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，这就一简单的光耦，你需要匹配什麼？光耦主要是隔离使用，隔离电压/以及杂讯 你可以查看其真值表 2，Q500是一个PMOSFET，主要是做开关使用。
有TLP250，不知道TPL250.TLP只是一个驱动器，驱动的高电压来自Vcc输入，和加不加自举电容没有必然关系。如果你的Vcc电压能保证上管MOS管在导通时持续导通，就没必要加。
主电路主要由功率开关管S、肖特基二极管D、滤波电容C、电感L、阻性负载Ro以及无感采样电阻RL组成。此电路的基本参数是输入端为36V铅酸蓄电池，输出要求为10A恒流，开关频率为50kHz。控制芯片采用SG3525，驱动芯片采用TLP250。
buck电路负载电阻过大会导致输出电流降低，这样电感电流曲线会整体向下移动。BUCK的基本工作过程就是对电感充放电的过程。
改变电感或电容对buck电路有什么影响 没有电路图。 泛泛说一下自己的理解吧。 电感响可能是绕的不好； 开关频率比较低，落在了2k~20kHz之间，刚好被人听到。
减小低频信号的通过能力，增加高频信号的通过能力。电阻与电容并联的作用，直流信号或者低频信号通过较困难，而交流信号或者高频信号较容易的通过。电容并联电阻不管在强电电路中还是在弱电电路中都能够见到这种连接方式。
1、V单片机驱动5V、12V继电器，不宜用mos管，MOS管开通电压较高，3V可能不会使MOS管充分导通。5V时最好用PNP管子，12V时最好用NPN管子。
2、单片机的输出无法直接带动步进电机，你可采用几个三极管共射放大电路来控制步进电机（采用共地形式），单片机输出去驱动共射电路的基极即可。
3、信号由3V侧输出：需要提高高电平电压，通常用HCT型的门电路即可，单路的可TI单个门电路产品；信号由5V侧输出：需要明确3V侧器件的耐压是否能承受5V，一般用一个20-30欧姆的电阻串入，降压限流。
4、并不需要使用其它芯片。一般来说，3V的单片机，输出端，可以输出 5V。需要在引脚的外部，用一个上拉电阻，拉高到5V，即可。
5、可以的，单片机的IO口需要设置为开漏输出，加上拉电阻到5V就可以了。
6、要看单片机的数据手册，如果极限参数允许，就可以。例如stm32，手册上的极限参数是4V，5V就会击穿损坏单片机。
1、通过单片机做一个pwm波，在进行滤波 就可得到一个正选拨，具体的可以网上找些资料。
2、PWM的控制需看你用何种集成电路。开关电源的集成电路有很多种，如TOP221，TL494，UC3842，UC3846，UC3875，SG3525等。开关电源又分反激式开关电源和正激式开关电源。它一般由集成电路的某个引脚，通过外部信号反馈来控制。
3、你这不是单片机是dsp，2407本身就有pwm输出。位置传感器不知道你用的啥，如果是码盘，就用ssi通讯就行，用spi口接就可以。还有ti的芯片一定要用4层板，2407也已经停产了。
4、PWM，小信号下比较可靠。2）使用一级小功率三极管加二极大功率开关三极管（MOS管也可）。这种方式适合后级需要驱动能力较大时。小功率三极管在此起到隔离的作用，而开关管（或MOS管）起到转换电压提升功率输出的作用。
5、脉冲宽度调制(pwm)，是英文“pulse width modulation”的缩写，简称脉宽调制，是利用微处理器的数字输出来对模拟电路进行控制的一种非常有效的技术，广泛应用在从测量、通信到功率控制与变换的许多领域中。
6、由于当今科学技术的发展已经没有了学科之间的界限，结合现代控制理论思想或实现无谐振波开关技术将会成为PWM控制技术发展的主要方向之一。
S到D，若SG之间电压大于Vgs很多(不是刚刚超过Vgs)，则S到D之间电阻与D到S电阻相同，为相当小的数值，可称为Ron。这种情况下，管子的压降往往比体内二极管小，故S到D电流不会通过体内二极管。
IRF540N的导通起控电压为2-4V，GS极之间最高电压不能超过20V，质量较好的管子GS加6-8V就已经饱和导通（内阻最小），所以使用时如果有脉动或尖峰电压时，最好在GS两极之间接入一12-15V的快速稳压管。
一般2V～4V就可以了。P沟道mos管作为开关，栅源的阀值为-0.4V，当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通，如果S为8V，G为8V，那么GS=-1V，mos管导通，D为8V。
二极管导通条件是：给予正向电压，并且大于二极管的导通电压。二极管外加正向电压。外加反向电压无法导通的。加上的正向电压必须大于二极管的死区电压。
正向掺杂浓度要高： 正向掺杂的浓度对二极管导通电压起很大的影响，浓度越高，导通电压越低。保证温度适中：当二极管温度过高或过低时，都会导致二极管电性能参数发生变化，导致二极管不能导通。
是的。一般NMOS管只要保证GS端的电压大于开启电压，那么在DS间的电流不管正向、反向都能导通，当然，对于PMOS也一样。
mos管坏了不可以直接短接，通过MOS管实现一定功能，比如稳压，通断功能，如果短接电源直接跨过MOS管，所有功能失效，会损坏设备。mos管是由输出信号控制的开关管，启动稳压的作用，如果短接就没有反馈控制导致电路烧毁。
MOS管导通是在其栅极（G）端施加高电平，而源极（S）和漏极（D）之间的电势差超过了临界电压时发生的。因此，如果我们想让MOS管导通，需要将G端连接到高电平电源。
没有D接电源，S接地吧？D应该是通过一个电感再接电源才对。你说的不错，MOS管DS不串联在电源上，就是VGS的问题，不好控制，VGS会随输出电压的高低而变化。如果用P-MOS ，就可串联在电源上。
如果S为8V，G为8V，VGSw，那么mos管不导通，D为0V，所以，如果8V连接到S，要mos管导通为系统供电，系统连接到D，利用G控制。
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