场效应管和可控硅（场效应管和可控硅脚位）

发布时间：2023-08-30

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MOSFET是由电压控制器件，开关速度比三极管快，内阻比三极管低。所以适合做开关管，开关损耗低。IGBT 结构上是电压控制的三极管。开关速度比MOSFET慢些，特别是off time. 但是，它容易做到高电压，大电流。

IGBT与GTO、MOSFET器件相比在开关速度、耐压、驱动功率上有更优异的特性，所以被广泛应用在变频器、有源滤波和补偿、逆变等领域。

从结构来说，以N型沟道为例，IGBT与MOSFET（VDMOS）的差别在于MOSFET的衬底为N型，IGBT的衬底为P型。

IGBT一般耐压等级高，耐流能力强，但是开关损耗大。因此IGBT主要用于高压大功率场合。MOSFET耐压耐流相对IGBT较低，但是开关损耗小，因此频率可以做的更高。所以MOSFET主要用在低压小功率高频场合。

场效应管和可控硅（场效应管和可控硅脚位）

常说的场效应管，三极管，可控硅是同一类东西，不是同一种东西。

这个问题有点大，需要看你电路板的设计要求，二极管中的整流，开关，稳压，TVS，快恢复，肖特基，触发管，三极管中的通用，小功率，高频，场效应都可能会用到，还有就是稳压电路，可控硅等等。

场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似。

你好：三极管、三端稳压器、可控硅不是一种东西且有不同的功能，所以不是一回事。但共同点是都有三个极。

可控硅是四层三端器件，它有JJJ3三个PN结，可以把它中间的NP分成两部分，构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管。当可控硅承受正向阳极电压时，为使可控硅导铜，必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用。

可以，但不能转直接代替，需要改变控制模式。既不能用可控硅触发脉冲直接控制。两者不同，可控硅是个稳压元件你提供的电流大小可控硅的导通程度不一样，简单的说可以调大调小所以说是可控。

你的是可调的电源电路吧。按你图上上单向可控硅，可以用场效应管代替，只是代替时需要让场效应管与可控硅的耐压值和通电流能力相匹配。不过最好还是用图上标示的元件。买不到了再替换。

那么在应用上，场效应关你开关都是通过g级来开关的，比如g级维持高电平则导通，低电平则截止。

首先讲一下2N6508不是什么场效应管，它是25A单向可控硅(SCR)，可用BT145-600R或MCR25N-25A直接代换。

如果不用场效应管，简单的做法是将S1直接给右边电路供电，只要保证开关的电流容量足够就行。还可以用继电器或单向可控硅代替T1，但也是需要焊接的。

微件不同：场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似。

场效应管、可控硅、三极管外形很相似，一般都只能以型号来区分，如型号不清则可试试用万用表测量电极间电阻大小方法来区别。一，三极管。

另一个笔接其他两极，或者全有阻值，或者全无穷大。具体测量还有很多。可控硅：黑红表笔接到触发极外的两支脚，黑笔靠近触发极，黑笔瞬间连触发极，表偏转，断开后变无穷大。场效应管：不同管测量法不一样。

常说的场效应管，三极管，可控硅是同一类东西，不是同一种东西。