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mos管死区（mos管死区）

发布时间：2023-08-29
阅读量：22

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塔式散热照顾主板mos管吗

塔式散热能很好配合风道，但也有不能照顾主板等电子元件的散热 事实上，塔式散热器虽好，但只对CPU好。但从就CPU的散热效果来说，塔式散热器的确占有不小的优势。

不会，像这种散热，安装时都有背板支持的，不会对因重量而令主板变形等的情况发生的。

不可以。笔记本散热系统设计用于散热笔记本电脑的内部元件，如处理器、显卡等。而mos管通常运行在较高的功率和温度下，需要更好的散热条件。笔记本散热系统无法提供足够的散热能力来有效地冷却mos管。

再说，40N03的管子最大电流40A，一般的主板这种规格足够了，也没必要换太大的管子。如果温度不是太高，例如75°一下，可以不用处理，如果温度确实太高，可以考虑在管子上加一块散热片。

尊敬的华硕用户，您好！CPU温度在30度说明散热没有问题，是否需要更换风扇可以根据您对噪音的忍受程度决定。

目前主板或显卡上使用的MOS管并不太多，一般有10个左右。主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中。因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。

MOSFET开关管死区最小取值由哪些参数决定?datasheet里的哪些参数决定这...

1、死区时间大小由R8，R8，C10，C11共同决定。如图参数，为6uS左右。在实际设计安装的时候，C10或C11应使用68pF的瓷片电容与5-45pF的可调电容并联，以方便调整两组驱动波形的死区对称性。 下图清晰地展示了死区的效果。

2、这个值直接决定这个MOS管能不能用在你要的应用场景之下，就好比你给12V电压选一颗电容，你肯定第一眼就去看耐压大于12V的电容，或者保守一点，直接选耐压25V的电容一样。Vds就是这个MOS管的耐压。

3、该参数以FDN304P管DATASHEET为参考，参数如图所示：在连续导通模式下，MOSFET处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。

N沟道耗尽型MOS管工作在恒流区时,g极与d极之间的电...

从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似，其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。

主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中。因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。

G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。

它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。

n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。

你的不足在于，没有很好地理解MOS管的工作原理N沟道管子，衬底是B，而且是P型半导体，B与源极S连在一起。

为什么驱动全桥mosfet需要考虑死区时间

1、当然会，如果占空比达到50％，由于MOS管本身的关断延迟，必定会上下桥臂直通短路。设计全桥时一定要设定死区时间，或者将占空比最大限制在48％而不能是50％。根据MOS管本身的恢复时间来确定死区时间的长短。

2、为了避免spike噪声的影响，通常在控制信号翻转后到反馈信号稳定的一端时间内，对反馈信号的运算电路进行屏蔽，这段时间就是死区时间。

3、通常都是经验选取的，开关频率的1/50，保证电压损失不是太多。由datasheet里的时间只能最为参考，延时时间+开关时间。

4、四个MOSFET构成左右2个桥臂，上下两个mosfet为一组，互补导通，还要加死去时间，防止误导通，造成短路。第一个桥臂的上mos和第二个桥臂的下mos接收同一驱动信号，导通关断一致，另外两个mos也是同时导通和关断。

MOS管驱动芯片的工作原理?(以IR2110为例)

1、IR2110是一款高低侧驱动的MOSFET和IGBT驱动器。使用IR2110驱动单个MOSFET管的基本步骤如下：连接电源：将VCC引脚连接到5V或12V的电源，将COM引脚连接到地。

2、IR2110的高端驱动电平(6脚与5脚)相对于COM是悬浮的，必须通过开通半桥的下管给VB-VS脚所接的自举电容充电，这样7脚才有足够的电荷驱动半桥的上管。 如果是驱动单个MOSFET的话用低端驱动，即用1脚和2脚，换作LIN给PWM信号。

3、IR2110采用HVIC 和闩锁抗干扰CMOS制造工艺，DIP14脚封装。

4、IR2110是IR公司的桥式驱动集成电路芯片 ，它采用高度集成的电平转换技术 ，简化了逻辑电路对功率器件的控制要求 ，同时提高了驱动电路的可靠性。

关键词：电容 主板mos管 瓷片电容 mos管 IC芯片 可调电容

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