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me9435是一个MOS场效应管集成块,其实就是一个场效应管。最大工作电流5A、耐压30V、P沟道的MOS管。常用于液晶电视高压板电路。也用于笔记本电源管理电路。
me9435是一个MOS场效应管集成块,就是电流5A、耐压30V、P沟道的MOS管,可以用来做电子开关作用,1 2 3脚是输入电压,5 6 7 8是输出,4脚电平输出。贴片sop-8脚封装形式。
上楼真是混蛋,人家是在问电池保护电路的一个双MOS管开关芯片,这个芯片里面集成了二只N沟道MOS增强型场效应管,上楼神经失常的回答手机型号方面去了,相当人家问的是水果,你却回答成蔬菜。
这是一个MOS管IC,用来做电子开关作用,1 2 3脚是输入电压,5 6 7 8是输出,4号脚电平输出。
mos管型号如下:增强型mos管:采用双栅极结构或耗尽层结构的增强型mosfet的栅源电压为8v左右。肖特基势垒二极管:其正向漏极电流密度可达100a/dtl以上。这种器件工作于反向击穿区时能承受较大的浪涌电流冲击。
元成本,不良率控制在0.2%左右,最大可以做到18W。
常见的有这些2N7000、2N700IRF510A、IRF520A、IRF530A、IRF540A、IRF610A、IRF620A、、RF630A、IRF634A、IRF640A、IRF644A、IRF650、IRF654A、IRF720A、IRF730A、IRF740A、IRF750A、IRF820A、IRF830A。
AM2321P是MOS管,P沟道 20V (DS) MOSFET,封装为SOT23-3。
海飞乐技术有很多规格参数:20V、30V、40V、50V、60V、80V、100V、200V、500V、600V。 封装有:TO-220,TO-247,TO-3P,SOT-227。台湾工研院技术支持。
场效应管4102STP80NF70参数:TO-220,ST,DIP/MOS,N场,68V,98A,0.0098Ω,最大耐压68V。场效1653应管分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(MOS管)两大类。
有100V,200V,300V,400V,500V,600V的电压。
mos管型号如下:增强型mos管:采用双栅极结构或耗尽层结构的增强型mosfet的栅源电压为8v左右。肖特基势垒二极管:其正向漏极电流密度可达100a/dtl以上。这种器件工作于反向击穿区时能承受较大的浪涌电流冲击。
耗尽型N沟道的MOS管有:BSP149,BSP135,BSS229等高耐压的 英飞凌品牌的。
这些大功率的进口的比较多,台湾也有几个品牌。这个有20A,29A,30A,33A,34A,38A,45A,600V47A MOS管,50A,55A,60A。海飞乐技术封装这些MOS。
海飞乐技术有很多规格参数:20V、30V、40V、50V、60V、80V、100V、200V、500V、600V。 封装有:TO-220,TO-247,TO-3P,SOT-227。台湾工研院技术支持。
V0A的4935。200V0A的4935其中针脚为2个,也就是日常经常见到的普通MOS管,而SO-8FL,SO-8即我们常见的八爪鱼MOS管。MOS管有三个引脚,分别是,栅极G、源极S、漏极D,这三个脚,用于链接外部的电路。
华硕从P55开始喜欢用NXP的MOS管。之前喜欢用NIKOsemi。微星从P45开始喜欢在高端主板上用Renesas的DrMOS,有时也用ONsemi。技嘉从P35开始用NECEL的MOS,NECEL被收购后换了ONsemi。低端板子也是NIKOsemi的天下。
MOSFET模块简称MOS模块,一般采用SOT-227封装,海飞乐技术封装碳化硅MOS管,SIC MOS模块,包括车用低压大电流MOSFET模块。功率MOS模块有以下优点:开关速度快,安全工作区宽,热稳定性好,线性控制能力强,电压控制。
关键词:mos管 IR系列mos管型号大全
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