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光耦不可以替代817光耦。根据查询相关信息显示781光耦和817光耦峰值正向电流不同、作用不同、应用不同。
HCPL-817描述说明 HCPL-817-000E 为内含通过光学耦合到光敏晶体管发光二极管的光敏晶体管光电耦合器，采用 4-pin DIP 封装并提供宽接脚间隔和弯脚 SMD 选择。
第一个是普通光耦，第二个是输出部分为光触发的双向可控硅，可以用于交流电，可以开关小型电风扇等小型交流电器，具体可控硅的耐压和电流需要查看器件手册。
峰值正向电流不同 光耦PC817：光耦PC817的峰值正向电流（ICE max）为1A。光耦PC817B：光耦PC817B的峰值正向电流（ICE max）为5A。
光耦的技术参数主要包括LED正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和电压VCE(sat)。
它的具体参数如下：正向电流IF(mA)50 mA 峰值电流IFM(A)1 A 反向电压VR(V)6 V 功耗P(mW)70 mW 集电极发射电压VECO(V)35 V 发射机电极电压VECO(V)6 V 集电极电流IC(mA)50 mA 集电极功耗PC(mW)150 mW。
HCPL-817-000E 为内含通过光学耦合到光敏晶体管发光二极管的光敏晶体管光电耦合器，采用 4-pin DIP 封装并提供宽接脚间隔和弯脚 SMD 选择。
1、pc817光耦一般电流控制在5~20mA，最大50mA。用5V电源驱动，可以串联电阻R=5/0.01=500R，所以你可以选择电阻200R~1K，建议取值330~510R。
2、光耦817B导通电流最小是130mA，最大是260mA，正向压降为6V，最大耐压为35V。光耦合器亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。
3、在设计电路时，必须遵循以下原则：选用的光电耦合器件必须满足国内外关于隔离击穿电压的标准；英国Isocom公司和美国摩托罗拉公司生产的4N××系列(如4N24N24N35)光耦在国内广泛使用。
4、光耦的CTR在不同驱动电流和不同温度下都有所不同。817资料上典型驱动电流好象是5mA，图表上1mA以下似乎看不到CTR的表现了，但实际还有，你有兴趣可以手工绘出小驱动电流时的CTR曲线。
5、Mbps。光耦最佳工作速度区域是2mA，最佳工作速度为10Mbps，可以根据不同电路设计选择。高速传输常透过计算机或控制器输出信号，因此发展出高速传输场合使用的高速光耦，更复杂的IC结构，不只有模拟，也能做数字信号的输出。
6、在国内应用地十分普遍。鉴于此类光耦合器呈现开关特性，其线性度差，适宜传输数字信号（高、低电平），可以用于单片机的输出隔离；所选用的光耦器件必须具有较高的耦合系数。
1、朋友，可以代换的。用PC817就可以代换，还可以用521和621代换啊。
2、PC817的隔离电压是5000V，在光耦中已经是最高了，目前为止，没有光耦的隔离电压在5000V以上。
3、不可以。光耦代换的原则是耦合器以光为媒介传输电信号。格局官方网站查询得知，pc17k1光耦不能用817代换。对输入、输出电信号有良好的隔离作用，所以，在各种电路中得到广泛的应用。
4、可以互相代替。TLP521是可以完全替代817和2501，后两个不能完全替代521，要求不严的一些消费类电源上，还有智能电表上这几个都是一样用的。
5、光耦不可以替代817光耦。根据查询相关信息显示781光耦和817光耦峰值正向电流不同、作用不同、应用不同。
1、发射极集电极电压：6V。集电极电流：50mA。集电极功耗：150mW。总功耗：200mW。主要特点。电流传输比 (CTR： MIN. 50% at IF=5mA ，VCE=5V)。高隔离电压：5000V有效值。
2、发射机电极电压VECO(V)6 V 集电极电流IC(mA)50 mA 集电极功耗PC(mW)150 mW。pc817光耦要多大电流驱动？pc817光耦一般电流控制在5~20mA，最大50mA。
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4、PC817的输入侧是发光二极管负载，导通电压大约1-3V，应该串联一只电阻接入，并且控制驱动电流在1-10mA之间。
5、输入侧就是个发光二极管，属电流控制器件，需要限制的是正向电流，不能直接加正向电压。正向工作电压可在输入特性曲线查出，通常在4V左右。
6、输入端（二极管两端）的电压和你通过的电流有直接关系，根据参数表上描述，IF=20mA时，VF标称值=2V，最大值是4V。
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