mos管的串并联（mos管串联版图）

发布时间：2023-08-27

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1、串联时，下面的管子工作在线性区，上面的管子分工作在线性区和饱和区进行讨论。根据电流相等的条件列出两个电流表达式，然后根据化简结果可以得到等效宽长比为W/2L。

2、宽长比是 MOS 管的导电沟道的宽与长的比，宽长比越大，MOS 管的 Id 就越大，也就是宽长比与 Id 成正比。具体公式可以去查书。

3、一般来说，nmos管的宽长比为pmos的1/3。mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。

4、mos管没有宽长比，mos管的VGS越负(绝对值越大)，沟道的导通电阻越小，电流的数值越大。

理论上MOS管可以由N颗并联，实际上MOS管并联多了容易引起走线很长，分布电感电容加大，对于高频电路工作产生不利的影响。下面以4颗为例说明MOS管的应用。

锂电池保护板电流是由保护IC检测电压和MOS管内阻决定的，如果保护IC无法更改，可以改MOS管，比如DW01与8205MOS，用一颗MOS管是2~5A，用两颗MOS管并联电流就会增加一倍。现在的大容量移动电源有的用3~4颗MOS管并联。

mos管并联一般都是在电流放大电路，当输出电流不够时，需要并联几个或几十个。

1、较为简单的方法是两管并联：分别将两管的栅极G、源极S和漏极D并联，最好分别在栅极和漏极上串联一只小阻值的均衡电阻，如图所示。其中RR4由漏极电流决定，使其上的压降1V左右即可。

2、栅的确是用一条长栅连在一起的，小方块应该是打的过孔吧，比如说金属1连到栅的（M1-Gate）的孔，这样方便后面的连线。

3、只需将相同极连接即可，越近越好，还要注意散热片位置尽量共用。

4、如图所示。无论是几输入与非门，都是NMOS管串联，PMOS管并联。

5、串联。根据物理知识查询显示，在mos管上打20根线是串联，能够保证用电安全且操作方便。MOS管是指场效应晶体管，在电路运用中非常广泛。

6、假设两个管子参数一样。并联时，各点的电压对应相等，两管子电流相等，由电流的表达式知道总的电流等于同样的电压下2W/L的管子的电流。串联时，下面的管子工作在线性区，上面的管子分工作在线性区和饱和区进行讨论。

mos管的串并联（mos管串联版图）

1、发射模块如果两个串联使用，有一个晶体管是振荡发射，另一个是调幅调制，也就是数字调制。所以一个发热，一个正常。场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。

2、MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。

3、当然也是发现MOS管工作正常与否的最直接反映。

4、按你的电路结构IRF44的漏极输出最大只有10K/20/*24V-VGES（6V)=6V，电机一转动时产生反电势，会使MOS管脱离饱和状态进入放大区，使用当然会很热，加50ohm会加剧3的情况，电机因电压太低工作不了。

5、mos管栅极电压太低的影响很大。具体如下：mos管栅极电压太低会导致mos管导通不完全，内阻增大，发热量增加。mos管栅极电压太低影响电阻，电压越低电阻越大，会导致保险丝烧断。

6、MOS管栅极串联电阻的确定方法：当 Rg 增大时，导通时间延长，损耗发热加剧； Rg 减小时， di/dt 增高，可能产生误导通，使器件损坏.应根据管子的电流容量和电压额定值以及开关频率来选取 Rg 的数值。