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1、半导体光电器件如光导管、光电池、光电二极管、光电晶体管等;半导体热电器件如热敏电阻、温差发电器和温差电致冷器等。
2、光电二级管,光敏电阻,光敏二级管,发光二级管等。符号为:若是感光元件,则在原器件中上部打两个向内的箭头,表示吸光的意思。若是发光元件,则在原器件中上部打两个向外的箭头,表示发光的意思。
3、基本的半导体器件主要有以下几种:pn结二极管,金属氧化物场效应晶体管(MOS),双极晶体管(BJT),结型场效应晶体管。pn结二极管结构:其中pn结二极管由n型半导体和p型半导体接触产生。
发光量子产率的数值越大,化合物的荧光或磷光越强。不发光的物质,其发光量子产率的数值为零或非常接近于零。重原子的引入使荧光量子产率减小,磷光量子产率增加。发光效率是一个光源的参数,它是光通量与功率的比值。
分子中的电子状态、振动与转动状态都是量子化的,即相邻状态间的能量变化是不连续的。因此分子激发时的初始状态与终止状态不同时,所要求的光子能量也是不同的,而且要求二者的能量值尽可能匹配。
在通常情况下,荧光量子产率数值总是小于1。荧光量子产率(fluorescencequantumyield)又称荧光量子效率,符号Yf。是指激发态分子中通过发射荧光而回到基态的分子占全部激发态分子的分数,公式为Yf=kf/(kf+Σki)。
如罗丹明 B 在乙二醇中的荧光量子产率显著高于在乙醇中荧光量子产率。(2)在罗丹明顶环下侧的 CCC7 和 C8 位引入取代基团,可以使得底环部分的自由旋转受到阻碍,减少了非放射过程,增加荧光量子产率[277-280]。
在光催化反应体系中,表面吸附分子氧的存在会直接影响光生电子的转移,如式8-5~8-8,影响反应高活性自由基和反应中间体·OH、·O2-、HO2·、H2O2 的生成、光催化氧化反应速率和量子产率。
光激发产生的光生载流子的复合率高,是导致量子效率低下的主要原因之一。通常情况下,二氧化钛的量子产率低(4%),最高不超过10%,因此大大限制了其使用的效能。
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