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用普通小电阻即可，MOS管栅极电流很小，这个电阻主要跟上升/下降时间有关系，一般选择几十欧姆的电阻即可。
mos的内阻值在70到200欧姆之间。因为mos接触电阻、通道电阻、扩散区电阻件值通过的阻值在70到200欧姆。根据公式RS=1/gm-(RDS(on)+RCH)计算可得在70到200欧姆之间。
光mos不导通电阻一般为几千欧姆，具体取决于器件的型号和参数。一般来说，光mos的电阻相对较高，因为其主要应用于控制性的应用场合，如电源控制、开关等。
gs有电压差到一定程度的时候，mos管就会打开 这个电阻可以在一定程度上减小gs之间的电压 这样可增加mos管的抗干扰能力。
对于场效应管来说，栅极输入端所加的电阻可以高一些，几百千欧或者几兆欧都可以。
MOSFET的导通电阻 Ron=δVds/δId|(Vds很小) = 1/[β(Vgs-VT)] ，实际上，线性区的漏电导正好等于导通电阻Ron的倒数； 如果是电流饱和区，则交流电阻近似为无穷大，直流电阻也是很大的。
1、mos管G极阻抗很高，很容易积累静电，而击穿G一S导致管子失效。接0欧电阻可以池放静电保护管孑不因静电损坏。
2、gs有电压差到一定程度的时候，mos管就会打开，这个电阻可以在一定程度上减小gs之间的电压，这样可增加mos管的抗干扰能力。
3、这个电阻影响G极电流，即其大小影响MOS管开关速度。同时，此电阻阻值也与MOS管振铃现象有关。
G，S之间加电阻是为了泄放G级的电荷。当G级没有信号输入时，G级残压电荷，或是静电累积的电荷，就会在gs直接形成电场，差生电势差，而gs之间的门槛电压是很低的，容易导通，继而ds也导通。
看着貌似是一种寄生振荡，可用施密特整形驱动试试可否改善。
梯形是驱动速度不足的现象，可以在G极电阻并一个反向二极管加速关断，或在G极加一个图腾。
这是过载了，芯片进入了降频保护模式。5V输出电压下降很快，大约在十几秒后降至不足1V。不过此时mos管两端电压无论波形还是周期都回到正常情况。
1、mos管G极阻抗很高，很容易积累静电，而击穿G一S导致管子失效。接0欧电阻可以池放静电保护管孑不因静电损坏。
2、G，S之间加电阻是为了泄放G级的电荷。当G级没有信号输入时，G级残压电荷，或是静电累积的电荷，就会在gs直接形成电场，差生电势差，而gs之间的门槛电压是很低的，容易导通，继而ds也导通。
3、gs有电压差到一定程度的时候，mos管就会打开，这个电阻可以在一定程度上减小gs之间的电压，这样可增加mos管的抗干扰能力。
mos管G极阻抗很高，很容易积累静电，而击穿G一S导致管子失效。接0欧电阻可以池放静电保护管孑不因静电损坏。
由于G、S极间有电容存在，存储大量电荷而影响开关速度。所以需要用电阻来为G\S的电荷提供泄放通路。
一是为场效应管提供偏置电压；二是起到泻放电阻的作用：保护栅极G-源极S。
1、贴片电阻表面上用三位数字来表示阻值，其中第一位、第二位为有效数，第三位数字表示后接零的数目。有小数点时用“R”来表示，并占一位有效位数。
2、如果贴片电阻很细的话，眼睛看不清数字就只能把贴片电阻全放在桌子上，然后打好万用表量程，一手捏一根表笔去测量，然后放到各个有相符阻抗标记的小容器里，放便以后使用。
3、误差当然是越小越好，但误差越小成本相对就高一些，这个要综合多方面因素考虑了。一般常用的贴片电阻是1%和5%的。
4、一般来说现在的型号都是很多的，如果选择不当会导致贴片电阻在使用的时候对电器有伤害，可以在厚声电子这个品牌中进行选择，这个品牌的贴片电阻有很多，能够满足不同的用户所需，也能够根据不同的电器进行定制。
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