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.锗材料二极管的正向导通死区电压约为0.2V不到，一般导通后的压降按0.2V计算；硅材料二极管的正向导通死区电压约为0.6V，通后的压降按0.7V计算。
锗材料二极管导通时，其两端电压为 0.3伏。硅材料二极管导通时，其两端电压为0.6伏 。反向击穿区 管降大说明分压的电阻大，所以是大。是的，理想二极管反向电阻无穷大。
锗管压降0.2V~0.3V，大电流至少0.3V。但是因为除了压降其他指标都不如硅管，锗管现在已经很少了，几乎可以算是淘汰了。建议你用肖特基二极管。
硅二极管的死区电压约为 0.6伏，正向导通压降约为0.7 伏。
硅材料二极管的死区电压约为0.5V，正向导通压降UF约为0.7V 。 1：P型半导体其多数载流子为空穴，掺入微量的3价，硼，镓等。
硅二极管导通电压为0.5V-0.8V，一般取0.7V，死区电压为0.5V左右。
绪二极管的死区电压是0.2V。硅二极管的死区电压是0.5V，锗二极管的死区电压是0.2V。硅二极管的导通电压是0.7V，锗二极管的导通电压是0.3V。
死区电压，指的是即使加正向电压，也必须达到一定大小才开始导通，这个阈值叫死区电压。
将二极管伏安特性的线性部分用切线来替代，切线与电压轴的交点，被定义为门槛电压，有时称为 “死区电压”；当二极管的电流达到额定电流时，二极管两端的电压降称为通态压降。
通常把电压Ur称为二极管的门限电压，也称为死区电压或阈值电压。由于硅二极管的Is远小于锗二极管的Is，所以硅二极管的门限电压大于锗二极管的门限电压。
死区电压，指的是即使加正向电压，也必须达到一定大小才开始导通，这个阈值叫死区电压，硅管约0.5V，锗管约0.1V。（硅和锗是制造晶体管最常用的两种半导体材料，硅管较多，锗管较少）。
1、这个一定数值的正向电压称为死区电压；其大小与材料及环境温度有关。通常锗管的死区电压约为0．2V，硅管的死区电压约为0．5V。
2、死区电压也叫开启电压，是应用在不同场合的两个名称。在二极管正负极间加电压，当电压大于一定的范围时二极管开始导通，这个电压叫开启电压。锗管0.1左右，硅管0.5左右。
3、一般硅二极管的死区电压约为0.5V。死区电压也叫开启电压，是应用在不同场合的两个名称。死区电压，指的是即使加正向电压，也必须达到一定大小才开始导通，这个阈值叫死区电压，硅管约0.5V，锗管约0.1V。
1、这个一定数值的正向电压称为死区电压；其大小与材料及环境温度有关。通常锗管的死区电压约为0．2V，硅管的死区电压约为0．5V。
2、只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门坎电压”，又称“死区电压”，锗管约为0.1V，硅管约为0.5V）以后，二极管才能真正导通。
3、死区电压：二极管正向加电时维持电流基本上为0的最大电压。硅二极管大约是5V左右。正向压降：二极管导通后，其正向电压是几乎横定的大约等于0.7V（硅二极管）也就是所谓的 正 向压降。
4、小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下，约0.6～0.8 V；锗二极管约0.2～0.3 V。大功率的硅二极管的正向压降往往达到1V。
5、死区电压与导通压降的区别请看图。只有当正向压降超过死区电压时二极管才有电流。
6、二极管是一个PN结，电流可以从P流向N ，反之不导通，P和N之间的电压是0.7V左右，这就是二极管的压降，在电路里串连一个二极管就降低0.7V的电压，前提是电流方向是从P到N。
导通电压就是死区电压，只不过应用的场合不同罢了。在二极管正负极间加电压，当电压大于一定的范围时二极管开始导通，这个电压叫导通电压。锗管0.3左右，硅管0.7左右。
开启电压是小于该电压时二极管是不导通的（电流可以忽略）；导通电压是指二极管已经导通了（肯定有无法忽略电流）的正向压降。伏安特性曲线 开启电压以下的部分相当于二极管伏安特性曲线中与X轴接近平行的部分。
不同材料的pn结，二极管，三极管导通电压不同，硅材料三极管，硅材料二极管，硅材料pn结导通电压为0.5-.7伏左右，锗材料pn结，锗材料二极管，锗材料三极管导通电压为0.1-0.3左右。
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