mosfet光耦（光耦mos开关电路）

发布时间：2023-05-22

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IR2110作为MOSFET驱动芯片，若你的主电路是大电压大电流，而控制电路一般都是低压，小电流，二者之间必须隔离（一般用高速光耦），以防主电路发生故障，控制电路跟着烧坏。

逻辑输入兼容IR2110/IR2113，标准CMOS或LSTTL输出，下降到3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低驱动器跨导。传播延迟相匹配，以简化在高频应用中使用。

应该要的，一般光耦驱动电流很小50mA MAX.如果你的驱动频率很高，因为S-D极电容比较大，电流小，一下子充不满，达不到驱动的电压的。

mosfet光耦（光耦mos开关电路）

1、要看你是用在什么场合，如果半桥的话可以用IR2010，含自举电路，需要可以找我，我这里有相关资料，应该适合你。

2、和单片机搭配的MOS管VDSS=20V或30V的即可，UT230UT230UT3400、UT340NCE3010等等都可以用单片机驱动，可以根据你用的功率来选择。如果VDSS在60V或者一样一般就驱动不起来了，30V以下的VDSS的MOS一般都可以驱动。

3、这种用变压器升压的办法是不可行的，很难得到你要的电压和波形，原因你自己找开关电源方面的书就知道了。建议用dc-dc把18v电压变为60v，然后单片机加一级三极管驱动或光耦，再驱动一个mos管对60v电压进行开关就可以了。

1、你要驱动MOSFET的话需要把他的5脚和8脚接一起然后接VCC，6脚接栅极电阻，7脚接GND的。很简单的。

2、应该要的，一般光耦驱动电流很小50mA MAX.如果你的驱动频率很高，因为S-D极电容比较大，电流小，一下子充不满，达不到驱动的电压的。

3、复合开关是可控硅跟磁保持继电器的结合体，磁保持继电器需要给它正脉冲吸合，负脉冲打开。你的意思是要设计一个驱动电路能输出提供开关动作的正负脉冲吗？一般市场上控制器都是投的时候输出12v恒定电压，切的时候没有电压输出。

驱动电路顾名思义，就是驱动IGBT的：将输入的PWM信号转化成可以开通和关断IGBT的电平标准；使得驱动电流足以可以开通和关断IGBT（尤其是IGBT的Ice较大的时候）；使得PWM信号的上升时间和下降时间满足IGBT开通关断的要求。

IGBT模块的安装：为了使接触热阻变小，推荐在散热器与IGBT模块的安装面之间涂敷散热绝缘混合剂。涂敷散热绝缘混合剂时，在散热器或IGBT模块的金属基板面上涂敷。如图1所示。

IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

这个就是变频器的驱动电路，Q6，Q7就是IGBT，要两相输出至少要4个单管的IGBT，因为IGBT一般都是用PWM触发控制的，你附的电路只是他的一相输出而已。

IGBT对其驱动电路提出了以下要求。1)向IGBT提供适当的正向栅压。并且在IGBT导通后。栅极驱动电路提供给IGBT的驱动电压和电流要有足够的幅度，使IGBT的功率输出级总处于饱和状态。

一般市场上控制器都是投的时候输出12v恒定电压，切的时候没有电压输出。其实可以在投切开关上加一个电路的，可以变直流为脉冲，且磁保持继电器正常工作时线圈不带电。

驱动电路需要一个合适的控制信号来控制MOSFET管的开关状态。通常使用PWM信号来控制MOSFET管的开关频率和占空比。应选择合适的PWM控制器，以满足实际应用的要求。

PC923的话你要驱动MOSFET的话需要把他的5脚和8脚接一起然后接VCC，6脚接栅极电阻，7脚接GND的。很简单的。

简单的方法应该是输出的脉冲信号驱动光耦光电二极管，光耦的输出端接如图电路，如果长时间工作要注意散热，灵敏度要求高或电流不足需要达林顿管，脉冲的频率不可以太高的。