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锗二极管死区电压（锗二极管死区电压是 ）

发布时间：2023-08-29
阅读量：27

本文目录一览：

锗二极管的导通电压是多少?

锗二极管导通电压为0.1V-0.3V，一般取0.2V，死区电压为0.1V左右；硅二极管导通电压为0.5V-0.8V，一般取0.7V，死区电压为0.5V左右。

锗材料二极管导通时，其两端电压为 0.3伏。硅材料二极管导通时，其两端电压为0.6伏 。反向击穿区 管降大说明分压的电阻大，所以是大。是的，理想二极管反向电阻无穷大。

伏；锗二极管的正向导通电压降为0.1-0.3伏。导通电压降受通过电流大小的影响。作为“导通电压”，应该是指初始导通时的电压降，所以可取最小值，即：硅二极管正向导通电压为0.5伏；锗二极管正向导通电压为0.1伏。

二极管导通电压：二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7v，锗管为0.3v）。正常情况下二极管的正向导通压降不可能是0V。

二极管的伏安特性

二极管的伏安特性是正向特性。二极管伏安特性曲线的第一象限称为正向特性，它表示外加正向电压时二极管的工作情况。

二极管实质上是一个PN结，它的基本特性是单向导电性，因此二极管的伏安特性分为正向连接和反向连接两种情况。二极管正向连接时如外加电压很低，电路中基本上没有电流通过，二极管的这种状态称为截止。

二极管的伏安特性 正向特性 在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式际为正向偏置。只有当正向电压达到某一数值以后，二极管才能真正导通。

为什么硅二极管的死区电压比锗二极管的死区电压大?

1、与锗相比，硅原子对电子的吸引力更大一些，使电子离开硅原子核需要的能量也就更大一些。

2、原子对自由电子的束缚能力不同，其PN结的内电势不同，克服内电势需要的电压（等效死区电压）当然不同。

3、由于硅二极管的Is远小于锗二极管的Is，所以硅二极管的门限电压大于锗二极管的门限电压。工作原理 二极管的主要原理就是利用PN结的单向导电性，在PN结上加上引线和封装就成了一个二极管。

4、导致内建电场强度小于硅。若想要PN结导通，外施正向电压形成的场强大小必须首先要能够克服该内建电场，对于硅材料，克服该电场需要0.6-0.8伏，对于锗材料克服该电场需要0.1-0.3伏。这就是硅管开启电压大的原因了。

一般硅、锗二极管的死区电压为多少?导通电压后又是多少

一般大略估算是按照锗管0.12~0.2V，硅管0.5~0.7V。但是实际二极管并不理想，不是按照某一个电压分解导通与否，而是一个随着电压增加逐渐导通的指数曲线。

锗二极管导通电压为0.1V-0.3V，一般取0.2V，死区电压为0.1V左右；硅二极管导通电压为0.5V-0.8V，一般取0.7V，死区电压为0.5V左右。

绪二极管的死区电压是0.2V。硅二极管的死区电压是0.5V，锗二极管的死区电压是0.2V。硅二极管的导通电压是0.7V，锗二极管的导通电压是0.3V。

硅二极管死区电压约为0. 5V；锗二极管死区电压约0. 2V。在实际使用中，当二极管正偏电压小于死区电压时，视为其正向电流为零的状态。

.锗材料二极管的正向导通死区电压约为0.2V不到，一般导通后的压降按0.2V计算；硅材料二极管的正向导通死区电压约为0.6V，通后的压降按0.7V计算。

故正向电流很小，几乎为零；当正向电压超过一定数值后，内电场被大大削弱，电流增长很快。这个一定数值的正向电压称为死区电压；其大小与材料及环境温度有关。通常锗管的死区电压约为0．2V，硅管的死区电压约为0．5V。

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