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1、光敏电阻的基本特性包括伏-安特性、光照特性、光电灵敏度、光谱特性、频率特性和温度特性等。光敏电阻是用硫化镉或硒化镉等半导体材料制成的特殊电阻器,其工作原理是基于内光电效应。
2、光照特性指光敏电阻输出的电信号随光照度而变化的特性。从光敏电阻的光照特性曲线可以看出,随着的光照强度的增加,光敏电阻的阻值开始迅速下降。若进一步增大光照强度,则电阻值变化减小,然后逐渐趋向平缓。
3、光敏电阻特性是:对光线十分敏感。光照愈强,阻值就愈低。随着光照强度的升高,电阻值迅速降低。
无阻塞特性是指光开关的任一输入端能在任意时刻将光波输出到任一输出端的特性。大型或级联光开关的阻塞特性更为明显,光开关要求具有严格的无阻塞特性。
光开关的特性参数 插入损耗(Insertion loss) 回波损耗(Return loss) 从输入端返回的光功率与输入光功率的比值。 隔离度 两个相隔离的输出端口光功率的比值。
光开关性能参数有多种,如:快切换速度、高隔离度、小插入损耗、对偏振不敏感及可靠性,不同领域对它的要求也各不相同。
光电开关是光电接近开关的简称,它是利用被检测物对光束的遮挡或反射,由同步回路接通电路,从而检测物体的有无。物体不限于金属,所有能反射光线(或者对光线有遮挡作用)的物体均可以被检测。
光开关是一种具有一个或多个可选的传输埠的光学器件,其作用是对光传输线路或集成光路中的光信号进行物理切换或逻辑操作。光开关从制造工艺来分类,可分成机械式,微光机电MEMS系统方式开关和其他方式开关。
基本特性:光电开关一般都具有良好的回差特性,因而即使被检测物在小范围内晃动也不会影响驱动器的输出状态,从而可使其保持在稳定工作区。同时,自诊断系统还可以显示受光状态和稳定工作区,以随时监视光电开关的工作。
1、温度特性 温度对光敏三极管的暗电流及光电流都有影响。由于光电流比暗电流大得多,在一定温度范围内温度对光电流的影响比对暗电流的影响要小。
2、管芯常使用一个具有光敏特征的PN结,对光的变化非常敏感,具有单向导电性,而且光强不同的时候会改变电学特性,因此,可以利用光照强弱来改变电路中的电流。
3、实际使用光电三极管时常采用带基极引线的光电三极管,并提供一定的基极电流。对无基极引线的光电三极管,则给予一定照度的背景光,使其工作于线性放大区,以得到较大的集电极电流,这将有利于提高光电三极管的频率响应。
4、光电三极管的伏安特性曲线向上偏斜,间距增大。这是因为光电三极管除具有光电灵敏度外,还具有电流增益β,并且,β值随光电流的增大而增大。 光电三极管的时间响应常和PN结的结构及偏置电路等参数有关。
1、⑤寿命,反映光电二极管退化的主要参数是反向漏电流,室温反向漏电流增加至原始值10倍时的工作时间为光电二极管的寿命。
2、光敏二极管主要参数 ①最高工作电压Umax:在无光照射时,光敏二极管反向电流不超过0.lμA时,所加的反向最高电压值。②光电流IL:光敏二极管在受到一定光线照射时,在加有正常反向工作电压时的电流值。
3、光电探测器性能参数主要有:量子效率、响应度、频率响应、噪声和探测度等。 光电探测器的种类有很多,不同的种类原理也不同。 比较常用的是photodiode,光电二极管,主要参数有光敏面面积,极间电容,暗电流,NEP。
4、Vce=10V H=100lx时,光电流典型值IL=5mA Vce =10V时,暗电流最大值ID=100nA 这是我公司光二极管的特性参数,你可以参考。
5、发光二极管的正向电阻应小于50Ω-80Ω;反向电阻应大于400kΩ。二极管正向电阻的大小还和正向电流的大小相关,当二极管的正向电流在变化时,二极管的正向电阻将随之微小变化,正向电流越大,正向电阻越小,反之则越大。
6、光电二极管的一些关键性能参数包括以下几项。响应率 一个硅光电二极管的响应特性与突发光照波长的关系响应率(responsivity)定义为光电导模式下产生的光电流与突发光照的比例,单位为安培/瓦特(A/W)。
光电倍增管的放大倍数及阳极灵敏度 由于次阴极的电子倍增作用,从光阴极每发射一个电子,倍增后在阳极得到M个电子。M就叫光电倍增管的放大倍数,一般在105~108范围。
光电倍增管采用了二次发射倍增系统,所以在探测紫外、可见和近红外区的辐射能量的光电探测器中,具有极高的灵敏度和极低的噪声。另外,光电倍增管还具有响应快速、成本低、阴极面积大等优点。
由此可见,光电倍增管的性能主要由光阴极、倍增极及极间电压决定。光电阴极受强光照射后,由于发射电子的速率很高,光电阴极内部来不及重新补充电子,因此使光电倍增管的灵敏度下降。
光电倍增管:PhotoMultiplier Tube,简称PMT,是灵敏度极高,响应速度极快的光探测器。
1、发光二极管具有单向导电性。只有当外加的正向电压使得正向电流足够大时才发光,正向电流愈大,发光愈强。光电二极管是远红外线接收管,是一种光能与电能进行转换的器件。
2、当光电二极管被用在光通信系统中时,这些参数直接决定了光接收器的灵敏度,即获得指定比特误码率(bit error rate)的最小输入 功率 。
3、光电二极管在日常生活的应用非常广泛。它跟一般的二极管在结构和功能上几乎一致,也是由一个PN结组成的半导体器件,具有单方向导电的特性。所谓PN结就是连接P型半导体和N型半导体两者的接触面。
4、光电二极管的响应时间与其负载电阻和偏置电压有一定的关系。一般来说,当光电二极管的负载电阻较大,也就是电流较小时,其响应时间会较长,因为电荷载体的移动速度较慢,需要更长的时间来达到稳定。
5、用红表笔接光电二极管“+”极,黑表笔接“—”极,在光照下,其电压与光照强度成比例,一般可达0.2—0.4V。 ③短路电流测量法用万用表50μA档。
6、光电二极管(Photo-Diode)和普通二极管一样,也是由一个PN结组成的半导体器件,也具有单方向导电特性。但在电路中它不是作整流元件,而是把光信号转换成电信号的光电传感器件。
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