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1、hfe是三极管H参数,全称“共发射极低频小信号输出交流短路电流放大系数”,在等效四端网络中又叫“h21”。β是Ic与Ib函数关系的普遍表达式(即β=Ic/Ib),尤其特指在晶体管基区中电流的分配关系。
2、hfe是三极管H参数,全称“共发射极低频小信号输出交流短路电流放大系数”。β是集电极电流Ic与基极电流Ib函数关系的表达式(即β=Ic/Ib)。hfe与β在概念上有所区别,但数值上基本一致,在大多情况下可不加区分。
3、hFE,共E极接法直流放大倍数。就是特定的测量条件(特定的集电极反向电压、基极电流、温度)下集电极电流与基极电流的比值。hFE=集电极电流/基极电流。
4、hfe是交流信号放大系数,俗称β,是动态的。HFE是直流电流放大系数,是静态的。
5、HFE是三极管直流电流放大系数简称。H:Hybrid; F:forward;E:common emitter(共射接法) 其实就是三极管的电流放大倍数。
不可以。TYN610是单向可控硅,电压600V,电流6A4。可代换的型号,TYN810,TYN1010,TYN612,BT151,BT152,CR6PM,CR8PM。TYN610是单向可控硅,600V10A,tyn616也是单向可控硅,1200V25A。
TYN610不可以代换TYN1225。TYN610是单向可控硅:600V10A,TYN1225也是单向可控硅:1200V25A。可控硅(SCR: Silicon Controlled Rectifier)是可控硅整流器的简称。
这是国产的老式高频三极管,金属壳封装, 现在很难买到,你可用常用的9018三极管直接代之。9018的fT达800MHz,高频性能优于3DG8。现在不少无线话筒里面都是用9018作高频放大。
TYN612是可控硅元件,电流12A,电压600-1000V,触发电流0.2-15mA。详细参数见:pdfalldatasheet.com/datasheet-pdf/view/25111/STMICROELECTRONICS/TYN61html可用相似参数的可控硅代换。
NPN型和PNP型三极管之间不能代换,硅管和锗管之间不能代换。
通常三极管 外壳上没有 参数,只有型号。模糊不清了也不要紧,你已经从另一个好 电路板上知道了它的型号,就可以了。
1、D92-02的电性参数是:正向电流(Io)为20A,反向耐压为200V,正向电压(VF)为0.85V,其中有3条引线。D92-02快恢复封装系列。它的本体长度为23mm,加引脚长度为455mm,宽度为125mm,高度为05mm。
2、D92-02快恢复二极管在开关电源中有两种作用,作为快速整流二极管和并联的续流二极管,用于保护IGBT等核心器件。
3、D92-02全型号为ESAD92-02,是200V/20A低损耗超高速整流二极管。二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出。通常它包含一个PN结,有正极和负极两个端子。
4、D92-02全型号为ESAD92-02,是200V/20A低损耗超高速整流二极管。
TIP35C为大功率NPN管,一般与TIP36C配对用于高品质功放中,因此在找不到同型号管时,则应连同TIP36C一起更换。
三极管的材料有锗材料和硅材料。它们之间最大的差异就是起始电压不一样。锗管PN结的导通电压为0.2V左右,而硅管PN结的导通电压为0.6~0.7V。
TIP35C是SOT-93封装,120V5A,理论上高于这个参数的都可以代换。
CD511,功率和电流都大于8550.只是封装形式不一样。
是现在常用的PNP硅三极管。你可以使用9012N5401和2N2907这些PNP管直接代换,它们外形及引脚排列都一样。
常用的应该是901这两种参数基本一致。9013906也可以使用,但电流会比9012少一点,不过这两个的频率可以高一些。8550和8050是对管。9012和9013是对管。所以,选择9012应该是对的。
该管为硅PNP 中功率管。BVceo=25V Icm=1500MA Pcm=1W FT=100MHZ 可以用 BC363 或者3CK10E代替。
是中功率PNP管,这个要看你用在什么地方,一般这个三极管是代换其它的三极管,如901101550等。反过来代换的话如果电流不大的话是可以的,这个三极管好找也好买,手机充电器里面大把的。
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