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1、国标1094-1规定：总损耗偏差+10%，空载损耗和复载损耗+15% ，但总损耗不得超过+10%。 标准里还有描述：对某些自偶变压器和增压变压器，因其阻抗很小，则应有更大的偏差。
2、用公式计算。△U=（P*L）/(A*S)其中：P为线路负荷L为线路长度A为导体材质系数（铜大概为77，铝大概为46）S为电缆截面。
3、变压器在35KV以下，电压比小于3的，允许偏差正负1%，其他所有变压器电压比允许偏差正负0.5%。产品简介 根据IEC及国家有关规定，变压器生产过程中的半成品和成品以及新安装和检修后的变压器在投运前必须进行变压比测试。
4、从3C规格标准上说，国内基本是按+/-10%来的，所以12V的波动范围：8V~12V之间。目的：为了满足电源板或主板上IC输入电源的需要，否则会有损坏IC的可能。
并接在待测电压的线端就行。电流检测，实际上也依赖电压检测，再计算出电流。共有两种方法：互感检测法。互感检测法，一般用在 高电压 大电流 场合(交流)。
电流检测常用的方式为电阻直接取样、利用霍尔元件(LEM)取样和利用电流互感器取样。用电阻取样易于实现，电路设计简单，但损耗大，检测信号易受干扰，适用于小功率转换电路，电路如图1所示，其中R1为电流检测电阻。
如何测量电路板上电阻的电流，主要有两种方法：一种是将电流表串联到回路中测量电流，另一种是将电压表并联在回路中测量电压。
具体方法如下：使用钳形电流表可以比较明显的检测三相电机的电流，方法是挑出一颗相线，钳口内部将线钳入即可测量。使用500伏特的摇表，方法是摇三个接线柱上的线即可测量。
脉宽调制芯片可以用UC3842，稳定度会比三极管高。这个电路三极管只用了一个，用于调节开关管G12开关。场效应管耐压值选择耐压及电流大于BUK456即可。
其一，辅助电源向微机主板电源监控电路输出+5VSB待机电压，当主板STR待机时，本单元电路负责给主板的内存供电以维持内存中的信息不丢失。 其二，向ATX电源内部脉宽调制芯片主工作IC TL494的12脚和推动变压器一次绕组提供直流工作电压+22V。
包括高频率、功耗大的CPU，带有内部集成大量晶体管的主芯片的各个板卡，带有高速直流伺服电机的光驱、软驱和硬盘，若干个散热风扇以及电源内部的变压器等等，工作时则会发出低频电磁波等辐射和噪音干扰。
）II级降额：中等降额，对元器件使用可靠性有明显改善，在设计上较I级降额易于实现。适用情况包括：设备的失效将可能引起装备与保障设施的损坏；有高可靠性要求，且采用了某些专门的设计；需支付较高的维修费用。
降低额度。如果信用卡被突然降额，可以试试以下几个办法：致电客服说明情况，并申请解封卡片。提供涉嫌套现的消费发票或者POS签单通过传真扫描等方式提交给银行，就可以解封了。
所谓“降额使用”，即，实际工作电流，工作电压，工作温度等参数，都要在器件标定的“额定值”上打一个折扣，比如，器件额定电压100V，实际工作电压70V，一般，打折越多，寿命越长。有计算公式的。
大客户的采购胃口很大，要求很高，需要你的代理资质、你能承受的较长的帐期和你和上游工厂的关系。对于国产的元器件产品做起来很累，价格透明、数量大、利润低。
功率降额： 就是你设计的电路某元件的实际消耗最大功率要比元件的额定功率小。比如：某三极管的最大集电极耗散功率为2W。
）II级降额：中等降额，对元器件使用可靠性有明显改善，在设计上较I级降额易于实现。适用情况包括：设备的失效将可能引起装备与保障设施的损坏；有高可靠性要求，且采用了某些专门的设计；需支付较高的维修费用。
了使元器件的失效率降低，所以在电路设计时要进行降额设计。降额程度，除可靠性外还需考虑体积、重量、成本等因素。
工作频率一般来说工作频率越高，输出纹波噪声就更小，电源动态响应也更好。但是对元器件尤其是磁性材料的要求也更高。一般模块电源的开关频率是在300kHz以下，甚至更低。所以要求高的场合需要选择更高开关频率的产品。
初次级绝缘性能好，高频变压器100%采用真空浸透。满负荷高温烧机，100%老化测试。具有短路，过载，过压保护功能（可自动恢复）。隔离式设计：阻燃防火材料。节能、环保、效率高等等。
电源功率；是否需要认证及安规标准；电源的冷却方式：自然冷却或强制风冷；电磁兼容标准。东莞成良智能科技3D打印机电源，散热简单实用、安装方便。散热快，耐用型金属外壳，防震、防摔、保护内部零件不受损害。
1、雪崩电流在功率MOS管的数据表中表示为IAV，雪崩能量代表功率MOS管抗过压冲击的能力。
2、光敏二极管和光敏三极管是光电转换半导体器件，与光敏电阻器相比具有灵敏度高、高频性能好，可靠性好、体积小、使用方便等优点。 光敏二极管也叫光电二极管。
3、MOSFET的雪崩特性是在外加电压大于V(BR)DSS时MOSFET也不会遭到破坏的最大漏源间的能量，用漏极电流的值来表示。当负载为电感时．在管子截止时加在漏源间的冲击电压常常会大+V(BR)DSS。
4、该电流将耗散功率，使器件的温度升高，而且有可能损坏器件。半导体公司都会对器件进行雪崩测试，计算其雪崩电压，或对器件的稳健性进行测试。计算额定雪崩电压有两种方法；一是统计法，另一是热计算。而热计算因为较为实用而得到广泛采用。
5、碰撞离化、雪崩和击穿效应是许多重要的半导体器件的基础。如雪崩光二极管、雪崩晶体管、抑制器、锐化二极管(击穿被延迟的二极管)、Impact和俘获等离子雪崩触发渡越二极管等。
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