P沟道，MOSFET-N是N沟道；为了能正常工作，NMOS管外加的Vds必须是正值，开启电压VT也必须是正值，实际电流方向为流入漏极。

MOS场效应管分J型，增强型，耗尽型。一般来说N沟道是导电沟道是N型半导体，P沟道是P型半导体，然后再区分栅极压降是要正开启还是负开启。mos场效应管在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有极高的输入电阻。

从寄生二极管的方向判断，N沟道是由S极指向D极，P沟道是由D极指向S极。MOS集成电路特点：制造工艺比较简单、成品率较高、功耗低、组成的逻辑电路比较简单，集成度高、抗干扰能力强，特别适合于大规模集成电路。

MOSFET可以分成增强型和耗尽型，每一种又可以分成N沟道和P沟道。不过现实中，耗尽型的类型很少，而P沟道也比较少，最多的就是N沟道增强型MOSFET，也就是增强型N-MOSFET。

P和N 。这个和三极管类似，P沟道MOS的导通条件是栅极电压比漏极电压低5V以上，N沟道MOS的导通条件是栅极电压比源极电压高5V以上。记住这句话，这是关于MOS最重要的知识。增强型耗尽型。

pmos和nmos的区别是：PMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管全称：positivechannelMetalOxideSemiconductor别名，positiveMOS。

MOS开关电路图电路图如下：AOD448是30V 75A的管子，是用5V驱动的，偏高了点。可以用AOD442，AO3416等管子，电压用5V就能驱动。当电压为5V时，只有26豪欧。电流2到3安没问题。

P型场效应管应从S极输入、D极输出，你把输入和输出弄反了。那个R23，应接在S、G之间，而不是接在G、D之间。R23是泄放电阻，当控制信后从0到1时，迅速将加在G极的负压释放，保证有效关断。

下图是两种PMOS管经典开关电路应用：其中第一种NMOS管为高电平导通，低电平截断，Drain端接后面电路的接地端；第二种为PMOS管典型开关电路，为高电平断开，低电平导通，Drain端接后面电路的VCC端。