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ir二极管（IR二极管IRKD60012）

发布时间：2023-08-27
阅读量：37

本文目录一览：

常用整流二极管型号有哪些?

1、常见型号主要有：05Z2Y硅稳压二极管Vz=6至35V，Pzm=500mW。05Z18Y硅稳压二极管Vz=155至145V，Pzm=500mW。1N4001硅整流二极管50V，1A。1N4002硅整流二极管100V，1A。1N4003硅整流二极管200V，1A。

2、N5401N5402~1N5408，耐压分别为50V、100V、200V、300V、400V、500V、600V、800V、1000V。如果电流超过3A，可以选用大电流的肖特基二极管（最大电流有超过100A的。肖特基二极管具体型号太多，不一一列举了）。

3、A06A6A6A6A6A6A10；平均整流电流6A，最高反向峰值电压：6A05=50V、6A1=100V...6A10=1000V。

4、常见的整流二极管有1N4001N5401等型号。在电路中的文字符号为“V”或“VD”。 二极管整流电路一般都接在电源变压器的二次输出端或者220V的交流市电，通常是用四个二极管组成的桥式整流电路。

5、二极管普遍存在于电子设备产品中。根据半导体材料，二极管可分为锗二极管和硅二极管。按管芯结构可分为点接触二极管、面接触二极管和面接触二极管。

6、答案：50v2a的二极管常用的型号有1N5401N5401N5406等。其中，1N5402的最大反向电压为200V，1N5404的最大反向电压为400V，1N5406的最大反向电压为600V。解释：二极管是一种电子元器件，具有单向导电性。

如何测量二极管的IR?

1、IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。

2、一般根据二极管的特性来测量，用万用表电阻档测也可以。

3、首先，万用表选择二极管档 发光二极管：观测时，长脚为正。

4、说明该二极管已经损坏。将万用表置于R×100档或R×1k档，两表笔分别接二极管的两个电极，测出一个结果后对调两表笔，再测出一个结果。

5、用指针式万用表测量二极管的办法如下：将表拨至电阻档Rxk档。用两只表笔接触二极管正反两边，会出现下列几种种情况，a：一种是一边导通（2k左右），一边不通（接近无穷大），此种情况说明二极管是好的。

6、r ×100档或者r×1k 档，测量二极管的正反向电阻。如果二极管是好的，总会测得一大一小两个阻值。

二极管串联和并联的用法介绍

1、当流经电阻的电流约为最大截止电压下二极管漏电流的三倍时，该电阻值便是足够的。但即使在此条件下，电阻中仍会出现可观的损耗。原则上，动态的电压分布不同于静态的电压分布。

2、解析：有时需要两个以上二极管并联使用，以增加整流电流。（或提高电流通过能力）。并联时，但需注意二极管的耐压值及单只二极管的充许电流值。有时为了提高正向压降值，或堤高反向耐压值，需多个二极管串联。

3、并联二极管可防止表头两端电压超过二极管的正向导通电压，串联二极管可阻止表头的反向电流，作用都是保护表头。

4、MDD二极管并联是为了提高输出电流，当单个MDD二极管的最大输出电流不够时可并联二极管。二极管并联时要用参数一致的，最好要在每个二极管两端并联均流电阻。MDD二极管串联是为了提高耐压值。

5、稳压二极管齐纳击穿后，其两端电压值非常稳定，即使流过稳压二极管的电流发生较大的变化，两端电压变化量也非常小，表现出很好的稳压特性。

6、发光二极管是 可以串联使用 的，串联时要注意极性，是一正一负相连接的，如果连接没有问题，就是电压有些低了，稍稍提高一下电压试试。 发光二极管在 并联 使用时电压一般是恒定的，电流变化比较大。

红外二极管工作的原理是什么

1、红外二极管工作原理红外二极管（IRdiode）是一种用于探测红外线的半导体器件。它的工作原理是通过探测周围的红外线光，并将其转换为电信号。红外二极管由一个p型半导体和一个n型半导体组成，这两个半导体在一起形成一个p-n结。

2、红外二极管的工作原理：红外二极管是将电信号装化为红外光信号（一种不可见光）的电子元件。

3、红外接收二极管是一种半导体器件，它能够接收红外线并转换为电信号。它通常由p-n结构组成，当红外线照射到二极管表面时，会产生电子-空穴对，这些电子-空穴对会在p-n结中流动，造成电流。这种电流被用来检测红外信号。

4、红外发射二极管(IRED)是一种电子器件，它能将电能转换为红外光能。它包含一个p-n结，在正向电压作用下，电子从n型材料进入p型材料，在p-n结的边缘区域发生红外光发射。

5、接收管工作原理：红外线接收二极管是在反向电压作用之下工作的。红外线接收二极管在一般照度的光线照射下，所产生的电流叫光电流。如果在外电路上接上负载，负载上就获得了电信号，而且这个电信号随着光的变化而相应变化。

6、光敏二极管与半导体二极管在结构上是类似的，其管芯是一个具有光敏特征的PN结，具有单向导电性，因此工作时需加上反向电压。无光照时，有很小的饱和反向漏电流，即暗电流，此时光敏二极管截止。

二极管的反向电流Is和Ir有什么区别?

IR：在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值。VRM：二极管正常工作时所允许的反向电压峰值，通常VRM为VP的三分之二或略小一些。FM：二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。

流过二极管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10℃，反向电流增大一倍。

不同材料的二极管，反向电流大小不同，硅管约为1微安到几十微安，锗管则可高达数百微安，另外，反向电流受温度变化的影响很大，锗管的稳定性比硅管差。

反向饱和漏电流IR：IR指在二极管两端加入反向电压时，流过二极管的电流，肖特基二极管反向漏电流较大，选择肖特基二极管是尽量选择IR较小的二极管。

在二极管加有反向电压，当电压值较小时，电流极小，其电流值为反向饱和电流IS。当反向电压超过某个值时，电流开始急剧增大，称之为反向击穿，称此电压为二极管的反向击穿电压，用符号UBR表示。

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