mos管速度（mos管速度饱和区条件）

发布时间：2023-08-28

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1、因场效应管栅极电容的影响，一般需要大于正负1A的驱动能力，栅极电阻不大于10欧，反向接二极管提高关断速度。

2、若| VSS—VDD || VTP|(MOS管开启电压)，则P沟道MOS管导通，所以输出电压V0为高电平“1”(VDD)，实现了输入和输出的反相功能。当输入电压VI为底电平“1”(VDD)时，VGSN=(VDD—VSS)。

3、只要满足VGS大于管子的VGS门限值就可以导通。VGS就是G和S极的电压。以N沟道为例，如果管子的VGS=4V，则S接地，G接到4V即可使增强型的NMOS导通，当低于这个值时就会趋向截止。

4、开关： MOSFET可以作为开关来控制电路中的电流，从而控制相应的电器、电压和电流。放大： MOSFET也可以在放大电路中使用。在放大电路中，MOSFET将输入信号转换为一个变化幅度更大的输出信号。

你好，这是因为MOS管的响应速度不够快，建议把Q2的驱动电路换成推挽驱动，同时MOS管选择输入电容较小的型号。

MOS管可能因为处于放大状态而导致电机速度不够，也容易烧MOS管。如用24V做驱动，MOS管栅极可接5V左右的稳压管以防过压。

在普通的 MOS管上产生的压降为 0.4V，不足以影响负载吧？门极导通电压为1V~4V，标称3V；7V的锂电池，饱和是2V，选择3V工作的单片机，足够驱动了。

1、主要是提高栅极的驱动能力。因场效应管栅极电容的影响，一般需要大于正负1A的驱动能力，栅极电阻不大于10欧，反向接二极管提高关断速度。

2、MOSFET的栅极存在结电容，负压有利于更快的为结电容存储的电荷Qg，提供释放回路，从而加快开关速度。但是过快的开关速度会影响EMI。

3、MOSFET的开关速度MOSFET的开关速度和Cin充放电有很大关系。可降低驱动电路内阻Rs减小时间常数，加快开关速度。不存在少子储存效应，关断过程非常迅速。开关时间在10~100ns之间，工作频率可达100kHz以上，是主要电力电子器件中最高的。

4、这个和两种开关原件的设计和工作原理有关，一般原件参数都会告诉你它的开关响应时间，和两种管关系不大，igbt 多用在大功率场合，而mosfet 功率少些，igbt 就是小功率mosfet 和三极管的复合管。

5、帮你查了一下，晶体管中能达到10M的大功率器件只有SIT，也就是静态感应晶体管，一般的功率MOSFET管达不到，最高也就3MHz的样子。你这种速度的开关，还不如用高速光电耦合器，比如6N137这种（作开关用）。

mos管速度（mos管速度饱和区条件）