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1、不要光看发光二极管一侧的电流,还要看光敏三极管侧的电源电压和负载电阻大小。
2、首先,通常光耦的输入电流范围在2~20mA,一般大多数情况下用在5mA以下。对24V输入来讲,光耦压降3V,剩余电压27V,对8k电阻,光耦原边电流约3mA,满足其要求。至于22k电阻,要看具体应用。
3、输出电流能达到1A的电耦是有的,大电流输出的话只能是非线性的光耦,并且是开关量的。但如果强调必须是集电极电流Ic的话,则几乎没有。
要看单片机Io口的驱动能力,1mA电流,是没有问题的。你是利用Io口的输出电流,最好串一个2k的电阻。
一般电流控制在5~20mA,最大50mA。用5V电源驱动,可以串联电阻R=5/0.01=500R,所以你可以选择电阻200R~1K,建议取值330~510R。
发射极集电极电压:6V。集电极电流:50mA。集电极功耗:150mW。总功耗:200mW。主要特点。电流传输比 (CTR: MIN. 50% at IF=5mA ,VCE=5V)。高隔离电压:5000V有效值。
我看了一下,输入端大概有2V的压降,所以理论上是你采用的电压没有问题的。电流的大小,最大不能超过50mA,实际应用的话一般推荐5mA,但是据我所知,光耦在1mA也可以应用,看电路情况用吧,推荐5mA。
1、光耦的原理就是用光来实现信号的传输,从而实现前后级隔离的效果。
2、把发光源和受光器组装在同一密闭的壳体内,彼此间用透明绝缘体隔离。发光源的引脚为输入端,受光器的引脚为输出端,常见的发光源为发光二极管,受光器为光敏二极管、光敏三极管等等。
3、A。选用TLP250 光耦既保证了功率 驱动电路与P W M 脉宽调制电路的可靠 隔离,又具备了直接驱动MOSFET 的能 力,使驱动电路特别简单。
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