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1、档位不变,将G极和D极短接,表笔接法不变,显示的电阻值应该非常小、接近零。如果是这样,表面上看管子是好的。P沟道场效应管,需要将红、黑表笔反过来接,其余步骤相同。
2、再改用万用表r×1ω挡,将负表笔接漏极(d),正笔接源极(s),万用表指示值若为几欧姆,则说明场效应管是好的。
3、测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
N65是N沟道场效应管(MOS管),650V20A,引脚向下,字面向自己,从左到右依次是G、D、S。
测电阻法检测MOS管是用万用表测量MOS管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同MOS管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
可以用万用表测量场效应管的好坏。使用万用表二极管导通档,从左至右一般都是GDS排列,量最右边管脚S到中间脚D是否正向导通,但不短路,量左边脚G与右边脚S是否相互不导通,如此则为好的N-MOS。场效应管英文缩写为FET。
用数字万用表判断MOS管的好坏 红左,黑中、右 无穷大 黑左, 红中、右 无穷大 红中,黑右 无穷大;黑中红右显示530(左右)。
它一般有耗尽型和增强型两种。增强型MOS场效应管可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型,PNP型也叫P沟道型。
1、从结构上看,N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似,其区别仅在于栅-源极间电压vGS=0时,耗尽型MOS管中的漏-源极间已有导电沟道产生,而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。
2、主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中。因为MOS管主要为配件提供稳定的电压,所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中,CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管,而内存插槽共用一组MOS管。
3、G:gate 栅极;S:source 源极;D:drain 漏极。N沟道的电源一般接在D,输出S,P沟道的电源一般接在S,输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管,或NMOS。
1、用测电阻法判别场效应管的好坏:测电阻法检测MOS管是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
2、可以用测电阻法测量场效应管的好坏,用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
3、若MOS场效应管内部D-S两极之间的寄生二极管击穿损坏,用二极管档测量时,万用表显示的读数接近于零。用万用表的二极管档给5N60C栅源两极(G-S两极)之间的电容充电。
4、做完以上准备工作后,按以下三个步骤操作,即可判断控制器好坏。
5、若测得某两极之间的电阻值接近0Ω,则说明该管已击穿损坏。另外,还可以用触发栅极(P沟道场效应晶体管用红表笔触发,N沟道场效应管用黑表笔触发)的方法来判断场应管是否损坏。
6、测试MOS好坏只能用指针式万用表才方便点,测试时选择欧姆R×10K档,这时电压可达5V,红笔是负电位,黑笔是正电位。测试步骤:MOS管的检测主要是判断MOS管漏电、短路、断路、放大。
如果手捏栅极表针摆动较小,说明管的放大能力较差;表针摆动较大,表明管的放大能力大;若表针不动,说明管是坏的。(整体如图)根据上述方法,我们用万用表的R×100档,测结型场效应管3DJ2F。
第一步:将万用表置于二极管档测量,用红表笔接控制器负极,黑表笔依次测量控制器主线中的黄、绿、蓝线,读数约在500左右(数字万用表),三次读数应基本一致。
把红笔接到MOS的源极S上,黑笔接到MOS管的漏极上,好的表针指示应该是无穷大。如果有阻值没被测MOS管有漏电现象。
用电池正极和任选的一根电机线短路,反复进行,若MOS未损坏,则表明电动机控制器良好;检验控制器效率,关闭超速功能,在同一辆车子空载情况下,测试不同控制器达到的最高速,速度越高,则效率越高,电动机控制器越好。
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