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正常工作时，基极电压Ub比发射极电压Ue高一个发射结压降Ube，所以：Ub=Ue+Ube，其中Ube是三极管的属性，硅管约0.7V、锗管约0.2V。
“三级管的基极电压”只是指三级管的基极对公共端（地）的电位。真正判断三级管的工作状态，要看三级管B-E间的电压Ube和C-E间的电压Uce。例如，Ub=5V，不能说它就是导通。因为，如果Ue也等于5V，则Ube=0，不会导通。
．三极管基极电压在电路中，直流工作电压+V通过电阻Rl和R2分压， OP297GSZ 加到三极管VT1基极，作为VT1的基极直流电压。改变电阻R1或R2的阻值大小，可以改变三极管基极电压的大小。
那么为什么UBE下降会导致IB下降呢？刚开始我也一知半解想了很久，后来才发现这与三极管的特性相关；根据下图可以看到UBE的下降，使IB同样减小了。刚开始我的理解要列出IB与β之间的关系，但发现这样根本不能符合实际结果。
管压降---就是Uce，集电极与发射极之间的电压。发射结压降---就是Ube，基极与发射极之间的电压。
1、三极管工作在放大状态，发射结正偏，集电结反偏，电压值处于中间的是b极，与b极相差0.7V（硅材料为0.7V，如果是锗材料是0.3V）的是e极，剩下的就是c极了。
2、用开路电压法，将发射结作为PN结二极管开路，若Ua=0.7V，则认为发射结导通，否则认为发射结截止。
3、对NPN来说，其实是流入集电极的。 共射电流放大系数是β，β=Ic÷Ib。是晶体管的基本参数。为得到大的β，三极管在制作的时候，基区很薄，掺杂很少，所以Ib很小。但Ib与Ic的理论关系，到目前为止没有很好的解释。
4、只能放大电压的是共基极电路，三极管稳压电路就是一个例子。另外，共射极电路有电压放大作用，我们学习放大电路时用的就是共射极电压放大电路。
分压电路都属于串联电路，串联电路电压处处相等。因此可用隔断电压除以电流来计算各段电阻值。
其中26是个常数，单位是Mv，Ie是发射极电流，单位是Ma，电阻单位计算出来是欧。
分压电阻的阻值越大，分压作用越明显。分压电阻在电路中往往采用阻值较高，功率较大的捷比信功率电阻。
你给这个电路中参数比较全，但是缺晶体管β值，不妨设β=100。计算分分析与设计两大类。分析主要是判断工作点是否合理，以及计算电压放大倍数、输入输出电阻等。
1、分析分压式偏置电路中三极管基极电流的大小时要掌握：Rl和R2对直流工作电压+V分压后，将电压加到三极管基极，该直流电压的大小决定了该管基极直流电流的大小，基极直流电压大基极电流大，反之则小。
2、温度T上升-β上升-IC=β×IB，所以IC上升-IE上升-VE上升-UBE下降-IB下降-IE下降-VE下降，VE的下降抵消了之前VE的上升，所以能够稳定住静态工作点。
3、三极管分压式偏置电路由上下偏流电阻分压接在基极，在发射极接一个小电阻RE同时在RE上面并联一个电容通过交流信号。下偏流与基极电流一般相差很大，下偏流是比较固定的。
4、三极管分压偏置电路对温度的稳定过程主要是用Re来稳定静态工作点的。分压偏置电路是要是对Ub起到稳定作用，它的偏置电流比Ib大得多，所以Ib的变化对Ub影响很小。
三极管分压偏置电路基极电压只是在空载时才一直不变。按照等效电源定理，基极偏置电阻RR2的串联分压R2/(R1+R2)(+U)只是等效电源电动势。
虽然基极电压能随输入电压的增加而略有增加，但正向电流的变化是很快的，Ibe随Vbe呈指数关系变化，容易造成PN结烧毁，所以要串联一个基极电阻来限制流入基极的电流，而不应在be结上直接加上恒压源。
有说npn三极管由0.2v基极电压开始渐通，到0.7v全通即饱和状态，基极电压变不变就视乎输入电压，基极输入电压过。上限就会损坏三极管。
1、Ub的电压就是0.7V，但这是三极管内部压降，可能随着温度、湿度等变化而改变，即使变化很小，对Ib也有很大影响，会导致Ic变化，就不稳定了。有了Rb2，那么Ub的电压是Rb1 和Rb2的分压，相对比较稳定。
2、三极管分压式偏置电路由上下偏流电阻分压接在基极，在发射极接一个小电阻RE同时在RE上面并联一个电容通过交流信号。下偏流与基极电流一般相差很大，下偏流是比较固定的。
3、温度T上升-β上升-IC=β×IB，所以IC上升-IE上升-VE上升-UBE下降-IB下降-IE下降-VE下降，VE的下降抵消了之前VE的上升，所以能够稳定住静态工作点。
4、一般情况下，要使三极管工作在放大区，工作点Vb和 Ib很重要。首先要分清楚是硅管还是锗管，其次是PNP还是NPN，这些资料可以在三极管的规格书里看到。
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