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可控硅、GTO是电流触发，其中可控硅触发导通后要等到电流过0时才关断；GTO称之为可关断可控硅，可以在有电流时关断。
gto是一种电流控制型的自关断双极型器件。gto电压、电流容量大，适用于大功率场合，具有电导调制效应，其通流能力很强，电流关断增益很小，关断时门极负脉冲电流大，开关速度低，驱动功率大，驱动电路复杂，开关频率低。
相控触发脉冲可用于驱动半控型电力电子器件，例如晶闸管。脉冲触发型，例如晶闸管，GTO。电子控制型，例如GTR，PowerMOSFET，IGBT。
可关断晶闸管是一种通过门极来控制器件导通和关断的电力半导体器件。
晶闸管是一种大功率的整流元件，它的整流电压可以控制，当供给整流电路的交流电压一定时，输出电压能够均匀调节，它是一个四层三端的半导体器件。
在tf阶段，GTO元中两个等效晶体管从饱和退出到放大区；所以随着阳极电流的下降，阳极电压逐步上升，因而关断时功耗较大。在电感负载条件下，阳极电流与阳极电压有可能同时出现最大值，此时的瞬时关断损耗尤为突出。
这是由于普通晶闸管在导通之后即外于深度饱和状态，而GTO在导通后只能达到临界饱和，所以GTO门极上加负向触发信号即可关断。
门极可断晶闸管(gate turn-off thyristor，GTO)是一种具有自断能力的晶闸管。
gto是一种电流控制型的自关断双极型器件。gto电压、电流容量大，适用于大功率场合，具有电导调制效应，其通流能力很强，电流关断增益很小，关断时门极负脉冲电流大，开关速度低，驱动功率大，驱动电路复杂，开关频率低。
GTO(门级可关断晶闸管)：全控型器件 电压、电流容量大，适用于大功率场合，具有电导调制效应，其通流能力很强 电流关断增益很小，关断时门极负脉冲电流大，开关速度低，驱动功率大，驱动电路复杂，开关频率低 。
双极型器件，例如电力二极管、晶闸管、GTO、GTR；单极型器件，例如PowerMOSFET、SIT、肖特基势垒二极管；复合型器件，例如MCT（MOS控制晶闸管）、IGBT、SITH和IGCT。
1、而不像是二极管过了导通电压就能直接导通，但其关断不能通过门极关断，而是将电流减小至某个值以下，或是直接的换向关断。GTO是Gate Turn-off Thyristor， 为门极可关断晶闸管，即可以通过控制门极关断晶闸管。
2、GTO是可关断晶闸管，从它的电路符号可以看出它与晶闸管有一定的相似之处。
3、GTO(门级可关断晶闸管)：全控型器件 电压、电流容量大，适用于大功率场合，具有电导调制效应，其通流能力很强 电流关断增益很小，关断时门极负脉冲电流大，开关速度低，驱动功率大，驱动电路复杂，开关频率低 。
4、GTO的容量及使用寿命均超过GTR，只是工作频率比GTR低。目前，GTO已达到3000A、4500V的容量。大功率可关断晶闸管已广泛用于斩波调速、变频调速、逆变电源等领域，显示出强大的生命力。
5、用GTO晶闸管作为逆变器件取得了较为满意的结果，但其关断控制较易失败，故仍较复杂，工作频率也不够高。而几乎是与此同时，大功率管(GTR)迅速发展了起来，使GTO晶闸管相形见绌。因此，在大量的中小容量变频器中，GTO晶闸管已基本不用。
1、实际上，因为GTO是多元集成结构，数百个以上的GTO元制作在同一硅片上，而GTO元的特性总会存在差异，使得GTO元的电流分布不均，通态压降不一，甚至会在开通过程中造成个别GTO元的损坏，以致引起整个GTO的损坏。
2、这是由于普通单向晶闸管在导通之后即处于深度饱和状态，而GTO在导通后只能达到临界饱和状态。所以，在可关断晶闸管的门极上加负向触发信号后，通态电流开始下降，使管子不能维持内部电流的正反馈。
3、普通单向晶闸管只构成一个单元器件，而可关断晶闸管则构成一种多元的功率集成器件，它的内部包含数十个甚至数百个共阳极的小GTO单元。
4、GTO是可关断晶闸管，从它的电路符号可以看出它与晶闸管有一定的相似之处。
5、gto电压、电流容量大，适用于大功率场合，具有电导调制效应，其通流能力很强，电流关断增益很小，关断时门极负脉冲电流大，开关速度低，驱动功率大，驱动电路复杂，开关频率低。
6、据gto基本结构得知，三个引脚分别是控制极G（门极）、阳极A、阴极K，为四层PNPN结构。门极可关断晶闸管（GTO）是一种具有自关断能力和晶闸管特性的晶闸管。若在阳极加正向电压时，门极加上正向触发电流，GTO就导通。
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