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1、判断mos工作在放大区,饱和区,截止区,击穿区。
2、场效应管放大电路工作在放大状态。场效应管工作原理用一句话说,就是“漏极-源极间流经沟道的ID,用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。
3、FET管处于放大状态,要求很简单,就是要想办法让管子处于饱和区(FET的饱和区与三极管的饱和区定义完全不同,相当于三极管的放大区)。严格的说有两个条件:保证FET管导通;使管子处于饱和区,不同类型管子不一样。
4、判断管子,关键是要理清楚符号,场效应管有6个不同类型(NJFET、PJFET、增强型NMOS、增强型PMOS、耗尽型NMOS、耗尽型PMOS),符号,特性都不同,这部分只能靠记(多看看熟了也行)。
5、双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后,在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比(beta)。另一种晶体管,叫做场效应管(FET),把输入电压的变化转化为输出电流的变化。
不一定。看管子的,看输出特性曲线就知道了。NJFET在恒流区有这个性质,UGS一定是负值且,UDS是正值。但耗尽型NMOS在UGS为正、负、0的情况下都能工作,后两种可以说UDS一定大于UGS,但第一种情况下未必。
从结构上看,N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似,其区别仅在于栅-源极间电压vGS=0时,耗尽型MOS管中的漏-源极间已有导电沟道产生,而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。
n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压,且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压时,就有导电沟道产生的n沟道MOS管。
N沟道MOS管也就是说S、D为N+区,其沟道为N型,即为电子。N沟道耗尽型MOS管是MOS管不需要工作电压就有了导电沟道,而P型增强型MOS管则是需要一定的电压才能反型。
在衬底上也引出一个电极B,这就构成了一个N沟道增强型MOS管。MOS管的源极和衬底通常是接在一起的。NMOS晶体管简介:NMOS英文全称为:N-Mental-Oxide-Semiconductor。
因为MOS管主要为配件提供稳定的电压,所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中,CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管,而内存插槽共用一组MOS管。一般来说,MOS管两个一组出现在主板上。
1、mos管的线性区就是 可变电阻区,其阻抗与栅压成反比;mos管的饱和区是放大区,其电流电压曲线如三极管的放大区。
2、判断mos工作在放大区,饱和区,截止区,击穿区。
3、MOS管和BJT都有线性工作区和饱和区,当其工作于放大状态时处在线性区,相应的输入输出量成线性关系;而位于饱和区的输入输出不成线性关系。
mos管的线性区就是 可变电阻区,其阻抗与栅压成反比;mos管的饱和区是放大区,其电流电压曲线如三极管的放大区。
输出特性曲线中,场管的工作区域分成了三个部分:可变电阻区(对应三极管的饱和区),恒流区(对应三极管的放大区),夹断区,也叫截止区(对应三极管的截止区)。
MOS管三个极,分别是栅极(G)源极(S)和漏极(D)。MOS器件是电压控制型器件,用栅极电压来控制源漏的导通情况。MOS管和三极管截止区:NMOS管的如果栅压小于阈值电压,MOS管相当于两个背靠背的二极管,不导通。
判断mos工作在放大区,饱和区,截止区,击穿区。
一共分四个区:可变阻区;预夹断区;饱和区,恒流区或放大区;截止区或全夹断区。
应该是可变电阻区,饱和区,击穿区,夹断区。开关状态工作在可变电阻区(此区相当于饱和导通)和夹断区(此区相当于截止)。放大状态工作在饱和区。注意:MOS管的饱和区和三极管的饱和区,完全不是同一个概念。
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